减反阵列基板的制备方法及其制备的减反阵列基板技术

本申请实施方式所提供的减反阵列基板的制备方法，包括：提供一衬底基板；配置一光阻溶液，所述光阻溶液包括丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂；将光阻溶液涂布于所述衬底基板上形成一光阻层；采用黄光制程对所述光阻层进行处理，形成一图案化结构；对所述图案化结构进行热处理以形成一减反导电结构，从而得到包括所述衬底基板和所述减反导电结构的所述减反阵列基板，所述减反导电结构作为减反阵列基板的信号线，从而避免了现有技术中的金属信号线对光线的反射，进而形成了具有减少光线反射的阵列基板。

Fabrication Method of Antireflection Array Substrate and Antireflection Array Substrate

The preparation method of the antireflection array substrate provided in the embodiment of the present application includes: providing a substrate substrate; configuring a photoresistive solution, which comprises an acrylate metal precursor, an acrylic resin, a photoinitiator, a solvent and an assistant; coating the photoresistive solution on the substrate to form a photoresistive layer; and treating the photoresistive layer with a yellow light process. A patterned structure is formed; the patterned structure is heat treated to form a reduced anticonductivity structure, thereby obtaining the reduced anticonductivity array substrate including the substrate substrate substrate and the reduced anticonductivity structure, which serves as the signal line of the reduced anticonductivity array substrate, thereby avoiding the reflection of the metal signal line to the light in the prior art, and thus forming a reduced anticonductivity array substrate with the substrate substrate and the reduced anticonductivity structure. Array substrate for reducing light reflection.

