扇出封装工艺中的对准凸块制造技术

一种方法包括将第一封装组件和第二封装组件放置在载体上方。第一封装组件的第一导电柱和第二封装组件的第二导电柱朝向载体。该方法还包括将第一封组件和第二封装组件密封在密封材料中；将第一封装组件和第二封装组件从载体脱粘；平坦化第一导电柱、第二导电柱和密封材料，以及形成再分布线以电连接至第一导电柱和第二导电柱。本发明专利技术实施例涉及一种封装件及其形成方法，更具体地，涉及扇出封装工艺中的对准凸块。

Alignment bump in fan-out packaging process

One method includes placing the first package component and the second package component above the carrier. The first conductive column of the first package assembly and the second conductive column of the second package assembly are oriented towards the carrier. The method also includes sealing the first package assembly and the second package assembly in the sealing material, debonding the first package assembly and the second package assembly from the carrier, flattening the first conductive column, the second conductive column and the sealing material, and forming a redistribution wire to electrically connect the first conductive column and the second conductive column. The embodiment of the present invention relates to a package and its forming method, and more specifically to an alignment bump in a fan-out packaging process.

【技术实现步骤摘要】
扇出封装工艺中的对准凸块
本专利技术实施例涉及扇出封装工艺中的对准凸块。
技术介绍
随着半导体技术的进步，半导体芯片/管芯变得越来越小。同时，更多的功能需要集成到半导体管芯中。因此，半导体管芯需要将越来越多的I/O焊盘封装到更小的区域中，并且因此随着时间的推移，I/O焊盘的密度迅速提升。结果，半导体管芯的封装变得更加困难，这会对封装产量产生不利影响。传统的封装技术可以划分为两类。在第一类中，在切割晶圆上的管芯之前封装晶圆上的管芯。这种封装技术具有诸如更大的生产量和更低的成本的一些有利的特征。此外，需要较少的底部填充物或模塑料。然而，这种封装技术还具有缺陷。由于管芯的尺寸正变得越来越小，并且相应的封装件仅可以是扇入型封装件，其中，每个管芯的I/O焊盘限制于位于相应管芯的表面正上方的区域。由于管芯的面积有限，I/O焊盘的数量由于I/O焊盘的间距的限制而受到限制。如果焊盘的间距减小，则可能发生焊料桥接。此外，在固定的焊球尺寸需求下，焊球必须具有特定的尺寸，这进而限制可以封装在管芯表面上的焊球的数量。在另一类封装中，在封装管芯之前从晶圆切割管芯。该封装技术的有利特征是形成扇出封装件的可能性，这意味着管芯上的I/O焊盘可以分布至比管芯更大的区域，并且因此可以增加封装在管芯表面上的I/O焊盘的数量。该封装技术的另一有利特征是封装“已知良好管芯”，以及丢弃缺陷管芯，并且因此成本和精力不会浪费在缺陷管芯上。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，提供了一种形成封装件的方法，包括：在载体上方放置第一封装组件和第二封装组件，其中，所述第一封装组件的第一导电柱和所述第二封装组件的第二导电柱面向所述载体；将所述第一封组件和所述第二封装组件密封在密封材料中；将所述第一封装组件和所述第二封装组件从所述载体脱粘；平坦化所述第一导电柱、所述第二导电柱和所述密封材料，以及形成再分布线以电连接至所述第一导电柱和所述第二导电柱。在上述方法中，当实施所述密封时，所述第一导电柱和所述第二导电柱的表面对准至相同的平面。在上述方法中，还包括：在所述载体和所述第一封装组件之间并且在所述载体和所述第二封装组件之间分配底部填充物，其中，在所述平坦化中，也平坦化所述底部填充物。在上述方法中，还包括：在所述载体上方形成多个金属焊盘；将所述第一导电柱和所述第二导电柱接合至所述多个金属焊盘；以及从所述第一导电柱和所述第二导电柱去除所述多个金属焊盘。在上述方法中，所述去除包括对所述多个金属焊盘实施化学机械抛光或机械研磨。在上述方法中，还包括：在所述载体上方形成模板膜，其中，所述第一导电柱和所述第二导电柱插入到所述模板膜中；以及去除所述模板膜。在上述方法中，去除所述模板膜包括对所述模板膜实施化学机械抛光或机械研磨。根据本专利技术的另一些实施例，还提供了一种形成封装件的方法，包括：在载体上方形成多个金属焊盘；将第一封装组件的第一导电柱和第二封装组件的第二导电柱接合至多个金属焊盘；在所述第一封装组件和所述第二封装组件下方分配底部填充物；将所述第一封装组件和所述第二封装组件密封在密封材料中以形成复合晶圆；从所述载体上脱粘所述复合晶圆；以及对所述第一封装组件和所述第二封装组件、所述底部填充物和所述密封材料实施第一平坦化以去除所述多个金属焊盘。在上述方法中，所述第一导电柱和所述第二导电柱通过焊料区接合至所述多个金属焊盘。在上述方法中，在所述第一平坦化之后，去除所述焊料区以暴露所述第一导电柱和所述第二导电柱的表面。在上述方法中，在所述第一平坦化之后，所述焊料区的残留部分保留在所述第一导电柱和所述第二导电柱中的一个的侧壁上。在上述方法中，还包括在所述脱粘之前，对所述密封材料实施第二平坦化以暴露所述第一封装组件和所述第二封装组件中的至少一个。在上述方法中，还包括：当形成所述多个金属焊盘时，形成多个引导带，其中，所述多个引导带引导所述底部填充物从所述第一封装组件流向所述第二封装组件。在上述方法中，还包括：在所述第一平坦化中去除所述多个引导带。根据本专利技术的又一些实施例，还提供了一种封装件，包括：第一封装组件和第二封装组件；密封材料，将所述第一封装组件和所述第二封装组件密封在所述密封材料中；介电层，位于所述密封材料上方并接触所述密封材料；底部填充物，包括：第一部分，位于所述第一封装组件和所述介电层之间，其中，所述第一封装组件的第一导电柱位于所述底部填充物中，并且所述底部填充物的上部比所述底部填充物的下部更宽；以及第二部分，位于所述第二封装组件和所述介电层之间，其中，所述第二封装组件的第二导电柱位于所述底部填充物中；以及再分布线，延伸到所述介电层中以接触所述第一导电柱和所述第二导电柱。在上述封装件中，所述第一导电柱和所述第二导电柱具有不同的长度。在上述封装件中，所述底部填充物包括：第一球形颗粒；以及第一部分颗粒，接触所述介电层。在上述封装件中，所述密封材料包括：第二球形颗粒；以及第二部分颗粒，接触所述介电层。在上述封装件中，所述第一封装组件包括器件管芯。在上述封装件中，所述底部填充物横向延伸超过所述第一封装组件的边缘。附图说明当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本专利技术的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。图1至图14示出根据一些实施例的形成封装件的中间阶段的截面图。图15至图22示出根据一些实施例的形成封装件的中间阶段的截面图。图23示出根据一些实施例的金属焊盘和引导带的顶视图。图24A和图24B分别示出根据一些实施例的封装组件和残留焊料区中的导电柱的截面图和顶视图。图25示出根据一些实施例的包括平坦化的底部填充物和密封材料的封装件的部分的放大图。图26和图27示出根据一些实施例的用于形成封装件的工艺流程。具体实施方式以下公开内容提供了许多用于实现本专利技术的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。而且，为了便于描述，在此可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，并且在此使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。根据各个示例性实施例提供集成扇出(InFO)封装件及其形成方法。根据一些实施例示出形成InFO封装件的中间阶段。讨论了一些实施例的一些变化。贯穿各个图和示例性实施例，相同的参考标号用于指定相同的元件。图1至图14示出根据一些实施例的形成封装件的中间阶段的截面图；还在图26所示的工艺流程200中示意性地示出图1至图14所示的步骤。参本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成封装件的方法，包括：在载体上方放置第一封装组件和第二封装组件，其中，所述第一封装组件的第一导电柱和所述第二封装组件的第二导电柱面向所述载体；将所述第一封组件和所述第二封装组件密封在密封材料中；将所述第一封装组件和所述第二封装组件从所述载体脱粘；平坦化所述第一导电柱、所述第二导电柱和所述密封材料，以及形成再分布线以电连接至所述第一导电柱和所述第二导电柱。

