应用于三维图像传感器的背景噪声抑制像素结构制造技术

本发明专利技术涉及图像传感器领域，为使基于ToF的3D图像传感器具有更优秀的成像和探测性能，提高成像精度，降低背景噪声，进而扩大3D图像传感器的使用场合，本发明专利技术，应用于三维图像传感器的背景噪声抑制像素结构，由PMOS管P1‑P2,光电二极管Photo‑detector，差分比较器DDA，透明锁存器Latch，与非门NAND和与门AND组成,连接关系如下：PMOS管P1源极接电源VDD，P1漏级接光电二极管Photo‑detector的FD1；PMOS管P2源极接电源VDD，P2漏级接光电二极管Photo‑detector的FD2。本发明专利技术主要应用于图像传感器设计制造场合。

Background Noise Suppression Pixel Structure for 3D Image Sensors

The invention relates to the field of image sensor. In order to make the ToF-based 3D image sensor have better imaging and detection performance, improve imaging accuracy, reduce background noise, and further expand the application occasion of the 3D image sensor, the invention is applied to the background noise suppression pixel structure of the three-dimensional image sensor, which is composed of PMOS transistor P1 P2, photodiode Photo detector and differential comparison. DDA, transparent latch Latch, which is composed of non-gate NAND and gate AND, is connected as follows: PMOS P1 source-connected power supply VDD, P1 drain-connected photodiode Photo detector FD1; PMOS P2 source-connected power supply VDD, P2 drain-connected photodiode Photo detector FD2. The invention is mainly applied to the design and manufacture of image sensor.

【技术实现步骤摘要】
应用于三维图像传感器的背景噪声抑制像素结构
本专利技术涉及图像传感器领域，特别涉及一种能够实现背景噪声抑制的三维图像传感器像素结构。
技术介绍
传感器作为人类感官的延伸，实现了对外界信息准确可靠的获取和转换，以达到人类对信息进行传输、处理、存储的目的。其中图像传感器更是在工业生产、宇宙开发、海洋探测、医学诊断、生物工程等多个领域发挥着重要作用。但仅能反映图像灰度和颜色信息的二维(2D)成像技术已经不能满足社会发展的需要。为了更好的感知了解现实世界中复杂的事物，能够在2D成像的基础上对事物的深度信息进行描绘的三维(3D)成像技术应运而生，2D成像效果与3D成像效果对比如图1所示，3D成像传感器(深度传感器)计算得到每个像素点的深度信息，从而可以轻易得到(x,y,z)点云数据。基于飞行时间(TimeofFlight，ToF)的连续波调制间接3D图像传感器原理如图2所示，光源发生器发射经调制的光信号，一般为正弦波调制和方波调制，经过往返距离延迟后，到达探测器的相位发生改变，通过测量相位的变化从而计算得到目标距离信息L，即为了提高3D图像传感器的性能以及增加可以应用的场景，增加背景光抑制电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用于三维图像传感器的背景噪声抑制像素结构，其特征是，由PMOS管P1‑P2,光电二极管Photo‑detector，差分比较器DDA，透明锁存器Latch，与非门NAND和与门AND组成,连接关系如下：PMOS管P1源极接电源VDD，P1漏级接光电二极管Photo‑detector的FD1；PMOS管P2源极接电源VDD，P2漏级接光电二极管Photo‑detector的FD2；光电二极管中的节点FD1与节点FD2分别与差分比较器的反相输入端Vin‑和同相输入端Vin+端口相连接；差分比较器DDA中的反相参考端口Vref‑和同相参考端口Vref+分别接参考电压，差分比较器的输出端口V...

【技术特征摘要】
1.一种应用于三维图像传感器的背景噪声抑制像素结构，其特征是，由PMOS管P1-P2,光电二极管Photo-detector，差分比较器DDA，透明锁存器Latch，与非门NAND和与门AND组成,连接关系如下：PMOS管P1源极接电源VDD，P1漏级接光电二极管Photo-detector的FD1；PMOS管P2源极接电源VDD，P2漏级接光电二极管Photo-detector的FD2；光电二极管中的节点FD1与节点FD2分别与差分比较器的反相输入端Vin-和同相输入端Vin+端口相连接；差分比较器DDA中的反相参考端口Vref-和同相参考端口Vref+分别接参考电压，差分比较器的输出端口Vout与透明锁存器Latch的输入端口D相连接；透明锁存器Latch的clk端口接时钟clk+，clkb端口接反相时钟clk-，输出端口Q接与非门B输入端；与非门A输入端接时钟clk+，输出端接与门A...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐江涛，史晓琳，聂凯明，高静，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津,12