薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，薄膜晶体管的制作方法包括：在形成与所述薄膜晶体管的电极接触的无机绝缘膜层时，以大于9kW的功率沉积所述无机绝缘膜层，使得所述无机绝缘膜层的应力值降低至阈值以下。通过本发明专利技术的技术方案，能够改善导电图形与无机绝缘膜层之间应力不匹配的问题，提高显示产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是指一种薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
随着薄膜晶体管显示器的尺寸越来越大，电阻电容延迟效应(RCdelay)的问题变得越来越严重。由于铜导线具有电阻率低，电迁移率高等特点，可以显著的降低电阻电容延迟效应，提高薄膜晶体管的运行速度，满足高端显示器件的要求，因此铜导线技术成为薄膜晶体管的发展趋势。但是在使用铜导线的工艺过程中会产生很多问题，比如在氧化物薄膜晶体管中，需要在铜导线上沉积无机绝缘膜层，无机绝缘膜层一般包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅，但是由于铜导线和无机绝缘膜层之间的应力不匹配，铜导线和无机绝缘膜层之间会存在应力Gap(差值)，导致引起无机绝缘膜层鼓包的高发，进而引起DGS(源漏金属层图形和栅金属层图形之间短路)等一系列的不良，最终会严重的降低显示产品的良率。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置，能够改善导电图形与无机绝缘膜层之间应力不匹配的问题，提高显示产品的良率。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：在形成与所述薄膜晶体管的电极接触的无机绝缘膜层时，以大于9kW的功率沉积所述无机绝缘膜层，使得所述无机绝缘膜层的应力值降低至阈值以下，所述阈值为80MPa。进一步地，所述薄膜晶体管形成在基板上，在沉积所述无机绝缘膜层之前，所述制作方法还包括：对待沉积所述无机绝缘膜层的基板表面进行等离子体处理。进一步地，所述无机绝缘膜层包括SiNx，沉积所述无机绝缘膜层包括：在340℃-360℃的温度下，以14kW-19kW的功率，以及N2:NH3:SiH4＝14:5:1的气体比沉积SiNx。进一步地，所述对待沉积所述无机绝缘膜层的基板表面进行等离子体处理包括：采用功率为6kW-12kW，气体比为N2:NH3＝2-4的等离子体对待沉积的基板处理30-40s。进一步地，所述薄膜晶体管的电极采用Cu。本专利技术实施例还提供了一种薄膜晶体管，采用如上所述的制作方法制作得到。本专利技术实施例还提供了一种显示基板的制作方法，包括：在形成与所述显示基板的导电图形接触的无机绝缘膜层时，以大于9kW的功率沉积所述无机绝缘膜层，使得所述无机绝缘膜层的应力值降低至阈值以下，所述阈值为80MPa。进一步地，在沉积所述无机绝缘膜层之前，所述制作方法还包括：对待沉积所述无机绝缘膜层的基板表面进行等离子体处理。进一步地，所述无机绝缘膜层包括SiNx，沉积所述无机绝缘膜层包括：在340℃-360℃的温度下，以14kW-19kW的功率，以及N2:NH3:SiH4＝14:5:1的气体比沉积SiNx。进一步地，所述对待沉积所述无机绝缘膜层的基板表面进行等离子体处理包括：采用功率为6kW-12kW，气体比为N2:NH3＝2-4的等离子体对待沉积的基板处理30-40s。进一步地，所述导电图形采用Cu。本专利技术实施例还提供了一种显示基板，采用如上所述的制作方法制作得到。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。本专利技术的实施例具有以下有益效果：上述方案中，在形成与薄膜晶体管的电极接触的无机绝缘膜层时，以大于9kW的功率沉积无机绝缘膜层，使得无机绝缘膜层的应力值降低至阈值以下，所述阈值为80MPa，这样能够降低无机绝缘膜层与薄膜晶体管的电极之间的应力差值，改善薄膜晶体管的电极与无机绝缘膜层之间应力不匹配的问题，减低无机绝缘膜层鼓包的发生概率，提高薄膜晶体管的良率。附图说明图1为本专利技术实施例薄膜晶体管的制作方法的示意图；图2为本专利技术实施例制作的氧化物薄膜晶体管的截面示意图。附图标记1衬底基板21、22栅极3第一栅绝缘层4第二栅绝缘层5有源层6层间绝缘层71源极72漏极8钝化层具体实施方式为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本专利技术的实施例针对现有技术中由于铜导线和无机绝缘膜层之间的应力不匹配，铜导线和无机绝缘膜层之间会存在应力Gap，导致引起无机绝缘膜层鼓包的高发，进而引起DGS等一系列的不良，最终会严重的降低显示产品的良率的问题，提供一种薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置，能够改善导电图形与无机绝缘膜层之间应力不匹配的问题，提高显示产品的良率。