【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及其制备方法
本申请涉及半导体
,更具体地说,涉及一种发光二极管及其制备方法。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode,LED),也称为电致发光二极管,是LED灯的核心组件。随着发光二极管技术的快速发展,发光二极管在各领域中的应用越来越广泛。对于四元系倒装芯片而言,其结构参考图1,具体包括第一电极、外延层、Gap层、介质膜、介质孔、镜面反射层、键合层、硅衬底和第二电极;其制备时通常通过在一块转移衬底上进行外延层、Gap层、介质膜、介质孔和镜面反射层的制备,然后通过分别设置在镜面反射层和硅衬底上的键合金属层实现与硅衬底的键合,形成键合层;最后去除转移衬底并进行第一电极和第二电极的制备。在图1所示的芯片结构中,设置镜面反射层的目的是对外延层出射的光线的反射,提升发光二极管的出光效率;而设置介质膜的目的是提升镜面反射层对光线的反射效果并且起到对电流扩展的效果,而介质膜中的介质孔的作用是实现外延层与镜面反射层的电连接。但是在图1所示的芯片结构中,由于发光二极管中的电流方向垂直向下,方向单一并且集中在介质孔周围,容易导致发光二极管中某 ...
【技术保护点】
1.一种发光二极管,其特征在于,包括:第一衬底;位于所述第一衬底上依次设置的键合金属层和镜面反射层;位于所述镜面反射层背离所述第一衬底一侧依次层叠设置的第一电感层和第二电感层;所述第一电感层包括第一绝缘层和多个第一电极结构,所述第一绝缘层包括多个第一孔洞,所述第一电极结构设置于所述第一孔洞中,且与所述镜面反射层电连接;所述第二电感层包括第二绝缘层和多个第二电极结构,所述第二绝缘层包括多个第二孔洞,所述第二电极结构设置于所述第二孔洞中,且与所述第一电极结构电连接,多个所述第二孔洞在所述第一衬底上的正投影与多个所述第一孔洞在所述第一衬底上的正投影至少部分重叠;位于所述第二电感层 ...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管,其特征在于,包括:第一衬底;位于所述第一衬底上依次设置的键合金属层和镜面反射层;位于所述镜面反射层背离所述第一衬底一侧依次层叠设置的第一电感层和第二电感层;所述第一电感层包括第一绝缘层和多个第一电极结构,所述第一绝缘层包括多个第一孔洞,所述第一电极结构设置于所述第一孔洞中,且与所述镜面反射层电连接;所述第二电感层包括第二绝缘层和多个第二电极结构,所述第二绝缘层包括多个第二孔洞,所述第二电极结构设置于所述第二孔洞中,且与所述第一电极结构电连接,多个所述第二孔洞在所述第一衬底上的正投影与多个所述第一孔洞在所述第一衬底上的正投影至少部分重叠;位于所述第二电感层背离所述第一衬底一侧的第三电感层,所述第三电感层包括第三绝缘层和多个第三电极结构,所述第三绝缘层包括多个第三孔洞,所述第三电极结构设置于所述第三孔洞中,且与所述第二电极结构电连接,多个所述第三孔洞在所述第一衬底上的正投影与多个所述第二孔洞在所述第一衬底上的正投影至少部分重叠;位于所述第三电感层背离所述第一衬底一侧依次层叠设置的外延结构层和第一电极。2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述外延结构层背离所述第一衬底一侧的裸露表面为粗糙表面。3.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述第三电极结构为ITO结构。4.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述第一绝缘层为氮化硅层或二氧化硅层或碳化硅层;所述第二绝缘层为氮化硅层或二氧化硅层或碳化硅层;所述第三绝缘层为氮化硅层或二氧化硅层或碳化硅层。5.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述外延结构层包括:位于所述第三电感层背离所述第一衬底表面依次层叠设置的第一型缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层、DBR层、第一型粗化层、第一型电流扩...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵炆兼,贾钊,曹广亮,郭冠军,马祥柱,
申请(专利权)人:扬州乾照光电有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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