晶圆级电子组件的测试方法技术

一种晶圆级电子组件的测试方法，适用于测试一具有多个电性接触部的晶圆，并包含一预备一测试装置的预备步骤，及一使用该测试装置进行测试的检测步骤。该测试装置包括一具有多个彼此间隔平行且呈贯穿状的穿孔的探针卡，及多个分别定位于所述穿孔中的探针，每个穿孔定义一条沿其轴心延伸的轴线，所述探针分别沿所述轴线设置。每一穿孔是呈单一尺寸的孔径，至少有两个相邻穿孔的轴线间的距离，等于所述电性接触部中最小相邻两者的间距。进行测试时，所述电性接触部分别与所述探针接触而形成电连接。

【技术实现步骤摘要】
晶圆级电子组件的测试方法
本专利技术涉及一种测试方法，特别是涉及一种晶圆级电子组件的测试方法。
技术介绍
电子芯片在组装或出货前，需要利用测试装置进行各项电性效能的测试，以确保所述的电子组件的功能正常而可确实运作。目前为了因应市场上电子产品的需求，缩小体积并且提高精密度是必然的趋势，故所配合的电子芯片上的电子组件，以及电路的密度皆越来越高，甚至在制程上必须达到电子组件间距在0.5毫米(mm)以下的「晶圆级尺度封装(WaferLevelChipScalePackage)」，才得以确实符合市场需求。而针对晶圆级尺度封装的电子芯片进行测试时，在测试装置以及测试方法上也必须有所因应，才得以确实检测所制成电子芯片的功能。参阅图1，为一种现有的测试装置1，包含一以金属制成的座体11，及多个设置于该座体11内的弹簧探针12。透过所述弹簧探针12与一测试组件100形成电连接，即能以电性导通与否，对该测试组件100进行功能测试。由于该座体11是以金属所制成，利用金属材质对电磁波的屏蔽性质，可以使每一弹簧探针12受到该座体11的屏蔽作用，防止所述弹簧探针12彼此的干扰，借此提高测试性能。然而，为了使所述弹簧探针12确实定位于该座体11中，该座体11包括多个用于分别容置所述弹簧探针12的穿孔111，但每一穿孔111是通过径向的宽窄变化限位相应的弹簧探针12，而所述穿孔111的宽窄变化设计，也使得所述弹簧探针12的间距，须配合所述穿孔111最宽部分的径宽，无法进一步地缩减，因而影响了该测试装置1的测试极限，难以配合晶圆级尺度封装的电子芯片的测试需求。另外参阅图2，在组装每一个弹簧探针12时，因为每一个穿孔111的宽窄变化的设计，较难以在其中进行加工，故通常是先在该弹簧探针12上套设多个绝缘环19，才将所述弹簧探针12设置于对应的穿孔111中。然而，同样考虑到配合晶圆级尺度封装的电子芯片的测试需求，所述弹簧探针12以及所述穿孔111的尺度势必皆相当小，故套设所述绝缘环19的精细作业也相对难以施行，相关制程的技术水平因而提高，也影响到制造时的良率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种得以配合精密测试需求的晶圆级电子组件的测试方法。本专利技术晶圆级电子组件的测试方法，适用于对一晶圆所形成的电子组件进行测试，该晶圆具有一基板部，及多个设置于该基板部上的电性接触部。所述电性接触部中最小相邻两者的间距小于等于0.5毫米的晶圆级封装尺度，该电子组件的测试方法包含一个预备一测试装置的预备步骤，及一使用该测试装置对该晶圆进行测试的检测步骤。在该预备步骤中，该测试装置包括一具有多个彼此间隔平行且呈贯穿状的穿孔的探针卡，及多个分别定位于所述穿孔中的探针。该探针卡是以金属材质所制成。每个穿孔定义一条沿其轴心延伸的轴线，所述探针分别沿所述轴线设置，每一穿孔是呈单一尺寸的孔径，所述穿孔中至少有两个相邻穿孔的轴线间的距离，等于所述电性接触部中最小相邻两者的间距。在该检测步骤中，使用该测试装置对该晶圆进行测试，所述电性接触部分别与所述探针接触而形成电连接。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。较佳地，前述晶圆级电子组件的测试方法，其中，所述穿孔中任两相邻穿孔的轴线间的最小距离小于等于0.5毫米。较佳地，前述晶圆级电子组件的测试方法，其中，该测试装置还包括多个分别设置于所述穿孔内而用于定位所述探针的绝缘层。较佳地，前述晶圆级电子组件的测试方法，其中，每一个探针具有一个侧周面，及两个分别位于相反端的针端部，而每一个绝缘层是完全包覆对应探针的侧周面，但不包覆所述针端部。较佳地，前述晶圆级电子组件的测试方法，其中，每一个探针具有一个侧周面，及两个分别位于相反端的针端部，每一个绝缘层是与对应探针的侧周面局部接触以定位该探针，并使该探针与该探针卡间形成气隙。较佳地，前述晶圆级电子组件的测试方法，其中，该探针卡具有一个上座体及一个下座体，所述穿孔是贯穿该上座体及该下座体。较佳地，前述晶圆级电子组件的测试方法，其中，该探针卡还具有一个连接于该上座体的导引件，该导引件与该上座体共同围绕出一个用于容置该晶圆的容置空间。本专利技术的有益的效果在于：因为该探针卡是以金属材质所制成，且每一穿孔皆是呈单一尺寸的孔径，故使用该测试装置来对该晶圆进行测试时，只要配合所述的晶圆级封装尺度，使用所述孔径较小的该测试装置，通过所述穿孔的设计，即能配合缩短所述探针间的距离，使得所述探针得以配合该晶圆的所述电性接触部的尺度，进行尺度较小的精密测试需求。