本实用新型专利技术公开了一种高速率去硅的蚀刻装置，包括支撑架、支撑架下端所设的底板、支撑架上端所设的顶板、顶板下端所设的下压座、下压座下端所设的蚀刻板、底板上端所设的弹性支撑版与弹性支撑版上端所设的硅晶片托盘，所述支撑架的主体为C形板状结构，且在支撑架的下端设有方形板状结构的底板，所述底板的上端设有方形槽体结构的安装槽I；在此实用新型专利技术中，通过下压座上端的气泵对蚀刻槽内所形成的气相颗粒进行快速回吸，使得硅晶片的表面不会形成气相沉积膜，使蚀刻槽始终保持良好的接触反应效率，提高了蚀刻的速率；通过真空泵将硅晶片吸附在定位槽内，这种固定方式避免了硬接触，使得硅晶片在被牢固固定的同时不会受损，进而提高了蚀刻的成品率。
【技术实现步骤摘要】
一种高速率去硅的蚀刻装置
本技术涉及硅蚀刻
，具体为一种高速率去硅的蚀刻装置。
技术介绍
微机电系统是一种全新的必须同时考虑多种物理场混合作用的研发领域，采用以硅为主的材料，电气性能优良，因为硅材料的强度、硬度和杨氏模量与铁相当，密度与铝类似，热传导率接近钼和钨，因此具有极佳的物体特性，它可以被用作在多功能的微型系统中，集成于大尺寸系统中，从而大幅度地提高系统的自动化、智能化和可靠性水平。因为硅材料的重要性，所以在微机电系统的制作过程中必不可少的硅蚀刻流程，现有技术中的硅蚀刻装置的种类较多，但是它们在实际使用中存在以下弊端：1.在气相蚀刻过程中，气体与硅晶片的表面反应后会形成滞留的气相沉积膜，这种气相沉积膜对蚀刻表面有一定的妨碍作用，降低了气相蚀刻的接触反应效率；2.因为硅晶片的制品形状较小，整体强度不高，导致装夹定位过程中容易使硅晶体受损，或者装夹不到位导致蚀刻效果不理想，降低了蚀刻的成品率；3.气相蚀刻过程中产生气相沉积膜后，需要将这层气相沉积膜去除后才能继续进行蚀刻，在去除气相沉积膜的过程中需要释放掉蚀刻腔体内的蚀刻气体，降低了蚀刻气体的循环利用率，并且造成了大量的浪费。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种高速率去硅的蚀刻装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种高速率去硅的蚀刻装置，包括支撑架、支撑架下端所设的底板、支撑架上端所设的顶板、顶板下端所设的下压座、下压座下端所设的蚀刻板、底板上端所设的弹性支撑版与弹性支撑版上端所设的硅晶片托盘，所述支撑架的主体为C形板状结构，且在支撑架的下端设有方形板状结构的底板，所述底板的上端设有方形槽体结构的安装槽I，且在安装槽I的槽底向底板的下端面引有圆柱形孔状结构的通气孔I，所述底板上端面的四角处对称设有四个圆柱形结构的导向销I，所述安装槽I内插配有方形板状结构的弹性支撑版，所述弹性支撑版的上端设有方形槽体结构的安装槽III，且在安装槽III内插配有方形板状结构的硅晶片托盘；所述支撑架的上端设有方形板状结构的顶板，且在顶板的中间设有方形凸台结构的安装板，所述安装板的上端匹配安装有液压缸，所述安装板的两侧对称设有两个圆柱形孔状结构的导向孔，所述液压缸下端的活塞杆贯穿于顶板的上下两端面并且与下压座匹配连接在一起，所述下压座的主体为方形板状结构的下压板，且在下压板上端面中心位置的两侧对称设有两个与导向孔相滑动套配的圆柱形结构的导向柱，所述下压板上端面的四个对角处对称设有两个气泵与两个气瓶，所述气瓶的上端与气泵通过气管相连通，且两个气瓶的上端同样通过气管相连通，并且在此气管中间配设有过滤器，所述下压板的四角位置处对称设有四个与导向销I相套配的圆柱形孔状结构的导向孔II，且在下压板的下端面上设有十字形槽体结构的安装槽II，所述安装槽II槽底的中间向下压板的上端面引有两个对称设置的圆柱形孔状结构的过孔I，所述安装槽II槽底的对角位置处对称设有两个圆柱形结构的导向销II，所述安装槽II内插配有方形板状结构的蚀刻板。优选的，所述底板下端面的四角位置处对称设有四个圆柱形结构的支撑脚，且在底板底面的中间位置处设有与通气孔I相连通的真空泵。优选的，所述弹性支撑版的下端设有与安装槽I相插配的方形凸台结构的定位凸台，且在安装槽III的槽底均布设有圆柱形孔状结构的通气孔II，所述通气孔II与安装槽I底部的通气孔I相连通，所述弹性支撑版四角位置处对称式设有四个与导向销I相套配的圆柱形孔状结构的导向孔III。