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本发明公开了高迁移率发光半导体及其制备方法、用途和应用方法，高迁移率发光半导体的制备方法包括芳基溴代物或碘代物与芳基硼酸或硼酸酯之间的铃木偶联化学反应，高迁移率发光半导体的应用到器件的方法，器件采用底栅顶接触器件结构，栅极采用n型的掺杂硅，...
该专利属于香港科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过香港科技大学授权不得商用。

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