一种高纯铌旋转靶制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高纯铌旋转靶，所述高纯铌旋转靶采用高纯铌材料制成，所述高纯铌旋转靶为管状结构，所述高纯铌旋转靶左侧端部设置有外螺纹，其右侧端部设置有内螺纹，所述外螺纹和内螺纹长度相等，所述外螺纹和内螺纹均为三角螺纹，且所述外螺纹和内螺纹的公称尺寸相等，所述外螺纹和内螺纹螺距相等，所述高纯铌旋转靶靠近外螺纹内侧端设置有第一圆弧形安装槽，所述高纯铌旋转靶靠近内螺纹内侧端设置有第二圆弧形安装槽。所述高纯铌旋转靶绕固定的条状磁铁组件旋转,因而360°靶面可被均匀刻蚀,利用率高达60％,管状靶材在长度方向上具有极佳的镀膜均匀性，结构简单、利用率高且使用方便。

【技术实现步骤摘要】
一种高纯铌旋转靶
本技术属于靶材
，具体涉及一种高纯铌旋转靶。
技术介绍
靶材是在溅射沉积技术中用作阴极的材料，能够在带正电荷的阳离子撞击下以分子、原子或离子的形式脱离阴极而在阳极表面重新沉积。靶材作为一种具有高附加值的特种电子材料，其被广泛用于溅射尖端技术的薄膜材料。铌溅射靶材主要应用于电子及信息产业,如集成电路、信息存储、液晶显示屏、激光存储器、电子控制器件等；还可应用于玻璃镀膜领域；还可以应用于耐磨材料、高温耐蚀、高档装饰用品等行业。信息技术的飞速发展，要求电路的集成度越来越高，电路中单元器件尺寸不断缩小，元件尺寸由毫米级到微米级，再到纳米级。每个单元器件内部由衬底、绝缘层、介质层、导体层及保护层等组成，其中，介质层、导体层甚至保护层都要用到溅射镀膜工艺，因此溅射靶材是制备集成电路的核心材料之一。镀膜用铌靶材纯度要求很高，一般在4N或5N以上，镀膜用靶材价格昂贵。随着铌溅射靶材应用领域特别是平板显示及玻璃镀膜工业的快速发展,铌溅射靶材需求量急剧增加，而且靶材尺寸也随玻璃基板尺寸的增大而越来越大。目前，轧制更大尺寸的溅射靶材在设备及技术上均超出了绝大多数靶材生产厂商的能力。平面靶材在溅射过程中只沿磁场回路发生刻蚀，在靶材表面形成“跑道”，靶材利用率最多在20％-30％，而且，面靶材需要频繁更换,难以进行连续生产。
技术实现思路
本技术解决了现有技术的不足，提供一种结构简单、利用率高且使用方便的高纯铌旋转靶。本技术所采用的技术方案是：一种高纯铌旋转靶，所述高纯铌旋转靶采用高纯铌材料制成，所述高纯铌旋转靶为管状结构，所述高纯铌旋转靶左侧端部设置有外螺纹，其所述高纯铌旋转靶右侧端部设置有内螺纹，所述外螺纹和内螺纹长度相等，且所述外螺纹和内螺纹均为三角螺纹，所述外螺纹和内螺纹的公称尺寸相等，所述外螺纹和内螺纹螺距相等，所述高纯铌旋转靶靠近外螺纹内侧端设置有第一圆弧形安装槽，所述高纯铌旋转靶靠近内螺纹内侧端设置有第二圆弧形安装槽。优选的，所述高纯铌旋转靶外螺纹外端部一侧设置有倒角。更优选的，若干个所述高纯铌旋转靶通过外螺纹和内螺纹的配合连接。进一步更优选的，所述高纯铌旋转靶外径为120mm、长度为650mm。相较于现有技术，本技术具有的有益效果：一种高纯铌旋转靶，所述高纯铌旋转靶采用高纯铌材料制成，高纯铌材料保证了金属薄膜材料的性能；所述高纯铌旋转靶为管状结构,所述高纯铌旋转靶绕固定的条状磁铁组件旋转,因而360°靶面可被均匀刻蚀,利用率高达60％,管状靶材在长度方向上具有极佳的镀膜均匀性,可以应用于大规模工业化连续生产线上；所述高纯铌旋转靶靠近外螺纹内侧端设置有第一圆弧形安装槽，所述高纯铌旋转靶靠近内螺纹内侧端设置有第二圆弧形安装槽,便于将高纯铌旋转靶安装固定到镀膜设备上，若干个所述高纯铌旋转靶通过外螺纹和内螺纹的配合连接，使高纯铌旋转靶长度大大扩大，克服了设备加工能力不足不能生产大规格高纯铌旋转靶的缺陷，装配简单，使用方便。