【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及其封装方法
本专利技术涉及半导体
,特别涉及一种发光二极管及其封装方法。
技术介绍
发光二极管(英文:LightEmittingDiode,简称:LED)是一种能发光的半导体电子元件。自20世纪90年代氮化镓(GaN)基LED由日本科学家开发成功以来,LED的工艺技术不断进步,LED的发光亮度不断提高,LED的应用领域也越来越广。LED作为高效、环保、绿色的新一代固态照明光源,具有低电压、低功耗、体积小、重量轻、寿命长、可靠性高等优点,正在迅速广泛地应用在交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源、户外全彩显示屏等领域。尤其在照明领域,LED已经成为照明市场的主流。LED照明通常的实现方式包括:将LED芯片固定在封装支架上,封装支架对LED芯片起到支撑作用;通过金线将LED芯片与封装支架电连接,金线将外部电路的电流导入LED芯片,LED芯片在电流的驱动下发光;在LED芯片上设置掺有荧光粉的封胶,将LED芯片和金线包裹在封胶内,完成LED芯片的封装,荧光粉在LED发出的蓝光激发下发出黄光,黄光和蓝光混合实现白光。伴随着LED应用的范围和深 ...
【技术保护点】
1.一种发光二极管,其特征在于,所述发光二极管包括封装支架、发光二极管芯片、金属线和掺有荧光粉的封装胶体,所述封装支架的上表面的中心设有凹陷部,所述发光二极管芯片固定在所述凹陷部内,所述发光二极管芯片的上表面所在的平面与所述封装支架的上表面所在的平面之间的距离小于或等于设定值;所述金属线呈直线状,所述金属线的两端分别与所述发光二极管芯片和所述封装支架电连接;所述封装胶体设置在所述发光二极管芯片和所述金属线上。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管,其特征在于,所述发光二极管包括封装支架、发光二极管芯片、金属线和掺有荧光粉的封装胶体,所述封装支架的上表面的中心设有凹陷部,所述发光二极管芯片固定在所述凹陷部内,所述发光二极管芯片的上表面所在的平面与所述封装支架的上表面所在的平面之间的距离小于或等于设定值;所述金属线呈直线状,所述金属线的两端分别与所述发光二极管芯片和所述封装支架电连接;所述封装胶体设置在所述发光二极管芯片和所述金属线上。2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述金属线的截面为长方形,所述长方形的长边垂直于所述发光二极管芯片的上表面。3.根据权利要求2所述的发光二极管,其特征在于,所述长方形的长度为所述长方形的宽度的1.5倍~2.5倍。4.根据权利要求2或3任一项所述的发光二极管,其特征在于,所述金属线的两端为球形,所述球形的直径大于或等于所述长方形的长度。5.根据权利要求2或3所述的发光二极管,其特征在于,所述设定值为所述长方形长度的1/4~1/2。6.根据权利要求1~3任一项所述的发光二极管,其特征在于,所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极和P型电极,所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体依次层叠在所述衬底的第一表面上,所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员:兰叶,顾小云,
申请(专利权)人:华灿光电浙江有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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