优选的，所述硅晶片托盘的上端面上设有槽体结构的定位槽，所述硅晶片托盘厚度方向的中间位置处设有方形腔体结构的连接腔I，所述连接腔I与定位槽的槽底通过圆柱形孔状结构的通气孔III相连通，所述硅晶片托盘的底部向连接腔I内引有圆柱形孔状结构的通气孔V，且通气孔V与安装槽III底部的通气孔II相连通。优选的，所述蚀刻板的上端面上设有位置与定位槽相对应的槽体结构的蚀刻槽，所述蚀刻板厚度方向的中间位置处设有方形腔体结构的连接腔II，所述连接腔II与蚀刻槽的底面通过圆柱形孔状结构的通气孔IV相连通，所述蚀刻板底面的中间位置处对称设有两个与连接腔II相连通并且与过孔I相套配的圆柱形管状结构的导管，所述导管的上端与气泵通过气管相连通，且在此气管上配设有单向阀，所述蚀刻板底面的对角位置处对称设有两个与导向销II相插配的圆柱形孔状结构的导向孔IV。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术结构设置合理，功能性强，具有以下优点：1.通过下压座上端的气泵对蚀刻槽内所形成的气相颗粒进行快速回吸，使得硅晶片的表面不会形成气相沉积膜，使蚀刻槽始终保持良好的接触反应效率，提高了蚀刻的速率；2.通过真空泵将硅晶片吸附在定位槽内，这种固定方式避免了硬接触，使得硅晶片在被牢固固定的同时不会受损，进而提高了蚀刻的成品率；3.在回吸过程中，回收到气瓶内的是气相颗粒和部分蚀刻气体的混合体，气相颗粒经过沉降落在气瓶的底部，而蚀刻气体在另一侧气泵的吸力作用下从一侧的气瓶通过气管与气管上的过滤器回收到另一侧的气瓶内，从而使得蚀刻气体被回收循环利用，进而避免了浪费。附图说明图1为本技术结构示意图；图2为本技术结构半剖视图；图3为本技术结构上端轴侧爆炸视图；图4为本技术结构下端轴侧爆炸视图；图5为下压座上端轴侧视图；图6为下压做下端轴侧视图；图7为硅晶片托盘上端轴侧视图；图8为硅晶片托盘下端轴侧视图；图9为硅晶片托盘半剖视图；图10为蚀刻板上端轴侧视图；图11为蚀刻板下端轴侧视图；图12为蚀刻板半剖视图。图中：支撑架1、底板2、顶板3、支撑脚4、液压缸5、下压座6、弹性支撑版7、硅晶片托盘8、蚀刻板9、真空泵10、安装槽I201、导向销I202、通气孔I203、安装板301、导向孔302、下压板601、导向柱602、导向孔II603、过孔I604、气泵605、单向阀606、气瓶607、过滤器608、安装槽II609、导向销II610、安装槽III701、导向孔III702、定位凸台703、通气孔II704、定位槽801、通气孔III802、连接腔I803、通气孔V804、蚀刻槽901、通气孔IV902、连接腔II903、导管904、导向孔IV905。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-12，本技术提供一种技术方案：一种高速率去硅的蚀刻装置，包括支撑架1、支撑架1下端所设的底板2、支撑架1上端所设的顶板3、顶板3下端所设的下压座6、下压座6下端所设的蚀刻板9、底板2上端所设的弹性支撑版7与弹性支撑版7上端所设的硅晶片托盘8，支撑架1的主体为C形板状结构，且在支撑架1的下端设有方形板状结构的底板2，底板2的上端设有方形槽体结构的安装槽I201，且在安装槽I201的槽底向底板2的下端面引有圆柱形孔状结构的通气孔I203，底板2上端面的四角处对称设有四个圆柱形结构的导向销I202，安本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种高速率去硅的蚀刻装置，包括支撑架(1)、支撑架(1)下端所设的底板(2)、支撑架(1)上端所设的顶板(3)、顶板(3)下端所设的下压座(6)、下压座(6)下端所设的蚀刻板(9)、底板(2)上端所设的弹性支撑版(7)与弹性支撑版(7)上端所设的硅晶片托盘(8)，其特征在于：所述支撑架(1)的主体为C形板状结构，且在支撑架(1)的下端设有方形板状结构的底板(2)，所述底板(2)的上端设有方形槽体结构的安装槽I(201)，且在安装槽I(201)的槽底向底板(2)的下端面引有圆柱形孔状结构的通气孔I(203)，所述