一种三栅组件及含有该三栅组件的离子源制造技术

本发明专利技术公开了一种三栅组件，包括依次平行设置的内栅网、中栅网和外栅网，所述内栅网内侧设有内法兰，所述内栅网安装于所述内法兰上，所述外栅网外侧设有外法兰，所述外栅网安装于所述外法兰上，所述内法兰与所述中栅网之间、以及所述外法兰与所述中栅网之间均夹设有绝缘隔离件，所述中栅网上设有用于吸收热变形的应力吸收槽。本发明专利技术进一步公开了一种离子源，包括内罩、位于内罩内部的放电室、以及位于放电室内的阴极和阳极，还包括上述的三栅组件，三栅组件中的内法兰与所述放电室紧贴，三栅组件中的外法兰与所述内罩相连。本发明专利技术具有结构简单、成本低、有利于减少栅网间距离、可防止栅网间形变短路等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种三栅组件及含有该三栅组件的离子源
本专利技术涉及离子束溅射镀膜设备，尤其涉及一种三栅组件及含有该三栅组件的离子源，特别适用于低能宽束束流引出工况。
技术介绍
离子束溅射是物理溅射方法之一。作为新一代薄膜生长方法，它具有膜材纯净、薄膜致密度高、粘附力强等特点，在半导体、薄膜材料、光学元件等行业得到了广泛应用。薄膜沉积分为物理沉积和化学沉积两种。物理沉积是纯物理作用，不改变靶材和被沉积材料的原子结构和组份。仅仅是将靶材按相同组分比和原子(或分子)结构转移到工件上。物理沉积有三种常用的方法：一种是蒸发镀膜、一种是磁控溅射镀膜、一种是离子束溅射镀膜。蒸发镀膜是在超高真空状态下，将被镀材料加热形成气态物质，利用物质气态时的分子迁移和热运动，将材料附着在工件表面；磁控溅射是利用电磁场作用，在一定真空条件下，在被镀材料和工件间通过辉光放电产生等离子体，利用等离子的动能撞击靶材，将靶材中的原子或分子溅射出来，附着在工件表面；离子束溅射是在一定真空条件下，利用离子源在放电室内产生离子，利用离子束引出系统，将放电室内的离子引出形成带能量的离子束，离子束射向靶材，使靶材的原子或分子溅射出来，附着在工件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三栅组件，包括依次平行设置的内栅网(1)、中栅网(2)和外栅网(3)，其特征在于：所述内栅网(1)内侧设有内法兰(4)，所述内栅网(1)安装于所述内法兰(4)上，所述外栅网(3)外侧设有外法兰(5)，所述外栅网(3)安装于所述外法兰(5)上，所述内法兰(4)与所述中栅网(2)之间、以及所述外法兰(5)与所述中栅网(2)之间均夹设有绝缘隔离件(6)，所述中栅网(2)上设有用于吸收热变形的应力吸收槽(21)。

【技术特征摘要】
1.一种三栅组件，包括依次平行设置的内栅网(1)、中栅网(2)和外栅网(3)，其特征在于：所述内栅网(1)内侧设有内法兰(4)，所述内栅网(1)安装于所述内法兰(4)上，所述外栅网(3)外侧设有外法兰(5)，所述外栅网(3)安装于所述外法兰(5)上，所述内法兰(4)与所述中栅网(2)之间、以及所述外法兰(5)与所述中栅网(2)之间均夹设有绝缘隔离件(6)，所述中栅网(2)上设有用于吸收热变形的应力吸收槽(21)。2.根据权利要求1所述的三栅组件，其特征在于：所述中栅网(2)包括本体部(22)、设于本体部(22)外周的环形部(23)、以及多个沿环形部(23)周向均匀设置的齿形连接部(24)，各齿形连接部(24)均配置有所述应力吸收槽(21)，所述应力吸收槽(21)一端位于所述齿形连接部(24)一侧根部，另一端位于所述环形部(23)内圆周与所述齿形连接部(24)另一侧根部之间，所述应力吸收槽(21)为弧形槽且凸起方向朝向所述环形部(23)内部。3.根据权利要求2所述的三栅组件，其特征在于：所述齿形连接部(24)上开设有连接孔(25)，所述内法兰(4)和所述外法兰(5)通过穿设于所述连...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈特超，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十八研究所，
类型：发明
国别省市：湖南,43