发光二极管显示器及其制造方法技术

一种发光二极管显示器的制造方法，其包括以下步骤。提供包括多个驱动元件的基板。转置多个发光单元于基板上，发光单元各自包括第一电极、第二电极和位于两者之间的发光结构。于发光单元上分别形成相对应的第一导体结构。于基板上形成绝缘层，其覆盖第一导体结构与第一电极且暴露出第二电极。于绝缘层上形成电性连接至第二电极的第二导体结构，其中发光单元包括多个第一和第二发光单元，第一发光单元的第一导体结构电性连接相对应的第一电极和驱动元件，且第二发光单元的第一导体结构电性连接相对应的第一电极和第二电极。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管显示器及其制造方法
本专利技术涉及一种显示器及其制造方法，且特别涉及一种发光二极管显示器及其制造方法。
技术介绍
随着光电技术的演进，传统的白炽灯泡与荧光灯管已逐渐被新一代的固态光源例如是发光二极管(light-emittingdiode,LED)所取代，其具有诸如寿命长、体积小、高抗震性、高光效率及低功率消耗等优点，因此已经广泛在家用照明及各种设备中作为光源使用。除了液晶显示器的背光模块与家用照明灯具已广泛采用发光二极管作为光源之外，近年来，发光二极管的应用领域已扩展至道路照明、大型户外看板、交通号志灯、UV固化及相关领域。发光二极管已经成为发展兼具省电及环保功能的光源的主要项目之一。在LED领域中，微型发光二极管(microLED)具有高亮度、高对比、体积小及低耗电等优点，因此近年来逐渐受到重视。当微型发光二极管应用于在显示技术的领域中，以红、蓝、绿的微型发光二极管芯片当作显示子像素，将这些多个可独立发光的微型发光二极管芯片排列成显示画面的显示技术，即为微型发光二极管显示器的技术。一般来说，微型发光二极管显示器是利用转置技术来将微型发光二极管设置在主动阵列基板上，然而巨量转置(masstransfer)工艺容易出现对位不准或是电极桥接不良的问题，进而造成微型发光二极管的分辨率无法提升及生产良率下降。因此，如何改善电极桥接不良的问题，以提升发光二极管显示器的分辨率及生产良率，实为目前研发人员积极研究的课题之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光二极管显示器及其制造方法，其能够改善电极桥接不良的问题，使得发光二极管显示器具有较好的生产良率同时可以使显示器的分辨率可以提升。本专利技术的发光二极管显示器的制造方法，其包括以下步骤：提供包括多个驱动元件的基板。转置多个发光单元于基板上，发光单元各自包括第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极间的发光结构。分别形成相对应的第一导体结构于发光单元上，第一导体结构分别与相对应的第一电极电性连接。于基板上形成绝缘层，绝缘层覆盖第一导体结构与第一电极且暴露出第二电极。以及于绝缘层上形成第二导体结构，使第二导体结构电性连接至第二电极，其中发光单元包括多个第一发光单元与多个第二发光单元，第一发光单元的第一导体结构电性连接相对应的第一电极和相对应的驱动元件，且第二发光单元的第一导体结构电性连接相对应的第一电极和相对应的第二电极。在本专利技术的发光二极管显示器，其包括基板、第一发光单元、第二发光单元、多个第一导体结构、第一绝缘层以及第二导体结构。基板包括驱动元件和共用电极。第一发光单元设置于基板上，且第一发光单元包括第一电极、第二电极和配置于第一电极与该第二电极之间的第一发光结构。第二发光单元设置于基板上，且第二发光单元包括第三电极、第四电极和配置于第三电极与第四电极之间的第二发光结构。多个第一导体结构分别设置于第一发光单元和第二发光单元上，且第一电极通过相对应的第一导体结构与驱动元件电性连接，而第三电极通过相对应的第一导体结构与第四电极和共用电极电性连接。第一绝缘层设置于基板上，且第一绝缘层覆盖于第一电极之上。第二导体结构设置于第一绝缘层上且第二导体结构与第二电极和第四电极电性相连。基于上述，在本专利技术的发光二极管显示器及其制造方法中，发光单元包括多个第一发光单元与多个第二发光单元，其中第一发光单元的第一导体结构电性连接相对应的第一电极和相对应的驱动元件，且第二发光单元的第一导体结构电性连接相对应的第一电极和相对应的第二电极。如此一来，第二发光单元可用来当作从基板桥接至第一发光单元的导线，故可避免桥接线路在第一发光单元的爬坡处(例如侧壁)产生断线的问题，并且显示区内用来设置桥接线路的空间也可缩减，致使发光二极管显示器具有良好的分辨率及生产良率。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。附图说明图1A至图1D为本专利技术一实施例的发光二极管显示器的制造方法的剖面示意图。图2为本专利技术一实施例的发光二极管显示器的俯视图。图3为本专利技术另一实施例的发光二极管显示器的俯视图。图4为本专利技术又一实施例的发光二极管显示器的俯视图。图5为本专利技术再一实施例的发光二极管显示器的剖面示意图。图6为本专利技术再一实施例的发光二极管显示器的剖面示意图。附图标记说明：100：基板S：基材TFT：驱动元件C1、C2：接触窗IL1、IL2、IL3、IL3’：绝缘层CE：共用电极EU1、EU2：发光单元E1、E1’：第一电极E2：第二电极LES：发光结构SE1：第一半导体层SE2：第二半导体层EL：主动层CS1：第一导体结构CS2、CS2’：第二导体结构AA：显示区PA：周边区LED1、LED2、LED3：发光二极管显示器具体实施方式以下将参照本实施例的附图以更全面地阐述本专利技术。然而，本专利技术亦可以各种不同的形式体现，而不应限于本文中所述的实施例。附图中的层与区域的厚度会为了清楚起见而放大。