附图说明图1是本技术结构示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本技术进行详细说明。一种高纯铌旋转靶，参阅图1，所述高纯铌旋转靶采用高纯铌材料制成，高纯铌材料保证了金属薄膜材料的性能，所述高纯铌旋转靶为管状结构，所述高纯铌旋转靶绕固定的条状磁铁组件旋转,因而360°靶面可被均匀刻蚀,利用率高达60％,管状靶材在长度方向上具有极佳的镀膜均匀性,可以应用于大规模工业化连续生产线上，所述高纯铌旋转靶外径为120mm、长度为650mm，所述高纯铌旋转靶左侧端部设置有外螺纹1，其所述高纯铌旋转靶右侧端部设置有内螺纹4，所述外螺纹1和内螺纹4长度相等，且所述外螺纹1和内螺纹4均为三角螺纹，所述外螺纹1和内螺纹4的公称尺寸相等，所述外螺纹1和内螺纹4螺距相等，所述高纯铌旋转靶靠近外螺纹内侧端设置有第一圆弧形安装槽2，所述高纯铌旋转靶靠近内螺纹内侧端设置有第二圆弧形安装槽3，便于将高纯铌旋转靶安装固定到镀膜设备上。将2个所述高纯铌旋转靶通过外螺纹1和内螺纹4配合连接，使高纯铌旋转靶长度大大扩大，克服了设备加工能力不足不能生产大规格高纯铌旋转靶的缺陷，装配简单，使用方便。所述高纯铌旋转靶外螺纹1端部设置有倒角，便于将2个所述高纯铌旋转靶配合连接，即将一个高纯铌旋转靶外螺纹1和另一个高纯铌旋转靶内螺纹4连接配合。使用时，通过所述高纯铌旋转靶靠近外螺纹内侧端设置的第一圆弧形安装槽2、所述高纯铌旋转靶靠近内螺纹内侧端设置的第二圆弧形安装槽3，将高纯铌旋转靶安装固定到镀膜设备上，进行镀膜。生产时，将铌管坯进行加热；向加热后的铌管坯表面喷涂玻璃粉，将喷涂玻璃粉后的铌管坯进行热挤压，将热挤压后的铌管坯进行酸洗；将酸洗后的铌管坯进行热处理；将热处理后的靶材进行机械加工，得到高纯铌旋转靶。上述实施例，只是本技术的较佳实施例，并非用来限制本技术的实施范围，故凡以本技术权利要求所述内容所做的等同变化，均应包括在本技术权利要求范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高纯铌旋转靶，其特征在于，所述高纯铌旋转靶采用高纯铌材料制成，所述高纯铌旋转靶为管状结构，所述高纯铌旋转靶左侧端部设置有外螺纹(1)，其右侧端部设置有内螺纹(4)，所述外螺纹(1)和内螺纹(4)长度相等，且所述外螺纹(1)和内螺纹(4)均为三角螺纹，所述外螺纹(1)和内螺纹(4)的公称尺寸相等，所述外螺纹(1)和内螺纹(4)螺距相等，所述高纯铌旋转靶靠近外螺纹(1)内侧端设置有第一圆弧形安装槽(2)，所述高纯铌旋转靶靠近内螺纹(4)内侧端设置有第二圆弧形安装槽(3)。

【技术特征摘要】
1.一种高纯铌旋转靶，其特征在于，所述高纯铌旋转靶采用高纯铌材料制成，所述高纯铌旋转靶为管状结构，所述高纯铌旋转靶左侧端部设置有外螺纹(1)，其右侧端部设置有内螺纹(4)，所述外螺纹(1)和内螺纹(4)长度相等，且所述外螺纹(1)和内螺纹(4)均为三角螺纹，所述外螺纹(1)和内螺纹(4)的公称尺寸相等，所述外螺纹(1)和内螺纹(4)螺距相等，所述高纯铌旋转靶靠近外螺纹(1)内侧端设置有第一圆弧...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐宝明，
申请(专利权)人：陕西中北泰钽铌金属材料有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西,61