【技术实现步骤摘要】
减反阵列基板的制备方法及其制备的减反阵列基板
本申请涉及显示领域，具体涉及一种减反阵列基板的制备方法及其制备的减反阵列基板。
技术介绍
在窄边框或无边框产品中，为实现超精细的外电路连接，通常使阵列基板位于出光侧，然而，传统制程的阵列基板由于位于最外侧的金属信号线容易反射外界环境光，出现镜面影像，使得人眼感知到的实际对比度大大降低，从而影响了显示效果，因此有必要提供一种能够降低信号线反射现象的减反阵列基板的制备方法和由所述制备方法制备的减反阵列基板。
技术实现思路
本申请提供一种减反阵列基板的制备方法及其制备的减反阵列基板，以降低信号线反射现象。一种减反阵列基板的制备方法，包括：提供一衬底基板；配置一光阻溶液，所述光阻溶液包括丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂，所述丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂的质量百分比为：丙烯酸酯金属前驱体1％-30％，丙烯酸类树脂1％-40％、光起始剂0.5％-20％、溶剂20％-90％和助剂0％-5％；将光阻溶液涂布于所述衬底基板上形成一光阻层；采用黄光制程对所述光阻层进行处理，形成一图案化结构；对所述图案化结构进行热处理形成一减反导电结构，从而得到所述减反阵列基板。在申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中，所述丙烯酸酯金属前驱体的结构式为在申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中，所述丙烯酸类树脂为具有官能团的丙烯酸酯，所述官能团包括不饱和双键、环氧基、羟基、羧基中的一种或几种的组合。在申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中，所述丙烯酸类树脂为具有羧基或环氧基的丙烯酸酯，所述丙烯酸类树脂的分子量为5000-50000。在申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中，所述丙烯酸类树脂的酸价范围20mg/KOH-100mg/KOH。在申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中，所述热处理的温度为200摄氏度-700摄氏度，所述热处理的时间为10分钟-2小时。在申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中，所述热处理过程包括第一阶段和第二阶段，所述第一阶段的温度大于等于第二阶段的温度。在申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中，所述第一阶段的温度为400摄氏度-600摄氏度，所述第一阶段的时间为10分钟-30分钟，所述第二阶段的温度为200摄氏度-400摄氏度，所述第二阶段的时间为10分钟-30分钟。一种减反阵列基板，包括：衬底基板；减反导电结构，所述减反导电结构设置于所述衬底基板上，所述减反导电结构包括第一部分和第二部分，所述第一部分为多孔结构，所述第一部分包括若干孔隙，所述第二部分分散于所述孔隙中，所述第一部分和第二部分均为导电材料。在申请实施例所提供的减反阵列基板中，所述第一部分包括单质碳，所述第二部分包括单质铜。本申请实施方式所提供的减反阵列基板的制备方法，包括：提供一衬底基板；配置一光阻溶液，所述光阻溶液包括丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂；将光阻溶液涂布于所述衬底基板上形成一光阻层；采用黄光制程对所述光阻层进行处理，形成一图案化结构；对所述图案化结构进行热处理形成一减反导电结构，从而得到包括所述衬底基板和所述减反导电结构的所述减反阵列基板，所述减反导电结构作为减反阵列基板的信号线，从而避免了现有技术中的金属信号线对光线的反射，进而形成了具有减少光线反射的阵列基板。附图说明为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请提供的减反阵列基板的制备方法的流程示意图。图2为本申请提供的减反阵列基板的制备方法中的衬底基板的剖面图。图3为本申请提供的减反阵列基板的制备方法中的衬底基板和光阻层的剖面图。图4为本申请提供的减反阵列基板的制备方法中的衬底基板和图案化结构的剖面图。图5为本申请提供的减反阵列基板的制备方法所制备的减反阵列基板的剖面图。具体实施方式下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。请参阅图1，图1为本申请提供的减反阵列基板的制备方法的流程示意图。所述减反阵列基板的制备方法包括：101：提供一衬底基板10。请一并参阅图2，图2为本申请提供的减反阵列基板的制备方法中的衬底基板的剖面图。在一种实施例中，所述衬底基板10可以为玻璃。102：配置一光阻溶液，所述光阻溶液包括丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂，所述丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂的质量百分比为：丙烯酸酯金属前驱体1％-30％，丙烯酸类树脂1％-40％、光起始剂0.5％-20％、溶剂20％-90％和助剂0％-5％。在一种实施例中，所述丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂的质量百分比可以为：丙烯酸酯金属前驱体3％-15％，丙烯酸类树脂15％-20％、光起始剂2％-15％、溶剂20％-50％和助剂0％-2％。在一种实施例中，所述丙烯酸酯金属前驱体的结构式为在一种实施例中，所述丙烯酸类树脂为具有官能团的丙烯酸酯，所述官能团是不饱和双键、环氧基、羟基、羧基等中的一种或几种。所述丙烯酸类树脂可以为甲基丙烯酸酯、乙基丙烯酸酯、丙基丙烯酸酯、丁基丙烯酸酯、戊基丙烯酸酯、己基丙烯酸酯、乙基丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯等。所述甲基丙烯酸酯、乙基丙烯酸酯的碳原子数大于等于1，小于等于30、所述丙烯酸类树脂可以为具有羟基的丙烯酸酯，例如，2-羟基-2-乙基-1，3-丙二醇的二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷的二(甲基)丙烯酸酯等。所述丙烯酸类树脂可以为具有羟基的不饱和丙烯酸酯，例如，α-(羟甲基)丙酸乙烯酯。所述丙烯酸类树脂可以为乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、苯甲酸乙烯酯等。所丙烯酸类树脂可以为环氧丙烯酸酯，例如，(甲基)丙烯酸-2,3-环氧基戊酯、甲基丙烯酸-3,4-环氧基己酯、(甲基)丙烯酸-6,7-环氧基庚酯、(甲基)丙烯酸-2,3-环氧基环戊酯、甲基丙烯酸-3,4-环氧基环己酯、(甲基)丙烯酸-6,7-环氧基环庚酯等。所述丙烯酸类树脂可以具有羧基。具有羧基的所述丙烯酸类树脂可以碱溶。具有羧基的所述丙烯酸类树脂在显影阶段具有重要作用。所述丙烯酸类树脂还可以具有环氧基。具有环氧基的所述丙烯酸类树脂可以在链引发开环后，产生羧基。所述丙烯酸类树脂为具有羧基或环氧基的丙烯酸类树脂，所述丙烯酸类树脂的分子量为5000-50000。在一种实施例中，所述丙烯酸类树脂的分子量为20000。所述丙烯酸类树脂的酸价范围为20mg/KOH-100mg/KOH。在一种实施例中，所述丙烯酸类树脂的酸价范围可以为28mg/KOH-36mg/KOH。所述光起始剂可以为苯乙酮类化合物、咪唑类化合物、二苯酮类化合物、苯偶姻类化合物或酰基氧化膦衍生物中的一种或几种的组合。所述苯乙酮类化合物包括二乙氧基苯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种减反阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板；配置一光阻溶液，所述光阻溶液包括丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂，所述丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂的质量百分比为：丙烯酸酯金属前驱体1％‑30％，丙烯酸类树脂1％‑40％、光起始剂0.5％‑20％、溶剂20％‑90％和助剂0％‑5％；将光阻溶液涂布于所述衬底基板上形成一光阻层；采用黄光制程对所述光阻层进行处理，形成一图案化结构；对所述图案化结构进行热处理形成一减反导电结构，从而得到所述减反阵列基板。

【技术特征摘要】
1.一种减反阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板；配置一光阻溶液，所述光阻溶液包括丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂，所述丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂的质量百分比为：丙烯酸酯金属前驱体1％-30％，丙烯酸类树脂1％-40％、光起始剂0.5％-20％、溶剂20％-90％和助剂0％-5％；将光阻溶液涂布于所述衬底基板上形成一光阻层；采用黄光制程对所述光阻层进行处理，形成一图案化结构；对所述图案化结构进行热处理形成一减反导电结构，从而得到所述减反阵列基板。2.如权利要求1所述的减反阵列基板的制备方法，其特征在于，所述丙烯酸酯金属前驱体的结构式为3.如权利要求1所述的减反阵列基板的制备方法，其特征在于，所述丙烯酸类树脂为具有官能团的丙烯酸酯，所述官能团包括不饱和双键、环氧基、羟基、羧基中的一种或几种的组合。4.如权利要求3所述的减反阵列基板的制备方法，其特征在于，所述丙烯酸类树脂为具有羧基或环氧基的丙烯酸酯，所述丙烯酸类树脂的分子量为5000-50000。5.如权利要求4所述的减反阵列基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：张霞，刘刚，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44