本专利技术的实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法，如图1所示，包括：步骤101：在形成与所述薄膜晶体管的电极接触的无机绝缘膜层时，以大于9kW的功率沉积所述无机绝缘膜层，使得所述无机绝缘膜层的应力值降低至阈值以下，所述阈值为80MPa。其中，应力是应变和弹性模量的乘积，单位为N/mm2。应力值是物体由于外因(受力、湿度、温度场变化等)而变形时，在物体内各部分之间产生相互作用的内力，以抵抗这种外因的作用，并试图使物体从变形后的位置恢复到变形前的位置。在所考察的截面某一点单位面积上的内力称为应力，同截面垂直的称为正应力或法向应力，同截面相切的称为剪应力或切应力。本实施例中，在形成与薄膜晶体管的电极接触的无机绝缘膜层时，以大于9kW的功率沉积无机绝缘膜层，使得无机绝缘膜层的应力值降低至阈值以下，所述阈值为80MPa，这样能够降低无机绝缘膜层与薄膜晶体管的电极之间的应力差值，改善薄膜晶体管的电极与无机绝缘膜层之间应力不匹配的问题，减低无机绝缘膜层鼓包的发生概率，提高薄膜晶体管的良率。进一步地，所述薄膜晶体管形成在基板上，在沉积所述无机绝缘膜层之前，所述制作方法还包括：对待沉积所述无机绝缘膜层的基板表面进行等离子体处理。对待沉积无机绝缘膜层的基板表面进行等离子体处理，一方面可以提高待沉积无机绝缘膜层的基板表面粘附性，另一方面可以进一步降低无机绝缘膜层的应力值。一具体实施例中，所述无机绝缘膜层包括SiNx，沉积所述无机绝缘膜层包括：在340℃-360℃的温度下，以14kW-19kW的功率，以及N2:NH3:SiH4＝14:5:1的气体比沉积SiNx。一具体实施例中，所述对待沉积所述无机绝缘膜层的基板表面进行等离子体处理包括：采用功率为6kW-12kW，气体比为N2:NH3＝2-4的等离子体对待沉积的基板处理30-40s。由于铜具有电阻率低，电迁移率高等特点，可以显著的降低电阻电容延迟效应，提高薄膜晶体管的运行速度，满足高端显示器件的要求，因此，所述薄膜晶体管的电极优选采用Cu，当然，薄膜晶体管的电极并不局限于采用Cu，还可以采用其他金属，比如Ag和Al。在薄膜晶体管的电极采用金属Cu，无机绝缘膜层采用SiNx时，Cu的应力值一般为300Mpa，采用现有技术制备的无机绝缘膜层的应力值一般为400MPa，电极的应力方向与无机绝缘膜层的应力方向相反，因此两者之间的应力差值等于两者应力值之和，即应力Gap为700Mpa左右，在采用本实施例的技术方案后，无机绝缘膜层的应力值可以降到80MPa以下，这样可以使得无机绝缘膜层与电极之间的应力Gap降到380Mpa以下，改善薄膜晶体管的电极与无机绝缘膜层之间应力不匹配的问题，减低无机绝缘膜层鼓包的发生概率，提高薄膜晶体管的良率。通常地，采用本实施例的技术方案后，可以将无机绝缘膜层与电极之间的应力Gap控制在350～本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在形成与所述薄膜晶体管的电极接触的无机绝缘膜层时，以大于9kW的功率沉积所述无机绝缘膜层，使得所述无机绝缘膜层的应力值降低至阈值以下。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在形成与所述薄膜晶体管的电极接触的无机绝缘膜层时，以大于9kW的功率沉积所述无机绝缘膜层，使得所述无机绝缘膜层的应力值降低至阈值以下。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管形成在基板上，在沉积所述无机绝缘膜层之前，所述制作方法还包括：对待沉积所述无机绝缘膜层的基板表面进行等离子体处理。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述无机绝缘膜层包括SiNx，沉积所述无机绝缘膜层包括：在340℃-360℃的温度下，以14kW-19kW的功率，以及N2:NH3:SiH4＝14:5:1的气体比沉积SiNx。4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对待沉积所述无机绝缘膜层的基板表面进行等离子体处理包括：采用功率为6kW-12kW，气体比为N2:NH3＝2-4的等离子体对待沉积的基板处理30-40s。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的电极采用Cu。6.一种薄膜晶体管，其特征在于，采用如权利要求1-5中任一项所述的制作方法制作得到。7.一种显示基...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏同上，王东方，王庆贺，闫梁臣，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34