相同或相似的参考号码表示相同或相似的元件，以下段落将不再一一赘述。另外，实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附加附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本专利技术。此外，在各附图中使用相似或相同的元件符号来标示相似或相同元件或特征，且附图中如有与前一图相同的元件符号，则将省略其赘述。图1A至图1D为本专利技术一实施例的发光二极管显示器的制造方法的剖面示意图。首先，请参照图1A，提供基板100。在本实施例中，基板100可包括多个驱动元件TFT，亦即，基板100可作为显示器的驱动阵列基板。驱动元件TFT可以是主动元件或是被动元件(无源元件)。举例来说，主动元件可以是薄膜晶体管；而被动元件可以是二极管。在本实施例中，基板100可包括基材S、绝缘层IL1、多个驱动元件TFT以及多个接触窗C1。在本实施例中，驱动元件TFT可设置于基材S上。基材S的材料可为玻璃、石英、有机聚合物、或是不透光/反射材料(例如：导电材料、金属、晶圆、陶瓷或其它可适用的材料)或是其它可适用的材料。若基材S使用导电材料或金属时，则在基材S上覆盖一层绝缘层(未示出)，以避免短路问题。在一些实施例中，基材S还可包括用来当作缓冲层的无机材料，例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或其组合。在本实施例中，绝缘层IL1可设置于基材S上且覆盖驱动元件TFT。在一些实施例中，绝缘层IL1的材料可以是无机介电材料、有机介电材料或其组合。举例来说，无机介电材料可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其组合；有机介电材料可以是聚酰亚胺是树脂、环氧是树脂或亚克力是树脂等高分子材料。接触窗C1可设置于绝缘层IL1中，其可用来电性连接驱动元件TFT和后续转置于基板100上的发光单元EU1(即第一发光单元)。接触窗C1的材料可以是导电材料，例如金属、金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物或其组合。在一些实施例中，基板100还可包括共用电极CE，其可与后续转置于基板100上的发光单元EU2(即第二发光单元)电性连接。在本实施例中，共用电极CE可设置于基材S上且被绝缘层IL1所覆盖，并且共用电极CE可通过接触窗C2电性连接至后续转置于基板100上的发光单元EU2(即第二发光单元)，但本专利技术不以此为限。在其他实施例中，共本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管显示器的制造方法，包括：提供一基板，该基板包括多个驱动元件；转置多个发光单元于该基板上，所述发光单元各自包括一第一电极、一第二电极和位于该第一电极与该第二电极间的一发光结构；分别形成相对应的一第一导体结构于所述发光单元上，所述第一导体结构分别与相对应的该第一电极电性连接；于该基板上形成一绝缘层，该绝缘层覆盖所述第一导体结构与所述第一电极且暴露出所述第二电极；以及于该绝缘层上形成一第二导体结构，使该第二导体结构电性连接至所述第二电极，其中所述发光单元包括多个第一发光单元与多个第二发光单元，所述第一发光单元的所述第一导体结构电性连接相对应的该第一电极和相对应的该驱动元件，且所述第二发光单元的所述第一导体结构电性连接相对应的该第一电极和相对应的该第二电极。

【技术特征摘要】
2018.05.31 TW 1071186231.一种发光二极管显示器的制造方法，包括：提供一基板，该基板包括多个驱动元件；转置多个发光单元于该基板上，所述发光单元各自包括一第一电极、一第二电极和位于该第一电极与该第二电极间的一发光结构；分别形成相对应的一第一导体结构于所述发光单元上，所述第一导体结构分别与相对应的该第一电极电性连接；于该基板上形成一绝缘层，该绝缘层覆盖所述第一导体结构与所述第一电极且暴露出所述第二电极；以及于该绝缘层上形成一第二导体结构，使该第二导体结构电性连接至所述第二电极，其中所述发光单元包括多个第一发光单元与多个第二发光单元，所述第一发光单元的所述第一导体结构电性连接相对应的该第一电极和相对应的该驱动元件，且所述第二发光单元的所述第一导体结构电性连接相对应的该第一电极和相对应的该第二电极。2.如权利要求1所述的发光二极管显示器的制造方法，其中转置所述发光单元为通过一微拾取阵列形式将所述发光单元设置于该基板上。3.如权利要求1所述的发光二极管显示器的制造方法，其中各该发光单元的该第一电极与该第二电极皆配置于该发光结构的远离该基板的表面上。4.如权利要求1所述的发光二极管显示器的制造方法，其中所述第一电极形成于所述发光结构的邻近该基板的表面上，所述第二电极形成于所述发光结构的远离该基板的表面上，且所述第一导体结构覆盖于被所述发光结构所暴露的所述第一电极之上。5.如权利要求1所述的发光二极管显示器的制造方法，其中所述发光结构各自包括一第一半导体层、一主动层以及一第二半导体层，该主动层位于该第一半导体层与该第二半导体层之间，且该第一电极与该第一半导体层电性连接，该第二电极与该第二半导体层电性连接。6.如权利要求1所述的发光二极管显示器的制造方法，其中该基板还包括：一共用电极，电性连接所述第二发光单元的所述第一导体结构。7.一种发光二极管显示器，包括：一基板，包括一驱动元件和一共用电极；一第一发光单...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹梓毅，刘品妙，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71