背光装置制造方法及图纸

本发明专利技术揭示一种背光装置，其包含波长转换元件以及光源。波长转换元件包含透明上、下阻气薄膜、分隔层、填充材料以及多个量子点。分隔层系接合于透明上、下阻气薄膜上之间，并且具有多个镂空区域。填充材料系覆盖多个镂空区域。多个量子点系均匀地分布于覆盖每一个镂空区域的填充材料内。光源包含电路板以及多个半导体发光元件。电路板系设置于透明下阻气薄膜下方。每一个镂空区域对应至少一个半导体发光元件。每一个半导体发光元件系电气接合于电路板上，并且位于其所对应的镂空区域下方。

【技术实现步骤摘要】
背光装置
本专利技术涉及一种背光装置，尤其涉及采用较少量子点且最终射出光鲜的色偏差较小的背光装置。
技术介绍
众所皆知，液晶显示系统系通过液晶面板来显示影像。但是，液晶面板本身不发光，必须通过所谓的背光装置来达到发光功能，因此背光装置是液晶显示装置重要的零组件。现行背光装置大多采用已封装的半导体发光二极管(semiconductorlight-emittingdiode)做为发光光源，其架构大致区分为直下式背光装置以及侧光式背光装置。直下式背光装置具有出光效率高、不需导光板、零组件较少等优点，但是也具有光均齐度较低、模组较厚等缺点。直下式背光装置区分为两种型式。第一种型式的直下式背光装置是直接将发光二极管排列在灯箱内。侧光式背光装置的主要结构由发光光源、导光板、光学膜片(例如：棱镜片、扩散片、反射片等)、光源反射罩以及外部结构体(例如，边框等)所构成。目前已有液晶显示系统的背光装置采用量子点来提升显示的品质。量子点是成纳米晶体形式的半导体，能提供替换的显示。量子点的电子特性通常由纳米晶体的尺寸与形状决定。相同材料的量子点，但具有不同的尺寸，可以在激发时发出不同颜色的光。更具体地，量子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背光装置，其特征在于，包含：波长转换元件，包含：透明下阻气薄膜；第一分隔层，系接合于所述透明下阻气薄膜上，且具有多个第一镂空区域；填充材料，系覆盖所述多个第一镂空区域；多个第一色量子点，系均匀地分布于覆盖每一个第一镂空区域的所述填充材料内；以及透明上阻气薄膜，系接合于所述第一分隔层以及覆盖所述多个第一镂空区域的所述填充材料上；以及光源，包含：电路板，系设置于所述透明下阻气薄膜下方；以及多个半导体发光元件，每一个第一镂空区域对应至少一个半导体发光元件，每一个半导体发光元件系电气接合于所述电路板上且位于其所对应的第一镂空区域下方，每一个半导体发光元件用以发射第一色光且通过覆盖其所对应的第一...

【技术特征摘要】
2017.09.27 TW 1061331221.一种背光装置，其特征在于，包含：波长转换元件，包含：透明下阻气薄膜；第一分隔层，系接合于所述透明下阻气薄膜上，且具有多个第一镂空区域；填充材料，系覆盖所述多个第一镂空区域；多个第一色量子点，系均匀地分布于覆盖每一个第一镂空区域的所述填充材料内；以及透明上阻气薄膜，系接合于所述第一分隔层以及覆盖所述多个第一镂空区域的所述填充材料上；以及光源，包含：电路板，系设置于所述透明下阻气薄膜下方；以及多个半导体发光元件，每一个第一镂空区域对应至少一个半导体发光元件，每一个半导体发光元件系电气接合于所述电路板上且位于其所对应的第一镂空区域下方，每一个半导体发光元件用以发射第一色光且通过覆盖其所对应的第一镂空区域的所述填充材料；其中覆盖每一个第一镂空区域的所述填充材料内的所述多个第一色量子点吸收通过所述填充材料的所述第一色光的第一部分且将其转换成第二色光，所述第二色光与所述第一色光的其余部份混光成第三色光进而朝向所述透明上阻气薄膜前进。2.根据权利要求1所述的背光装置，其特征在于，进一步包含：第二分隔层，系固定于所述电路板上，且具有多个第二镂空区域，每一个第二镂空区域对应一个第一镂空区域且置于其所对应的第一镂空区域下方，对应每一个第一镂空区域的所述至少一个半导体发光元件系置于对应所述每一个第一镂空区域的所述第二镂空区域内。3.根据权利要求2所述的背光装置，其特征在于，所述透明下阻气薄膜系固定于所述第二分隔层上。4.根据权利要求3所述的背光装置，其特征在于，进一步包含：多个第一透镜元件，每一个第一透镜元件对应一个第一镂空区域且固定于所述透明上阻气薄膜上并位在其所对应的第一镂空区域之上。5.根据权利要求3所述的背光装置，其特征在于，进一步包含：多个第二透镜元件，每一个第二透镜元件对应一个第二镂空区域且设置于其所对应的第二镂空区域内并置于其所对应的第二镂空区域内的所述半导体发光元件上。6.根据权利要求3所述的背光装置，其特征在于，所述多个第一色量子点系由选自由第一II-VI族化合物、第一III-V族化合物、第一IV-VI族化合物、第一IV族化合物以及上述化合物的混合物所组成的群组中的其一所形成，所述第一II-VI族化合物系由选自由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe以及HgZnSTe所组成的群组中的其一所形成，所述第一III-V族化合物系由选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯俊民，
申请(专利权)人：睿亚光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71