一种正装LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种正装LED芯片，包括衬底，设于衬底表面的发光结构，所述发光结构包括设于衬底上的第一半导体层、设于第一半导体层上的第一电极和有源层、设于有源层上的第二半导体层、依次设于第二半导体层上的第一布拉格反射层和第二电极；设于衬底背面的第二反射层，其中，第二反射层的反射率大于第一布拉格反射层的反射率。本实用新型专利技术在衬底的两侧形成反射层，激发能效低的光都被第一布拉格反射层和第二反射层过滤掉，从而提升荧光粉的转换效率，进而提高正装LED芯片的显色指数，降低色温；同时能够减少封装后LED芯片的短波长光发射，减少对人眼的损害。

【技术实现步骤摘要】
一种正装LED芯片
本技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种正装LED芯片。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，正装LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。现有正装LED芯片的量子阱在生长过程中有10-12层，而每一层量子阱会存在差异，使得量子阱的有效带隙宽度减小，使激发峰值偏移，半波宽变宽，导致荧光粉的效能不能得到很好的激发，影响正装LED芯片的发光效率。正装LED芯片在封装时，一般将正装LED芯片固定在支架上，然后进行打线，打线后灌入荧光粉和胶水，再经过170度烘烤，最终制成LED灯珠。其中，荧光粉与正装LED芯片的配比会影响到封装后正装LED芯片的亮度与色温，颜色越暖对于正装LED芯片波长的集中度越高。荧光粉的半波宽对于正装LED芯片的显色性Ra、颜色饱和度、色纯度影响也很大。一般来说，荧光粉的半波宽越宽，其覆盖的颜色范围越宽，正装LED芯片的显色性Ra、颜色饱和度会越高，但是，色纯度会越低。现有的量子阱在形成过程中，由于腔体环境温度气流等因素的影响，量本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种正装LED芯片，其特征在于，包括：衬底；设于衬底表面的发光结构，所述发光结构包括设于衬底上的第一半导体层、设于第一半导体层上的第一电极和有源层、设于有源层上的第二半导体层、依次设于第二半导体层上的第一布拉格反射层和第二电极；设于衬底背面的第二反射层，其中，第二反射层的反射率大于第一布拉格反射层的反射率。

【技术特征摘要】
1.一种正装LED芯片，其特征在于，包括：衬底；设于衬底表面的发光结构，所述发光结构包括设于衬底上的第一半导体层、设于第一半导体层上的第一电极和有源层、设于有源层上的第二半导体层、依次设于第二半导体层上的第一布拉格反射层和第二电极；设于衬底背面的第二反射层，其中，第二反射层的反射率大于第一布拉格反射层的反射率。2.如权利要求1所述的正装LED芯片，其特征在于，所述第二反射层为布拉格反射层。3.如权利要求2所述的正装LED芯片，其特征在于，所述第一布拉格反射层和第二反射层均为多层结...

【专利技术属性】
技术研发人员：仇美懿，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44