一种近化学计量比钽酸锂晶片的极化方法技术

本发明专利技术提供了一种近化学计量比钽酸锂晶片的极化方法，步骤如下：（1）利用碳酸锂和五氧化二钽制备钽酸锂多晶料；（2）放置晶片：将钽酸锂多晶料装入坩埚中，然后从上到下依次放入铂金片、待极化晶片和铂金片，且铂金片上均接有铂金导线；（3）升温极化：将步骤（2）的坩埚升温，在铂金导线上施加电压，恒温至待极化晶片完全极化；（4）降温撤电压：将步骤（3）完全极化后的晶片降温，撤去外加电压，降至室温得到极化晶片。本发明专利技术采用的电极是铂金电极和钽酸锂多晶料，铂金电极稳定，钽酸锂多晶料直接接触晶片且在所处的温度下不与晶片反应不污染晶片，因此可以长期重复使用。

【技术实现步骤摘要】
一种近化学计量比钽酸锂晶片的极化方法
本专利技术涉及晶体材料后处理
，具体涉及一种近化学计量比钽酸锂晶片的极化方法。
技术介绍
同成分钽酸锂晶体是晶体中锂离子与钽离子物质的量之比约为48.6/51.4，该组分的熔体结晶出来的晶体组分和熔体组分一致；而把晶体中的锂钽比按照分子式配比的钽酸锂晶体称为化学计量比钽酸锂晶体，即晶体中锂离子与钽离子物质的量之比约为50.0/50.0，在该组分的熔体结晶出来的晶体组分和熔体组分不一致，晶体中的锂钽比小于1；而把锂钽比接近化学计量配比的晶体称为近化学计量比钽酸锂晶体。获取近化学计量比钽酸锂晶体的方法主要有富锂熔体生长法、助熔剂法和扩散法。富锂熔体生长法是从富锂熔体中直接生长近化学计量比钽酸锂晶体，随着晶体生长的进行，要不断地向熔体中加入与晶体质量相同的化学计量配比的原料来维持熔体组分不变。该方法从理论上能得到高质量的近化学计量比钽酸锂晶体，但设备技术复杂、技术难度高、成品率地、生长成本高。助溶剂法受到助熔剂钾离子的分凝和扩散的影响，很难得到质量较好的晶体。扩散法是将同成分晶片置于富锂气氛中进行高温扩散得到近化学计量比钽酸锂晶片，该方法成本较低本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种近化学计量比钽酸锂晶片的极化方法，其特征在于步骤如下：（1）制备钽酸锂多晶料：将碳酸锂和五氧化二钽称量、混合、固相反应并升温熔化，将结晶后的钽酸锂多晶粉碎后过筛，得到颗粒度不大于0.5mm的钽酸锂多晶料；（2）放置晶片：将步骤（1）得到的钽酸锂多晶料装入坩埚中，然后从上到下依次放入铂金片、待极化晶片和铂金片，且铂金片上均接有铂金导线；（3）升温极化：将步骤（2）的坩埚升温，恒温至炉膛内温度均匀后，在铂金导线上施加电压，恒温至待极化晶片完全极化；（4）降温撤电压：将步骤（3）完全极化后的晶片降温，温度降至待极化晶片居里温度以下撤去外加电压，降至室温得到极化晶片。

【技术特征摘要】
1.一种近化学计量比钽酸锂晶片的极化方法，其特征在于步骤如下：（1）制备钽酸锂多晶料：将碳酸锂和五氧化二钽称量、混合、固相反应并升温熔化，将结晶后的钽酸锂多晶粉碎后过筛，得到颗粒度不大于0.5mm的钽酸锂多晶料；（2）放置晶片：将步骤（1）得到的钽酸锂多晶料装入坩埚中，然后从上到下依次放入铂金片、待极化晶片和铂金片，且铂金片上均接有铂金导线；（3）升温极化：将步骤（2）的坩埚升温，恒温至炉膛内温度均匀后，在铂金导线上施加电压，恒温至待极化晶片完全极化；（4）降温撤电压：将步骤（3）完全极化后的晶片降温，温度降至待极化晶片居里温度以下撤去外加电压，降至室温得到极化晶片。2.根据权利要求1所述的近化学计量比钽酸锂晶片的极化方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨金凤，商继芳，毛乾辉，郝好山，李耀宇，晋振杰，
申请(专利权)人：河南工程学院，
类型：发明
国别省市：河南,41