曝光方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件制造技术领域，公开了一种曝光方法，该曝光方法包括：通过待曝光物中的样本物获取适配于补偿段差图形线宽差的补偿曝光参数；按照所述补偿曝光参数对所述待曝光物中的目标物进行补偿曝光。在正式曝光之前，根据样本物确定段差图形线宽差所对应的补偿曝光参数，对目标物预先进行补偿曝光，由此，减小了后续正式曝光后所获得的图形中存在的线宽差，以获得线宽均一的图形，提高了产品良率。

【技术实现步骤摘要】
曝光方法
本专利技术涉及半导体器件制造
，具体涉及一种曝光方法。
技术介绍
曝光指的是使用特定波长的光对覆盖衬底或基板或金属层等的光刻胶进行选择性的照射的工艺。曝光后，光刻胶中的感光剂会发生光化学反应，从而使得光刻胶被照射区域(感光区域)固化，在后续显影工序中能够将特定区域的光刻胶溶解于显影液中，曝光图形就可以显现出来。随着半导体行业的不断发展，曝光工艺已经成为半导体器件制造过程中的一个至关重要的步骤。
技术实现思路
本专利技术提供了一种曝光方法，包括以下步骤：通过待曝光物中的样本物获取适配于补偿段差图形线宽差的补偿曝光参数；按照所述补偿曝光参数对所述待曝光物中的目标物进行补偿曝光。在其中一个实施例中，所述通过待曝光物中的样本物获取适配于补偿段差图形线宽差的补偿曝光参数的步骤包括：对所述样本物的第一区域进行第一次曝光；对所述样本物的第二区域和所述第一区域进行第二次曝光；确定所述第二区域和所述第一区域的线宽差；调整第一次曝光的曝光参数，降低所述线宽差，得到所述目标物的补偿曝光参数。在其中一个实施例中，所述补偿曝光参数包括曝光量。根据曝光量调整线宽差，控制方式更加简单、直接，调节过程更加便捷。在其中一个实施例中，所述调整第一次曝光的曝光参数的步骤包括：判断所述线宽差是否在预设误差范围内；当所述线宽差在所述预设误差范围内时，保持第一次曝光时的当前曝光量，将所述当前曝光量作为所述目标物的补偿曝光参数；当所述线宽差大于所述预设误差范围时，则减小第一次曝光时的曝光量；当所述线宽差小于所述预设误差范围时，则增大第一次曝光时的曝光量。上述调整过程较为简单，易实施。在其中一个实施例中，所述预设误差范围为-0.1um～0.1um，能够很好地在满足设计要求的前提下降低制作难度。在其中一个实施例中，所述确定第二区域和第一区域的线宽差的步骤包括：通过显影工艺将被曝光的光刻胶溶解；获取未被曝光的光刻胶的图形；测量所述第二区域和第一区域的线宽；获取所述第二区域和第一区域的线宽差。上述步骤操作简单，易实施。在其中一个实施例中，采用第一掩膜板进行第一次曝光；所述第一掩膜版的遮光区包括所述样本物的所述第二区域。对第一区域进行第一次曝光，以减小第一区域光刻胶的厚度，尽可能保证第二区域和第一区域的光刻胶厚度一致以及后续图形的线宽差异较小。在其中一个实施例中，采用第一掩膜板进行第一次曝光，采用第二掩膜板进行第二次曝光；其中，所述第一掩膜版的遮光区包括所述样本物的所述第二区域和所述第二掩膜版的遮光区。在第一次曝光时，对第一区域进行补偿曝光的同时，还对第二掩膜版对应的透光区进行预曝光，由此，实现减小线宽差异的同时，还对第二掩膜版所对应的目标图形进行预曝光，提高了最终的曝光效果。在其中一个实施例中，还包括：对所述目标物进行正式曝光。在正式曝光之前，根据段差图形线宽差所对应的补偿曝光参数，对目标物预先进行补偿曝光，由此，减小了后续正式曝光后所获得的图形中存在的线宽差，以获得线宽均一的图形，提高了产品良率。在其中一个实施例中，还包括：所述正式曝光步骤所用的曝光掩膜为所述第二掩膜板，通过共用第二掩膜板降低生产成本。本专利技术的技术方案，具有如下优点：1.本专利技术实施例提供的曝光方法，包括以下步骤：通过待曝光物中的样本物获取适配于补偿段差图形线宽差的补偿曝光参数；按照补偿曝光参数对待曝光物中的目标物进行补偿曝光。在正式曝光之前，根据段差图形线宽差所对应的补偿曝光参数，对目标物预先进行补偿曝光，由此，减小了后续正式曝光后所获得的图形中存在的线宽差，以获得线宽均一的图形，提高了产品良率。2.本专利技术实施例提供的曝光方法，通过待曝光物中的样本物获取适配于补偿段差图形线宽差的补偿曝光参数的步骤包括：对所述样本物的第一区域进行第一次曝光；对所述样本物的第二区域和所述第一区域进行第二次曝光；确定所述第二区域和所述第一区域的线宽差；调整第一次曝光的曝光参数，降低所述线宽差，得到所述目标物的补偿曝光参数。第二区域指表面不平整的目标物表面相对凸起的区域，第一区域则指表面相对凹陷的区域。曝光前，涂布在目标物表面的光刻胶会由于自身重力而自流平，导致第一区域的光刻胶厚度大于第二区域的光刻胶厚度。本专利技术的上述步骤中，第一区域受到了两次曝光，第二区域受到一次曝光，即光刻胶厚的区域进行了两次曝光，光刻胶薄的区域进行一次曝光，由此，有效改善了传统中的因薄胶和厚胶采用同样的曝光量而导致显影后的图形线宽差异大的问题。两次曝光之后，通过确定好的第二区域和第一区域的线宽差重新调整第一次曝光的曝光参数，以进一步缩小线宽差，重新调整后的曝光参数即作为补偿曝光参数。由此，可进一步的对补偿曝光参数进行调整，以便获得更小的图形线宽差。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为第二区域、第一区域以及段差图形的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的曝光方法的流程图；图3为本专利技术实施例提供的曝光方法中步骤S11的流程图；图4为本专利技术实施例提供的曝光方法中步骤S113的流程图；图5为本专利技术实施例提供的曝光方法的具体示例中已有的结构图；图6为本专利技术实施例提供的曝光方法的具体示例中第一掩膜版的结构图；图7为本专利技术实施例提供的曝光方法的具体示例中第二掩膜版的结构图；图8为本专利技术实施例提供的曝光方法的具体示例中最终形成的结构图。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，下面所描述的本专利技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。随着半导体行业的不断发展，曝光工艺已经成为半导体器件制造过程中的一个至关重要的步骤。但是，专利技术人发现，目前即使通过图案化来形成与目标尺寸相同尺寸的光刻胶图形，在显影以及刻蚀后形成的图案的尺寸也会与所希望得到的图案尺寸不完全一致。尤其是在基板上形成堆叠的多层图形时，由于图形存在段差，导致涂布完光刻胶之后，尚未来得及固化的液态光刻胶会自流平，使得有段差存在的区域的光刻胶厚度小于没有段差存在的区域的光刻胶厚度。因此，接收同样的曝光量之后再显影，薄胶和厚胶得到的图形的线宽会存在差异。需要说明的是，如图1所示，文中提及的第二区域指的是表面不平整的目标物表面相对凸起的区域a，第一区域指的是表面相对凹陷的区域b。曝光前，涂布在目标物表面的光刻胶会由于自身重力而自流平，导致第一区域的光刻胶厚度大于第二区域的光刻胶厚度，即，第一区域的是光刻胶为厚胶，第二区域的光刻胶为薄胶。当薄胶和厚胶接收同样的曝光量后再显影获得的图形存在线宽差异。文中所提及的段差图形指的是横跨第二区域和第一区域的图形c，即在段差图形上易存在上述线宽差异。实施例本专利技术实施例提供了一种曝光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种曝光方法，其特征在于，包括以下步骤：通过待曝光物中的样本物获取适配于补偿段差图形线宽差的补偿曝光参数；按照所述补偿曝光参数对所述待曝光物中的目标物进行补偿曝光。

