晶片级封装和组装晶片级封装的方法技术

一种组装半导体装置的方法包括将半导体管芯附接到载体，其中所述管芯的背侧附接到所述载体，且所述管芯的有源侧面向上。用第一模制化合物填充所述管芯的侧面之间的间隙。在所述管芯的所述有源侧和所述模制化合物的暴露顶侧上方形成再分布层(RDL)，由此形成组件。使所述组件单体化以形成个别半导体装置。所述载体通过预模制模制化合物形成且是最终半导体装置的主要的部分。减少位于所述管芯之间的第二模制化合物的量减少了所述组件发生翘曲的风险。

【技术实现步骤摘要】
晶片级封装和组装晶片级封装的方法
本专利技术涉及集成电路(IC)的封装，以及更具体地说，涉及一种组装晶片级封装(WLP)的方法和使用该方法组装好的晶片级封装。
技术介绍
晶片级封装由于整体封装的小尺寸和由于无需引线框架或导线键合所致的更低成本而已经变得非常普及。常见组装方法包括将半导体管芯面向下置于临时载体或基板上。使用压缩模制过程将管芯和临时载体与模制化合物过模制。在模制之后，移除载体或基板。接着翻转模制的管芯，从而使管芯有源表面暴露。在管芯上方形成建立结构且将导电球附接到建立的结构。使组件单体化，由此提供个别装置。图1是示出使用常规组装过程组装晶片级封装的方法的放大横截面侧视图。在第一步骤中，将多个半导体管芯10附接到临时载体或基板12，其中管芯10面向下(即，有源侧向下)置于基板12上。载体12通常由钢制成。接下来，执行压缩模制过程，使得管芯10的后表面和侧表面由模制化合物14覆盖，且固化模制化合物。接下来，移除临时载体12，且接着在管芯10上方形成扇出或再分布层16且将焊料球18附接到再分布层16。图2是在包覆模制过程和移除临时载体或基板12之后面向上安置于模制化合物14中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种组装多个半导体装置的方法，其特征在于，包括：将多个半导体管芯附接到载体，其中所述管芯的背侧附接到所述载体，且所述管芯的有源侧面向上；用第一模制化合物填充所述管芯的侧面之间的间隙，其中所述模制化合物的顶侧暴露；在所述管芯的所述有源侧和所述模制化合物的所述暴露顶侧上方形成再分布层，由此形成组件；以及使所述组件单体化以形成所述多个半导体装置，其中所述载体包括所述半导体装置的主要的部分。

【技术特征摘要】
2017.09.19 US 15/709,4271.一种组装多个半导体装置的方法，其特征在于，包括：将多个半导体管芯附接到载体，其中所述管芯的背侧附接到所述载体，且所述管芯的有源侧面向上；用第一模制化合物填充所述管芯的侧面之间的间隙，其中所述模制化合物的顶侧暴露；在所述管芯的所述有源侧和所述模制化合物的所述暴露顶侧上方形成再分布层，由此形成组件；以及使所述组件单体化以形成所述多个半导体装置，其中所述载体包括所述半导体装置的主要的部分。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：移除所述载体的暴露表面的一部分，由此使所述多个半导体装置变薄。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，用所述第一模制化合物填充所述管芯的所述侧面之间的所述间隙包括使用离型膜执行压缩模制过程。4.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一模制化合物，其形成为具有顶表面和底表面的载体；半导体管芯，其具有附接到所述第一模制化合物的所述顶表面的背侧；第二模制化合物，其形成于所述半导体管芯的侧面上且覆盖所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：何中雄，
申请(专利权)人：恩智浦有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL