具有反射性侧涂层的半导体发光器件制造技术

一种半导体发光器件（100；200；300；400；400B；400C；500；600；700），其可以具有布置在半导体发光器件结构的侧壁（118；215；315；415；435；515）上的反射性侧涂层（120；220；320；420；520；620；720）。这样的器件可以通过切割半导体结构以分离半导体发光器件结构并且然后在分离的半导体发光器件结构的侧壁（118；215；315；415；435；515）上形成反射性侧涂层（120；220；320；420；520；620；720）来制备。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有反射性侧涂层的半导体发光器件相关申请的交叉引用本申请要求在2015年8月3日提交的申请号为No.62/200490、标题为“具有侧反射器的发光器件”的共同未决的美国临时专利申请的优先权，该申请的全部内容以引用的方式结合到本文中。
技术介绍
理想的扩散辐射体按照定义发射具有朗伯分布（即其中所发射的辐射强度或发光强度与观察者的方向和垂直于发射表面的矢量之间的角度的余弦成比例的分布）的辐射。通常期望至少近似地产生朗伯光照的真实光源，但是诸如发光二极管（LED）的半导体发光器件一般产生明显不同于朗伯光照的辐射图案。例如，典型的LED芯片具有盒形并且从五个面发光，当芯片的底面附接到基底时，具体是顶面和四个侧面。来自这些五侧发射体的侧面的光发射通常引起所发射的辐射图案比朗伯分布宽，即离法线更大角度处比朗伯分布更亮。一侧（one-sided）半导体发射体，即只从一个表面发光的器件，可以产生具有接近朗伯辐射图案或容易转换成朗伯辐射图案的角分布的光照。
技术实现思路
根据本专利技术的一方面，可以由五侧发射体（例如安装好的六面LED芯片）创建一侧发射体，而不显著增加发射体的物理尺寸。在一些实施方式中，薄膜反射本文档来自技高网...

【技术保护点】
1. 一种结构，包括：半导体发光器件；以及布置在半导体发光器件的侧壁上的反射薄膜涂层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.03 US 62/200,4901.一种结构，包括：半导体发光器件；以及布置在半导体发光器件的侧壁上的反射薄膜涂层。2.根据权利要求1所述的结构，其中所述反射薄膜涂层具有不大于50微米的厚度。3.根据权利要求1所述的结构，其中所述反射薄膜涂层包括多层结构。4.根据权利要求2所述的结构，其中所述反射薄膜涂层包括布拉格反射器。5.根据权利要求1所述的结构，其中所述侧壁和所述半导体发光器件的发光区域之间的角度不同于90°。6.根据权利要求1所述的结构，还包括布置在所述半导体发光器件的顶部表面的波长转换元件，其中所述反射薄膜涂层延伸到波长转换元件上。7.根据权利要求1所述的结构，其中所述半导体发光器件包括：管芯；以及在管芯的侧面上并且限定侧壁的形状的透明层，所述薄膜反射涂层布置在侧壁上。8.根据权利要求7所述的结构，其中所述透明层包括具有折射率的多孔材料，所述折射率变化以对从管芯发射的光执行光学功能。9...

【专利技术属性】
技术研发人员：哈萨史·马隋，O·B·斯彻金，肯·史密祖，列克斯·科索夫斯基，肯·戴维斯，
申请(专利权)人：亮锐控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL