The invention discloses high mobility luminescent semiconductor and its preparation method, application and application method. The preparation method of high mobility luminescent semiconductor includes Suzuki coupling chemical reaction between aryl bromide or iodide and aryl boric acid or borate ester, the application method of high mobility luminescent semiconductor to device, the device adopts bottom gate top contact device structure, and the gate adopts n-type doping. Heterosilicon, SiO 2 with 300 nm thermal growth layer is used as insulating layer. Before depositing organic semiconductor layer, gate insulating layer is modified by OTS at 120 C in vacuum furnace to form a single layer of OTS modified layer. The modified layer is cleaned by chloroform, n-hexane, isopropanol and acetone, and the high mobility luminescent semiconductor is coated by spin coating. The material synthesized by the invention exhibits the property of aggregation-induced luminescence, while the traditional fluorescent dyes have the phenomenon of aggregation-induced fluorescence quenching under high concentration conditions, thus effectively overcoming the defects of the traditional fluorescent dyes.
【技术实现步骤摘要】
高迁移率发光半导体及其制备方法、用途和应用方法
本专利技术属于有机光电材料的
，尤其涉及高迁移率发光半导体及其制备方法、用途和应用方法。
技术介绍
有机半导体再诸多柔性光电器件比如有机发光二极管，有机场效应晶体管，有机光伏等领域有重要的应用。尽管高迁移率的有机半导体和高发光效率的有机发光二极管均得到了很好的发展，同时具有高迁移率和高发光亮度的有机半导体材料仍是是一个挑战。高迁移率有机发光半导体可用于制备邮寄发光晶体管，泵浦激光等，此外，近红外的有机发光半导体在夜视，加密显示以及荧光探针等方面都有应用。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供高迁移率发光半导体及其制备方法、应用和应用方法，解决的技术问题是现有AIE发光材料大多迁移率较低，而高迁移率的半导体材料大多在固体状态下荧光被猝灭。本专利技术旨在将聚集诱导发光的思想用于高迁移半导体的设计，有望结合二者的有点得到同时具有高迁移率和高发光效率的半导体材料。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：高迁移率聚集诱导发光材料，其特征在于：包括如下化学式：所述R1，R2和R3为H或各种酰亚胺类受体，其中受体具体包括如下结构式：R5为烷基链或甘醇链CnOmH2n+1O，n＝1～24，m＝0～10。进一步优选地，所述R1，R2、R3和R4具体结构如下，其中，acceptor为所述受体。进一步地，所述R5中C的个数为1-24，O的个数为0-10。高迁移率发光半导体的制备方法，其特征在于：所述高迁移率发光半导体的制备方法包括芳基溴代物或碘代物与芳基硼酸或硼酸酯之间的铃木偶联化学反应，具体包括以下化学式：其中，accep...
【技术保护点】
1.高迁移率聚集诱导发光材料，其特征在于：包括如下化学式：
【技术特征摘要】
2017.09.06 US 62/605,9751.高迁移率聚集诱导发光材料，其特征在于：包括如下化学式：所述R1，R2和R3为H或各种酰亚胺类受体，其中受体具体包括如下结构式：R5为烷基链或甘醇链CnOmH2n+1O，n＝1～24，m＝0～10。2.如权利要求1所述的高迁移率发光半导体，其特征在于：所述R1，R2、R3和R4具体结构如下，R3＝R4＝acceptor或R1＝H，R3＝R4＝acceptor或R1＝R4＝H，R3＝acceptor或R1＝H，R3＝H，R4＝acceptor或R1＝R2＝CN，R3＝R4＝acceptor或R1＝H，R2＝CN，R3＝R4＝acceptor或R1＝R2＝H，R3＝R4＝acceptor；其中，acceptor为所述受体。3.如权利要求1所述的高迁移率发光半导体，其特征在于：所述R5中C的个数为1-24，O的个数为0-10。4.如权利要求1所述的高迁移率发光半导体的制备方法，其特征在于：所述高迁移率发光半导体的制备方法包括芳基溴代物或碘代物与芳基硼酸或硼酸酯之间的铃木偶联化学反应，具体包括以下化学式：其中，acceptor为所述受体。5.如权利要求4所述的高迁移率发光半导体的制备方法，其特征在于：所述高迁移率发光半导体包括TriPE-nPDI系列化合物，其中n＝1、2或3。6.如权利要求1～5任意一项所述的高迁移率发光半导体的用途，其特征在于：所述高迁移率发光半导体用于OLED、OFET和OLET。7.如权利要求1～5任意一项所述的高迁移率发光半导体的应用到器件的方法，其特征在于：所述器件采用底栅顶接触器件结构，栅极采用n型的掺杂硅，热生长一层300nm的SiO2作为绝缘层，在沉积有...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。