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本实用新型公开了一种正装LED芯片,包括衬底,设于衬底表面的发光结构,所述发光结构包括设于衬底上的第一半导体层、设于第一半导体层上的第一电极和有源层、设于有源层上的第二半导体层、依次设于第二半导体层上的第一布拉格反射层和第二电极;设于衬底背...该专利属于佛山市国星半导体技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过佛山市国星半导体技术有限公司授权不得商用。
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本实用新型公开了一种正装LED芯片,包括衬底,设于衬底表面的发光结构,所述发光结构包括设于衬底上的第一半导体层、设于第一半导体层上的第一电极和有源层、设于有源层上的第二半导体层、依次设于第二半导体层上的第一布拉格反射层和第二电极;设于衬底背...