阵列基板制造技术

一种阵列基板，包括基底、多条第一扫描线、多条第二扫描线以及多个辅助电极。多条第一扫描线配置于基底上。多条第二扫描线配置于基底上，其中各第一扫描线的长度不同于各第二扫描线的长度。多个辅助电极与多条第二扫描线相重叠，其中各辅助电极重叠于各第二扫描线的面积大于各辅助电极重叠于各第一扫描线的面积。

Array substrate

An array substrate includes a substrate, a plurality of first scanning lines, a plurality of second scanning lines and a plurality of auxiliary electrodes. A number of first scan lines are arranged on the substrate. A number of second scanning lines are arranged on the substrate, in which the length of each first scanning line is different from that of each second scanning line. Multiple auxiliary electrodes overlap with multiple second scanning lines, in which the area of each auxiliary electrode overlapping each second scanning line is larger than that of each auxiliary electrode overlapping each first scanning line.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板
本专利技术是关于一种阵列基板，且特别是关于一种应用于显示面板的阵列基板。
技术介绍
随着日新月异的科技发展，显示面板于今日社会已是随处可见，并广泛的运用在各种电子产品，例如智能手机(smartmobilephone)、个人数字助理(PersonalDigitalAssistant；PDA)、平板电脑(tabletPC)或虚拟实境(VirtualReality；VR)装置中。为了满足使用者的需求，显示面板通常会与其他元件(例如：摆放喇叭、光学感应元件或镜头)相整合。然而，为了与其他元件相整合，在设计上显示面板的显示区域通常呈现不规则形状，因而在进行显示时，显示区域内的扫描线容易发生电容不均匀的问题，而影响显示效果。
技术实现思路
本专利技术的至少一实施方式提供一种阵列基板，其可达到电容补偿目的以使扫描线所负载的电容实现均匀性。本专利技术的至少一实施方式的阵列基板包括基底、多条第一扫描线、多条第二扫描线以及多个辅助电极。多条第一扫描线配置于基底上。多条第二扫描线配置于基底上，其中各第一扫描线的长度不同于各第二扫描线的长度。多个辅助电极与多条第二扫描线相重叠，其中各辅助电极重叠于各第二扫描线的面积大于各辅助电极重叠于各第一扫描线的面积。基于上述，在本专利技术的至少一实施方式的阵列基板中，每一第一扫描线的长度不同于每一第二扫描线的长度，透过每一辅助电极重叠于每一第二扫描线的面积大于每一辅助电极重叠于每一第一扫描线的面积，使得当阵列基板应用于显示面板进行显示时，可达到电容补偿目的以使第一扫描线及第二扫描线所负载的电容实现均匀性。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。附图说明图1是依照本专利技术的一实施方式的阵列基板的上视示意图。图2是图1中的区域K的放大示意图。图3是依照本专利技术的另一实施方式的阵列基板的上视示意图。图4是图3中的区域Q的放大示意图。图5是依照本专利技术的另一实施方式的阵列基板的上视示意图。图6是依照本专利技术的另一实施方式的阵列基板的上视示意图。图7是依照本专利技术的另一实施方式的阵列基板的上视示意图。图8是依照本专利技术的另一实施方式的阵列基板的上视示意图。图9是依照本专利技术的另一实施方式的阵列基板的上视示意图。图10是依照本专利技术的另一实施方式的阵列基板的上视示意图。其中，附图标记：10、20、30、40、50、60、70、80：阵列基板100：基底110：辅助电极110a：主体部110b：分支部C、Ca：弯折DL：数据线K、Q：区域O：缺口PE：像素电极S：侧边SL1：第一扫描线SL2、SL2a、SL2b：第二扫描线T：有源元件U：像素单元X：第二方向Y：第一方向具体实施方式下面结合附图对本专利技术的结构原理和工作原理作具体的描述：在本文中，由「一数值至另一数值」表示的范围，是一种避免在说明书中一一列举该范围中的所有数值的概要性表示方式。因此，某一特定数值范围的记载，涵盖该数值范围内的任意数值以及由该数值范围内的任意数值界定出的较小数值范围，如同在说明书中明文写出该任意数值和该较小数值范围一样。本文使用的「约」、「近似」、「本质上」、或「实质上」包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，「约」可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或例如±30％、±20％、±15％、±10％、±5％内。再者，本文使用的「约」、「近似」、「本质上」、或「实质上」可依量测性质、切割性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件「上」或「连接到」另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为「直接在另一元件上」或「直接连接到」另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，「连接」可以指物理及/或电性连接。再者，「电性连接」可为二元件间存在其它元件。应当理解，尽管术语「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分，但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的「第一元件」、「部件」、「区域」、「层」或「部分」可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。此外，诸如「下」和「上」的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系，如图所示。应当理解，相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其他元件的「下」侧的元件将被定向在其他元件的「上」侧。因此，示例性术语「下」可以包括「下」和「上」的取向，取决于附图的特定取向。除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与任何所属
中具有通常知识者通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本专利技术的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。图1是依照本专利技术的一实施方式的阵列基板的上视示意图。图2是图1中的区域K的放大示意图。请同时参照图1及图2，阵列基板10可包括基底100、多条第一扫描线SLl、多条第二扫描线SL2以及多个辅助电极110。在本实施方式中，阵列基板10可选择性地更包括多条数据线DL以及多个像素单元U。在本实施方式中，基底100具有连接于侧边S的缺口O。如此一来，若将阵列基板10应用于显示面板时，可以将其他的元件(例如：摆放喇叭、光学感应元件或镜头)配置于缺口O处，藉此使得阵列基板10可以与其他的元件整合。另外，由于基底100具有缺口O，基底100为不规则(或称为异形)基底。在本实施方式中，基底100的材质可为玻璃、石英或有机聚合物。在本实施方式中，如图1所示，缺口O的轮廓呈类似于矩形，但本专利技术并不限于此。在其他实施方式中，缺口O的轮廓可以依据设计上的需求而加以调整，举例而言：缺口O的轮廓可成类似于圆形，或者缺口O的边角可以为弧角。在本实施方式中，多条第一扫描线SL1及多条第二扫描线SL2配置于基底100上。在本实施方式中，每一第二扫描线SL2的长度不同于每一第一扫描线SL1的长度。如图1所示，每一第二扫描线SL2具有邻近于缺口O的四个弯折C，因此每一第二扫描线SL2的长度大于每一第一扫描线SL1的长度。虽然图1揭示每一第二扫描线SL2具有邻近于缺口O的四个弯折C，但本专利技术并不限制每一第二扫描线SL2所具有的弯折C的数量，根据实际上阵列基板10的架构、需求等，每一第二扫描线SL2只要具有邻近于缺口O的至少一弯折C以使每一第二扫描线SL2的长度不同于每一第一扫描线SL1的长度即落入本专利技术范畴。基于导电性的考量，多条第一扫描线SL1及多条第二扫描线SL2一般是使用金属材料来制作。然而，本专利技术并不限于此，根据其他实施方式，多条第一扫描线SL1及多条第二扫描线SL2也可以使用例如合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、非金属但具导电特性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：一基底；多条第一扫描线，配置于该基底上；多条第二扫描线，配置于该基底上，其中各该第一扫描线的长度不同于各该第二扫描线的长度；以及多个辅助电极，与该些第二扫描线相重叠，其中各该辅助电极重叠于各该第二扫描线的面积大于各该辅助电极重叠于各该第一扫描线的面积。