底板(2)上端面的四角处对称设有四个圆柱形结构的导向销I(202)，所述安装槽I(201)内插配有方形板状结构的弹性支撑版(7)，所述弹性支撑版(7)的上端设有方形槽体结构的安装槽III(701)，且在安装槽III(701)内插配有方形板状结构的硅晶片托盘(8)；所述支撑架(1)的上端设有方形板状结构的顶板(3)，且在顶板(3)的中间设有方形凸台结构的安装板(301)，所述安装板(301)的上端匹配安装有液压缸(5)，所述安装板(301)的两侧对称设有两个圆柱形孔状结构的导向孔(302)，所述液压缸(5)下端的活塞杆贯穿于顶板(3)的上下两端面并且与下压座(6)匹配连接在一起，所述下压座(6)的主体为方形板状结构的下压板(601)，且在下压板(601)上端面中心位置的两侧对称设有两个与导向孔(302)相滑动套配的圆柱形结构的导向柱(602)，所述下压板(601)上端面的四个对角处对称设有两个气泵(605)与两个气瓶(607)，所述气瓶(607)的上端与气泵(605)通过气管相连通，且两个气瓶(607)的上端同样通过气管相连通，并且在此气管中间配设有过滤器(608)，所述下压板(601)的四角位置处对称设有四个与导向销I(202)相套配的圆柱形孔状结构的导向孔II(603)，且在下压板(601)的下端面上设有十字形槽体结构的安装槽II(609)，所述安装槽II(609)槽底的中间向下压板(601)的上端面引有两个对称设置的圆柱形孔状结构的过孔I(604)，所述安装槽II(609)槽底的对角位置处对称设有两个圆柱形结构的导向销II(610)，所述安装槽II(609)内插配有方形板状结构的蚀刻板(9)。...
【技术特征摘要】
1.一种高速率去硅的蚀刻装置，包括支撑架(1)、支撑架(1)下端所设的底板(2)、支撑架(1)上端所设的顶板(3)、顶板(3)下端所设的下压座(6)、下压座(6)下端所设的蚀刻板(9)、底板(2)上端所设的弹性支撑版(7)与弹性支撑版(7)上端所设的硅晶片托盘(8)，其特征在于：所述支撑架(1)的主体为C形板状结构，且在支撑架(1)的下端设有方形板状结构的底板(2)，所述底板(2)的上端设有方形槽体结构的安装槽I(201)，且在安装槽I(201)的槽底向底板(2)的下端面引有圆柱形孔状结构的通气孔I(203)，所述底板(2)上端面的四角处对称设有四个圆柱形结构的导向销I(202)，所述安装槽I(201)内插配有方形板状结构的弹性支撑版(7)，所述弹性支撑版(7)的上端设有方形槽体结构的安装槽III(701)，且在安装槽III(701)内插配有方形板状结构的硅晶片托盘(8)；所述支撑架(1)的上端设有方形板状结构的顶板(3)，且在顶板(3)的中间设有方形凸台结构的安装板(301)，所述安装板(301)的上端匹配安装有液压缸(5)，所述安装板(301)的两侧对称设有两个圆柱形孔状结构的导向孔(302)，所述液压缸(5)下端的活塞杆贯穿于顶板(3)的上下两端面并且与下压座(6)匹配连接在一起，所述下压座(6)的主体为方形板状结构的下压板(601)，且在下压板(601)上端面中心位置的两侧对称设有两个与导向孔(302)相滑动套配的圆柱形结构的导向柱(602)，所述下压板(601)上端面的四个对角处对称设有两个气泵(605)与两个气瓶(607)，所述气瓶(607)的上端与气泵(605)通过气管相连通，且两个气瓶(607)的上端同样通过气管相连通，并且在此气管中间配设有过滤器(608)，所述下压板(601)的四角位置处对称设有四个与导向销I(202)相套配的圆柱形孔状结构的导向孔II(603)，且在下压板(601)的下端面上设有十字形槽体结构的安装槽II(609)，所述安装槽II(609)槽底的中间向下压板(601)的上端面引有两个对称设置的圆柱形孔状结构的过孔I(604)，所述安装槽II(609)槽底的对角位置处对称设有两个...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴楚鸿，李纬，陈巧银，黄泽杭，罗桂容，徐乐山，
申请(专利权)人：深圳市翰博士科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。