一种制备涂层导体用高钨合金基带的方法技术

一种制备涂层导体用高钨合金基带的方法属于金属加工技术领域。清洗Ni5W(W元素的含量＝5at.％)合金基带后，采用物理或化学的方法在其外表面均匀涂覆厚度为100～200nm的纯钨层。将上述涂覆钨层的Ni5W合金基带在氩氢或氢气的保护气氛下进行扩散热处理，热处理温度为1100～1200℃，保温时间2～3h，随炉冷却，使镀层表面的钨原子以置换固溶体的方式大量扩散至芯层置换晶格中的镍原子，以提高具有立方织构的NiW合金基带的钨含量，以获得具有强立方织构的高钨复合基带。本发明专利技术使表层的W原子大量渗入芯层，提高整体钨含量，获得织构高钨合金基带。该方法操作简单，成本较低，可实现性强。

【技术实现步骤摘要】
一种制备涂层导体用高钨合金基带的方法
本专利技术涉及一种用于第二代高温超导YBCO(YBa2Cu3O7-u，钇钡铜氧)涂层导体的高钨含量(W元素的含量≥7at.％)NiW合金基带的制备方法，属于金属加工

技术介绍
YBCO高温超导材料作为超导材料中的核心之一，具有良好的应用发展前景以及现实可行的实现路径，对高性能涂层超导材料的研究具有巨大的社会效益，而作为外延生长YBCO的织构NiW合金基带是RABiTS技术路线研究的热点。NiW合金基带在超导带材的结构中位于整个结构的底层，其主要作用是外延生长过渡层和超导层，同时承受一定的应力应变。在NiW合金中，虽然低钨含量的NiW合金容易获得强立方织构，但其强度及磁性能依然不能满足涂层导体应用的广泛要求；而高钨含量的NiW合金能实现应用温度下(77K，液氮温区)低铁磁性甚至无磁性，同时也带来了另一个不可避免的难题，即W元素固溶含量的增加降低了NiW合金的层错能，使材料形变与再结晶过程不再容易获得强立方织构。因此如何在提高钨含量的同时又能获得强立方织构，成为高钨合金基带进一步发展的方向与目标。制备复合基带是一种获得高强度低磁性的NiW合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制备涂层导体用高钨合金基带的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)清洗Ni5W合金基带后，即合金基带中W元素的含量＝5at.％；采用物理或化学的方法在其外表面均匀涂覆厚度为100～200nm的纯钨层；(2)将上述涂覆钨层的Ni5W合金基带在氩氢混合气氛或氢气的保护气氛下进行扩散热处理，热处理温度为1100～1200℃，保温时间2～3h，随炉冷却，得到高钨合金基带。

【技术特征摘要】
1.一种制备涂层导体用高钨合金基带的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)清洗Ni5W合金基带后，即合金基带中W元素的含量＝5at.％；采用物理或化学的方法在其外表面均匀涂覆厚度为100～200nm的纯钨层；(2)将上述涂覆钨层的Ni5W合金基带在氩氢混合气氛或氢气的保护气氛下进行扩散热处理，热处理温度为1100～1200℃，保温时间2～3h，随炉冷却，得到高钨合金基带。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：对退火后的Ni5W基底先使用丙酮和无水乙醇分别超声清洗5min并吹干后，将基带转移至磁控溅射设备样品台中心部位，关闭磁控溅射进样室；然后进行抽真空，至背底气压为8×10-4Pa以下时，打开气路，对反应室通入氩气，同时对样品台加热至350℃，调节样品台转速为15r/m...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晨曦，马麟，索红莉，崔瑾，纪耀堂，武鑫宇，刘敏，王毅，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：北京,11