一种氧化镓欧姆接触电极的制备方法技术

本发明专利技术属于半导体器件欧姆接触电极制作技术领域，提供了一种氧化镓欧姆接触电极的制备方法，步骤如下：步骤1、在氧化镓层上依次预沉积镁层和金层，镁层的厚度为1nm～1mm，金层的厚度为1nm～1mm；步骤2、将上述样品进行热处理，热处理的条件如下：热处理温度为100℃～800℃；热处理时间为30s～3600s；热处理压强为1×10‑6Pa～1×106Pa；热处理气氛为真空或惰性气体；步骤3、温度降到室温后，取出，即为氧化镓欧姆接触电极。本发明专利技术创新在于设计了一种基于镁金合金的新型氧化镓欧姆接触电极，其制备工艺简单，对氧化镓材料无损伤，特别适用于研制电子浓度较低的氧化镓基器件。

Preparation method of gallium oxide ohmic contact electrode

The invention belongs to the technical field of making ohmic contact electrodes for semiconductor devices, and provides a preparation method of ohmic contact electrodes for gallium oxide. The steps are as follows: 1. Predepositing magnesium layer and gold layer on the gallium oxide layer successively, the thickness of magnesium layer is 1 nm-1 mm, and the thickness of gold layer is 1 nm-1 mm; 2. Thermal treatment of the above-mentioned samples. The conditions of heat treatment are as follows: heat treatment temperature is 100 800 heat treatment time is 30s 3600s; heat treatment pressure is 1 10_6Pa 1 106 Pa; heat treatment atmosphere is vacuum or inert gas; step 3, after the temperature is lowered to room temperature, it is taken out as the ohmic contact electrode of gallium oxide. The invention is innovative in designing a new type of gallium oxide ohmic contact electrode based on magnesium-gold alloy. The preparation process is simple, and the gallium oxide material is nondestructive. It is especially suitable for developing gallium oxide-based devices with low electron concentration.

【技术实现步骤摘要】
一种氧化镓欧姆接触电极的制备方法
本专利技术属于半导体器件欧姆接触电极制作
，尤其涉及一种新型氧化镓欧姆接触电极的制备方法。
技术介绍
以氧化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料因其禁带宽度大、击穿场强高、电子饱和漂移速度高、耐腐蚀和抗辐照等突出优点，在制作高效率紫外探测器、气体传感器、友好型生物传感器，以及高频、高功率、抗辐射等电子器件方面具有重要应用，具有电子或者空穴导电特性的氧化镓材料是制备上述各类器件的基础，也是当今氧化镓材料制备领域的研究热点。非掺杂的氧化镓材料大多表现出高电阻率特性，可通过掺入适量施主型掺杂剂使得其表现出电子导电特性，与此同时其电阻率得以显著降低。获得良好的欧姆接触是研制和应用氧化镓基器件的前提条件。目前制备氧化镓欧姆接触电极的方法主要利用的是隧穿机制。该技术路线的特点是，将与金属电极接触的氧化镓材料近表面局部区域进行重掺杂，提高电子浓度，金属与半导体接触后，利用电子的隧穿效应，实现欧姆接触特性。相比之下，其工艺较为复杂，且重掺杂后对材料晶体质量的损伤严重。此外，也有利用金属材料与氧化镓反应，在氧化镓表面制造氧空位的方法来增加电子浓度、实现电子隧穿，进而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化镓欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，步骤如下：步骤1、在氧化镓层(1)上依次预沉积镁层(2)和金层(3)，镁层(2)的厚度为1nm～1mm，金层(3)的厚度为1nm～1mm；步骤2、将上述样品进行热处理，热处理的条件如下：热处理温度为100℃～800℃；热处理时间为30s～3600s；热处理压强为1×10‑6Pa～1×106Pa；热处理气氛为真空、惰性气体中的一种或两种以上组合；步骤3、温度降到室温后，取出，即为氧化镓欧姆接触电极。

【技术特征摘要】
1.一种氧化镓欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，步骤如下：步骤1、在氧化镓层(1)上依次预沉积镁层(2)和金层(3)，镁层(2)的厚度为1nm～1mm，金层(3)的厚度为1nm～1mm；步骤2、将上述样品进行热处理，热处理的条件如下：热处理温度为100℃～800℃；热处理时间为30s～3600s；热处理压强为1×10-6Pa～1×106Pa；热处理气氛为真空、惰性气体中的一种或两种以上组合；步骤3、温度降到室温后，取出，即为氧化镓欧姆接触电极。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的镁层(2)的厚度为20nm～1000nm；所述的金层(3)的厚度为20nm～1000nm。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述的热处理的条件如下：热处理温度为300℃～600℃；热处理时间为120s～600s；热处理压强为1...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏晓川，梁红伟，张贺秋，柳阳，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：辽宁,21