附图说明图1是一剖视图，说明一现有的测试装置，以及该测试装置的测试极限；图2是一示意图，说明组装该测试装置的其中一探针的情况；图3是一流程图，说明本专利技术晶圆级电子组件的测试方法的一实施例；图4是一剖视图，辅助图3说明在该实施例的一预备步骤及一检测步骤中使用的测试装置；图5是一局部放大图，说明该实施例的功效；图6是一局部放大图，说明该测试装置的另一种实施态样；及图7是一剖视图，说明得以对一晶圆上分割出的电子组件进行测试的测试装置。具体实施方式下面结合附图及实施例对本专利技术进行详细说明。参阅图3、4，本专利技术晶圆级电子组件的测试方法的一实施例，适用于对一晶圆9上所形成的电子组件进行测试，该晶圆9具有一基板部91，及多个设置于该基板部91上的电性接触部92。所述电性接触部92中最小相邻两者的间距小于等于晶圆级封装尺度，而所述晶圆级封装尺度为0.5毫米。该实施例包含一个预备一测试装置4的预备步骤31，及一个使用该测试装置4对该晶圆9进行测试的检测步骤32。在该预备步骤31中，该测试装置4包括一具有多个彼此间隔平行且呈贯穿状的穿孔411的探针卡41、多个分别定位于所述穿孔411中的探针42，及多个分别设置于所述穿孔411内而用于定位所述探针42的绝缘层43。该探针卡41具有一个上座体401及一个下座体402，所述穿孔411是贯穿该上座体401及该下座体402。每一个穿孔定义一条沿其轴心延伸的轴线L，所述探针42分别沿所述轴线L设置。其中，由于每一穿孔411是呈单一尺寸的孔径，故当相邻穿孔411紧密设置时，定位于所述穿孔411中的所述探针42的间距，在孔壁可尽量薄型化的前提下，只有几乎等于两倍的孔半径，借此即可有效缩小该测试装置4所能配合的检测尺度。所述穿孔411中至少有两个相邻穿孔411轴线L间的距离d，等于所述电性接触部92中最小相邻两者的间距，使得定位于所述穿孔411中的探针42，得以确实接触以晶圆级封装尺度制造的所述电性接触部92。因此，为了配合晶圆级封装尺度，所述穿孔411中任两相邻穿孔411的轴线L间的最小距离小于等于0.5毫米，使得相邻探针42间最小的距离亦得以达到0.5毫米的尺度。在该检测步骤32中，该晶圆9上的所述电性接触部92，得以分别与所述探针42接触而形成电连接，并且配合一原本就与所述探针42电连接的晶圆测试基板5，检测该晶圆9上的所述电性接触部92的功能，确保该晶圆9上的所述电性接触部92所形成的电子组件为良品。要特别说明的是，由于该测试装置4的探针卡41是以金属材质制成，利用金属材质的对于电磁波的屏蔽性质，能确实减少所述探针42传递电讯号时相互干扰的情况，有效提高该测试装置4的检测性能。参阅图5并配合图4，每一探针本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆级电子组件的测试方法，适用于对一晶圆上所形成的电子组件进行测试，该晶圆具有一个基板部，及多个设置于该基板部上的电性接触部，所述电性接触部中最小相邻两者的间距小于等于0.5毫米的晶圆级封装尺度；其特征在于：该电子组件的测试方法包含：一个预备步骤，预备一个测试装置，该测试装置包括一个具有多个彼此间隔平行且呈贯穿状的穿孔的探针卡，及多个分别定位于所述穿孔中的探针，该探针卡是以金属材质所制成，每一个穿孔定义一条沿其轴心延伸的轴线，所述探针分别沿所述轴线设置，每一个穿孔是呈单一尺寸的孔径，所述穿孔中至少有两个相邻穿孔的轴线间的距离，等于所述电性接触部中最小相邻两者的间距；及一个检测步骤，使用该测试装置对该晶圆进行测试，所述电性接触部分别与所述探针接触而形成电连接。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级电子组件的测试方法，适用于对一晶圆上所形成的电子组件进行测试，该晶圆具有一个基板部，及多个设置于该基板部上的电性接触部，所述电性接触部中最小相邻两者的间距小于等于0.5毫米的晶圆级封装尺度；其特征在于：该电子组件的测试方法包含：一个预备步骤，预备一个测试装置，该测试装置包括一个具有多个彼此间隔平行且呈贯穿状的穿孔的探针卡，及多个分别定位于所述穿孔中的探针，该探针卡是以金属材质所制成，每一个穿孔定义一条沿其轴心延伸的轴线，所述探针分别沿所述轴线设置，每一个穿孔是呈单一尺寸的孔径，所述穿孔中至少有两个相邻穿孔的轴线间的距离，等于所述电性接触部中最小相邻两者的间距；及一个检测步骤，使用该测试装置对该晶圆进行测试，所述电性接触部分别与所述探针接触而形成电连接。2.根据权利要求1所述晶圆级电子组件的测试方法，其特征在于：所述穿孔中任两相邻穿孔的轴线间的最小距离小于等于0.5毫米。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈冠忠，林政辉，孙家彬，
申请(专利权)人：颖崴科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71