【技术特征摘要】
2017.09.29 US 62/565,446;2018.04.30 US 15/966,4681.一种形成封装件的方法，包括：在载体上方放置第一封装组件和第二封装组件，其中，所述第一封装组件的第一导电柱和所述第二封装组件的第二导电柱面向所述载体；将所述第一封组件和所述第二封装组件密封在密封材料中；将所述第一封装组件和所述第二封装组件从所述载体脱粘；平坦化所述第一导电柱、所述第二导电柱和所述密封材料，以及形成再分布线以电连接至所述第一导电柱和所述第二导电柱。2.根据权利要求1所述的方法，其中，当实施所述密封时，所述第一导电柱和所述第二导电柱的表面对准至相同的平面。3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述载体和所述第一封装组件之间并且在所述载体和所述第二封装组件之间分配底部填充物，其中，在所述平坦化中，也平坦化所述底部填充物。4.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述载体上方形成多个金属焊盘；将所述第一导电柱和所述第二导电柱接合至所述多个金属焊盘；以及从所述第一导电柱和所述第二导电柱去除所述多个金属焊盘。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述去除包括对所述多个金属焊盘实施化学机械抛光或机械研磨。6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述载体上方形成模板膜，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄英叡，黄见翎，林志伟，谢静华，刘重希，余振华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71