The present disclosure relates to devices and methods for ion beam measurement. An ion beam measurement method includes making the baffle aligned with at least one slit of the baffle and each specific opening of at least one Faraday device in the front of the Faraday device so that the ion beam is incident on the Faraday device through the slit of the baffle in order to measure the transverse offset angle of the ion beam.
【技术实现步骤摘要】
用于离子束测量的装置和方法
本公开涉及半导体加工领域，尤其涉及用于离子束测量的装置和方法。
技术介绍
离子注入技术在半导体器件的生产制作中得到广泛的使用。离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂以改变半导体的载流子浓度和导电类型的技术。离子注入广泛用于掺杂工艺，可以满足浅结、低温和精确控制等要求，已成为集成电路制造工艺中必不可少的关键。随着半导体工业的进步，半导体器件的特征尺寸和深度不断缩小。为了保证半导体器件性能的稳定性，在对其进行离子注入时要严格控制离子注入的角度。目前，存在对于新的技术的需求以改善注入离子束的角度测量，以供用于控制离子注入的角度。
技术实现思路
本公开的一个目的是提供改进的离子束测量，尤其是改进的离子束的横向和纵向偏移角度的测量。本公开的另一个目的是提供改进的离子束测量，尤其是改进的离子束的横向和纵向偏移特性的测量。根据本公开的一个方面，提供了一种离子束测量方法，该离子束测量方法包括通过使得挡板以所述挡板的至少一个狭缝与至少一个法拉第装置中的各自特定开口分别对齐的方式设置在法拉第装置的正面，使离子束通过所述挡板的狭缝而入射到法拉第装置上，以便测量所...
【技术保护点】
1.一种离子束测量方法，其特征在于，包括：通过使得挡板以所述挡板的至少一个狭缝与至少一个法拉第装置中的各自特定开口分别对齐的方式设置在法拉第装置的正面，使离子束通过所述挡板的狭缝而入射到法拉第装置上，以便测量离子束的横向偏移角度。
【技术特征摘要】
1.一种离子束测量方法，其特征在于，包括：通过使得挡板以所述挡板的至少一个狭缝与至少一个法拉第装置中的各自特定开口分别对齐的方式设置在法拉第装置的正面，使离子束通过所述挡板的狭缝而入射到法拉第装置上，以便测量离子束的横向偏移角度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过检测法拉第装置中各开口所对应的电流分布来确定与该法拉第装置对应的离子束的横向偏移角度。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过检测法拉第装置中各开口中的离子束入射量来确定与该法拉第装置对应的离子束的横向偏移角度。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过确定所述至少一个法拉第装置中的每一个法拉第装置对应的离子束的横向偏移角度的统计值来确定整个离子束的横向偏移特性。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所确定的整个离子束的横向偏移特性超过特定阈值的情况下，对离子束进行校准。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在整个离子束的横向偏移角度超过阈值、所述至少一个法拉第装置中的一个法拉第装置对应的离子束的横向偏移角度、以及整个离子束的横向均匀度中的至少一个超过阈值的情况下，对离子束进行校准。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述法拉第装置包括多个法拉第装置，并且其中，所述挡板具有...
【专利技术属性】
技术研发人员：白晓鹏，倪明明，吴宗祐，林宗贤，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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