【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于在多阶段温度测试期间连续测试机操作的方法相关申请的交叉参考本申请要求2016年8月3日提交的名称为“MethodforContinuousTesterOperationDuringMultipleStageTemperatureTesting(用于在多阶段温度测试期间连续测试机操作的方法)”的美国临时专利申请No.62/370,355的权益,通过参照将该申请的公开全部结合在本文中。
本公开涉及自动化制造系统和方法,特别是自动化半导体测试设备和机器人处理机。具体而言,本公开涉及优化操作自动化半导体测试设备和机器人处理机的配置和方法,以在半导体的多阶段温度测试期间实现几乎连续的半导体测试机操作。由于减少了转位定时延迟,全部总测试时间最小化,这优化了半导体测试的产出量。
技术介绍
制造和生产工业使用自动测试设备(ATE)来在各个生产阶段分析和评估所制造的产品的完整性和可操作性。在测试过程中ATE经常采用机器人操纵器机器来操纵工件和产品与ATE进行连接和脱离连接。被测半导体器件(DUT)由机器人机器提供至ATE的测试位点,由ATE进行测试,并且随后由机器人机器根据测试 ...
【技术保护点】
1.一种在处理机处在单个插入半导体测试序列期间在多个温度进行半导体测试的方法,该方法包括:将具有环境温度的一组半导体分成具有多个部分的第一子组和具有多个部分的第二子组;在第一测试周期期间,将所述第一子组的第一部分插入第一处理机测试位点内,并且将第二子组的第一部分插入第二处理机测试位点内;在第二测试循环期间,在第一测试温度测试所述第一子组的所述第一部分,所述第一测试温度为所述环境温度;在第三测试循环期间,将所述第一子组的第一部分从所述第一测试温度斜坡变化至与所述第一测试温度不同的第二测试温度,并且在所述第一测试温度测试所述第二子组的第一部分;在第四测试循环期间,在所述第二测试 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.03 US 62/370,3551.一种在处理机处在单个插入半导体测试序列期间在多个温度进行半导体测试的方法,该方法包括:将具有环境温度的一组半导体分成具有多个部分的第一子组和具有多个部分的第二子组;在第一测试周期期间,将所述第一子组的第一部分插入第一处理机测试位点内,并且将第二子组的第一部分插入第二处理机测试位点内;在第二测试循环期间,在第一测试温度测试所述第一子组的所述第一部分,所述第一测试温度为所述环境温度;在第三测试循环期间,将所述第一子组的第一部分从所述第一测试温度斜坡变化至与所述第一测试温度不同的第二测试温度,并且在所述第一测试温度测试所述第二子组的第一部分;在第四测试循环期间,在所述第二测试温度测试所述第一子组的第一部分,并且将所述第二子组的第一部分从所述第一测试温度斜坡变化至所述第二测试温度;在第五测试循环期间,在所述第二测试温度测试所述第二子组的第一部分;以及将所述第一子组的第一部分从所述第一处理机测试位点移除,并且将第二子组的第一部分从所述第二处理机测试位点移除。2.根据权利要求1所述的方法,该方法进一步包括:将所述第一子组的第一部分和所述第二子组的第一部分分级;以及为所述第一子组的第一部分和所述第二子组的第一部分编制测试结果。3.根据权利要求2所述的方法,该方法进一步包括:在第五测试循环期间,将所述第一子组的第一部分斜坡变化至第三测试温度,该第三测试温度与所述第一测试温度和所述第二测试温度不同;在第六测试循环期间,在所述第三测试温度测试所述第一子组的第一部分,并且将所述第二子组的第一部分斜坡变化至所述第三测试温度;以及在第七测试循环期间,在所述第三测试温度测试所述第二子组的第一部分。4.根据权利要求3所述的方法,该方法进一步包括:在所述第七测试循环期间,将所述第一子组的第一部分斜坡变化至所述环境温度;并且在第八测试循环期间,将所述第二子组的第一部分斜坡变化至所述环境温度。5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述处理机进行物理分级并编制分级结果。6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述测试机编制软件数据分级和标准测试数据记录(STDF)。7.根据权利要求4所述的方法,其中,当所述测试时间等于或大于斜坡变化时间时,所述单个插入测试序列完全消除了测试机转位时间。8.根据权利要求4所述的方法,其中,当所述测试时间小于所述斜坡变化时间时,所述单个插入测试序列基本上减少测试机转位时间。9.根据权利要求4所述的方法,其中,所述第二测试温度和所述第三测试温度包括低于所述环境温度的温度和高于所述环境温度的温度。10.根据权利要求6所述的方法,其中,所述标准测试数据记录(STDF)在每个单个插入测试序列期间执行并且利用附加数据增大,该附加数据包括:(1)经受测试的半导体的组和子组的标识;(2)经受温度测试的主动子组的温度;和(3)在指定测试循环插入的时间戳信息。11.根据权利要求2所述的方法,其中,所述分级包括:(1)用于既通过所述第一温度测试又通过所述第二温度测试的半导体的分级;(2)用于通过所述第一温度测试但是没有通过所述第二温度测试的半导体的分级;(3)用于没有通过所述第一温度测试但是通过所述第二温度测试的半导体的分级;和(4)用于既没有通过所述第一温度测试又没有通过所述第二温度测试的半导体的分级。12.根据权利要求3所述的方法,该方法进一步包括:在所述第七测试循环期间,将所述第一子组的第一部分斜坡变化至下一个测试温度;并且通过并行的测...
【专利技术属性】
技术研发人员:霍华德·H·小罗伯茨,
申请(专利权)人:塞勒林特有限责任公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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