【技术特征摘要】
2018.09.20 TW 1071330811.一种阵列基板，其特征在于，包括：一基底；多条第一扫描线，配置于该基底上；多条第二扫描线，配置于该基底上，其中各该第一扫描线的长度不同于各该第二扫描线的长度；以及多个辅助电极，与该些第二扫描线相重叠，其中各该辅助电极重叠于各该第二扫描线的面积大于各该辅助电极重叠于各该第一扫描线的面积。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，其中各该辅助电极包括：一主体部，沿一第一方向延伸；以及多个分支部，连接于该主体部，其中各该分支部沿一第二方向延伸，该第一方向与该第二方向相交。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，其中各该辅助电极的该主体部以及该些分支部共同构成一鱼骨状图案，且分别位于该主体部相对两侧的该些分支部的两相邻者具有相同的长度且重叠于同一条第二扫描线。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，其中各该辅助电极的该些分支部不重叠于各该第一扫描线。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，其中：该基底具有一侧边及一缺口，该缺口连接于该侧边；以及各该第二扫描线具有邻近于该缺口的至少一弯折。6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，其中该基底具有一侧边及一缺口，该缺口连接于该侧边，且该缺口位于该些第二扫描线中的两者之间。7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，其中：该基底具有一侧边及一缺口，该缺口...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑和宜，罗谚桦，黄馨谆，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71