【技术实现步骤摘要】
一种能增加LED芯片出光的发光二极管结构
本专利技术属于半导体光电子
，特别是能增加LED出光的芯片结构。
技术介绍
发光二极管（LED）是利用半导体的P-N结电致发光原理制成的一种半导体发光器件。LED具有无污染、高亮度、功耗小、寿命长、工作电压低、易小型化等优点。目前，在常规正装发光二极管结构中，从量子阱发出的光，在通过氮化镓/蓝宝石界面时会透射过去，大大降低了发光二极管的出光效率。
技术实现思路
针对上述现有技术中存在的不足，本专利技术的目的是提供一种能增加LED芯片出光的发光二极管结构。它通过将激光器在LED芯片中制作具有一定周期结构的空洞，对在LED芯片中的光进行反射，增加LED芯片的出光，提高LED芯片的性能。为了达到上述专利技术目的，本专利技术的技术方案以如下方式实现：一种能增加LED芯片出光的发光二极管结构，它包括衬底以及置于衬底上方依次由N型GaN层、发光层、P型GaN层和透明导电层组成的发光结构。在N型GaN层上的一端置有N型电极，透明导电层上、与N型电极相对的另一端置有P型电极。其结构特点是：所述衬底内部设有点阵孔。在上述发光二极管结构中，所述点阵孔为两层。在上述发光二极管结构中，所述点阵孔呈周期性排列，两层点阵孔的排列方式相同。在上述发光二极管结构中，所述两层点阵孔的排列为正方形或者三角形排列，临近点之间的间距为50-100um。在上述发光二极管结构中，所述两层点阵孔之间的上下距离为10-20um。在上述发光二极管结构中，所述下层点阵孔与所述衬底底部的距离为20-50um。避免LED芯片断裂。在上述发光二极管结构中，所述衬底为蓝宝...
【技术保护点】
1.一种能增加LED芯片出光的发光二极管结构，它包括衬底（1）以及置于衬底（1）上方依次由N型GaN层（2）、发光层（3）、P型GaN层（4）和透明导电层（5）组成的发光结构，在N 型GaN层（2）上的一端置有N型电极（6），透明导电层（5）上、与N 型电极（6）相对的另一端置有P 型电极（7），其特征在于：所述衬底（1）内部设有点阵孔（8）。
【技术特征摘要】
1.一种能增加LED芯片出光的发光二极管结构，它包括衬底（1）以及置于衬底（1）上方依次由N型GaN层（2）、发光层（3）、P型GaN层（4）和透明导电层（5）组成的发光结构，在N型GaN层（2）上的一端置有N型电极（6），透明导电层（5）上、与N型电极（6）相对的另一端置有P型电极（7），其特征在于：所述衬底（1）内部设有点阵孔（8）。2.根据权利要求1所述的能增加LED芯片出光的发光二极管结构，其特征在于：所述点阵孔（8）为两层。3.根据权利要求1或2所述的能增加LED芯片出光的发光二极管结构，其特征在于：所述点阵孔（8）呈周期性排列，两层点...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴飞翔，朱剑峰，胡荣，葛海，李文忠，
申请(专利权)人：南通同方半导体有限公司，同方股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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