【技术特征摘要】
1.一种曝光方法，其特征在于，包括以下步骤：通过待曝光物中的样本物获取适配于补偿段差图形线宽差的补偿曝光参数；按照所述补偿曝光参数对所述待曝光物中的目标物进行补偿曝光。2.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述通过待曝光物中的样本物获取适配于补偿段差图形线宽差的补偿曝光参数的步骤包括：对所述样本物的第一区域进行第一次曝光；对所述样本物的第二区域和所述第一区域进行第二次曝光；确定所述第二区域和所述第一区域的线宽差；调整第一次曝光的曝光参数，降低所述线宽差，得到所述目标物的补偿曝光参数。3.根据权利要求2所述的曝光方法，其特征在于，所述补偿曝光参数包括曝光量。4.根据权利要求3所述的曝光方法，其特征在于，所述调整第一次曝光的曝光参数的步骤包括：判断所述线宽差是否在预设误差范围内；当所述线宽差在所述预设误差范围内时，保持第一次曝光时的当前曝光量，将所述当前曝光量作为所述目标物的补偿曝光参数；当所述线宽差大于所述预设误差范围时，则减小第一次曝光时的曝光量；当所述线宽差小于所述预设...

【专利技术属性】
技术研发人员：张振宇，晁伟，郭易东，郭志林，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北,13