半导体元件及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法为，首先形成一栅极结构于一基底上，然后形成一接触洞蚀刻停止层于栅极结构上，形成一层间介电层于接触洞蚀刻停止层上，之后进行一固化制作工艺使接触洞蚀刻停止层的氧浓度不同于层间介电层的氧浓度，并再进行一金属栅极置换制作工艺将该栅极结构转换为金属栅极。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制作方法
本专利技术涉及一种制作半导体元件的方法，尤其是涉及一种形成层间介电层之后利用固化制作工艺来降低栅极结构与源极/漏极区域间的重叠电容值(capacitanceoverlap,Cov)的方法。
技术介绍
在现有半导体产业中，多晶硅系广泛地应用于半导体元件如金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor，MOS)晶体管中，作为标准的栅极填充材料选择。然而，随着MOS晶体管尺寸持续地微缩，传统多晶硅栅极因硼穿透(boronpenetration)效应导致元件效能降低，及其难以避免的空乏效应(depletioneffect)等问题，使得等效的栅极介电层厚度增加、栅极电容值下降，进而导致元件驱动能力的衰退等困境。因此，半导体业界更尝试以新的栅极填充材料，例如利用功函数(workfunction)金属来取代传统的多晶硅栅极，用以作为匹配高介电常数(High-K)栅极介电层的控制电极。然而，在现今金属栅极晶体管制作过程中，由于间隙壁与接触洞蚀刻停止层等元件通常均由具有较高介电常数的材料所构成，使栅极结构与源极/漏极区域之间的重叠电容值(capacitan本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制作半导体元件的方法，包含：形成一栅极结构于一基底上；形成一层间介电层于该栅极结构周围；进行一固化制作工艺；以及进行一金属栅极置换制作工艺将该栅极结构转换为金属栅极。

【技术特征摘要】
1.一种制作半导体元件的方法，包含：形成一栅极结构于一基底上；形成一层间介电层于该栅极结构周围；进行一固化制作工艺；以及进行一金属栅极置换制作工艺将该栅极结构转换为金属栅极。2.如权利要求1所述的方法，还包含：形成一接触洞蚀刻停止层于该栅极结构上；形成该层间介电层于该接触洞蚀刻停止层上；进行该固化制作工艺并使该接触洞蚀刻停止层的氧浓度不同于该层间介电层的氧浓度。3.如权利要求2所述的方法，其中该层间介电层的氧浓度高于该接触洞蚀刻停止层的氧浓度。4.如权利要求2所述的方法，其中该接触洞蚀刻停止层表面的氧浓度高于该接触洞蚀刻停止层内的氧浓度。5.如权利要求1所述的方法，还包含进行该固化制作工艺，并使该接触洞蚀刻停止层以及该层间介电层具有相同介电常数。6.如权利要求1所述的方法，另包含形成一间隙壁于该栅极结构周围，其中该间隙壁包含一偏位间隙壁以及一主间隙壁。7.如权利要求6所述的方法，还包含进行该固化制作工艺使该主侧壁、该接触洞蚀刻停止层以及该层间介电层具有相同介电常数。8.如权利要求1所述的方法，还包含：进行一平坦化制作工艺去除部分该层间介电层；以及进...

【专利技术属性】
技术研发人员：许得彰，陈俊嘉，王尧展，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71