封装层结构制造技术

本发明专利技术公开了一种封装层结构，其包含第一有机层、无机薄膜、以及第二有机层。第一有机层具有底表面以及相对于底表面的第一波浪表面。第一波浪表面包含多个峰部及多个谷部，且这些峰部与这些谷部彼此交替排列。无机薄膜保形设置于第一有机层的第一波浪表面上，且无机薄膜具有相对于第一波浪表面的第二波浪表面。第二有机层位于无机薄膜的第二波浪表面上。此封装层结构可有效阻绝氧气与水气的入侵。

【技术实现步骤摘要】
封装层结构
本专利技术是有关一种封装层结构，且特别是关于一种可以在挠折作用时降低封装层所受应力以有效阻绝氧气与水气入侵的可挠性封装层结构。
技术介绍
相较于液晶显示器(LCD)，有机发光二极管(OLED)显示器的反应时间更快、视角更大、对比更高、更轻、功率更低、且能顺应挠性基板，因此近来在显示器应用方面深受注目。除了用于OLED的有机材料外，也开发许多用于小分子挠性有机发光二极管(FOLED)和聚合物发光二极管(PLED)显示器的聚合物材料。许多有机和聚合物材料具有挠性而可用于在各种基板上制造复杂的多层装置，使其适合应用于各种透明多色显示器，例如薄型平面显示器(FPD)、有机电激激光(electricallypumpedorganiclaser)和有机光放大器(organicopticalamplifier)。如图1A所示，封装层结构100包含第一有机层110、无机薄膜120、以及第二有机层130。第一有机层110具有实质平坦的两个相对的表面。在一些实施方式中，第一有机层110的材料可包含环氧树脂、丙烯酸树脂、胺基甲酸酯丙烯酸酯树脂、或类似的材料、或是以上材料中的至少两种混合，但不以此为限。由于构成第一有机层110的材料具有良好的可挠性及柔性，因此可以减缓被封装的电子元件(例如，OLED元件等)的内部应力。在某些实施方式中，可以通过喷墨印刷工艺(InkJetPrinting)、旋涂工艺、涂布工艺、化学气相沈积(chemicalvapordeposition；CVD)工艺、或类似工艺来形成第一有机层110。无机薄膜120设置在第一有机层110的其中平坦的表面上。换句话说，无机薄膜120也具有两个实质上平坦的相对表面。在某些实施方式中，无机薄膜120的材料可包含氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化铜(CuOx)、氧化铁(FeOx)、氧化钛(TiOx)、硒化锌(ZnSex)、或氧化铝(AlOx)、或是以上材料中的至少两种混合，但不以此为限。由于构成无机薄膜120的材料具有良好的致密性，因此防止水分及氧气渗透d效果极佳。在某些实施方式中，可以通过化学气相沈积工艺、溅镀工艺、原子层沈积(atomiclayerdeposition；ALD)工艺、电浆增强化学气相沉积(plasmaenhancedchemicalvapordeposition；PECVD)工艺或类似的工艺来形成无机薄膜120。第二有机层130设置在无机薄膜120的平坦的表面上，使得无机薄膜120位于第一有机层110与第二有机层130之间。在某些实施方式中，构成第二有机层130的材料与构成第一有机层110的材料相同或类似。在某些实施方式中，形成第二有机层130的方法实质上可以相同或类似于形成第一有机层110的工艺。图1B绘示根据上述封装层结构100的有限元素分析模型(finiteelementanalysismodel)。利用有限元素分析软体(General-purposefiniteelementsoftware)来模拟上述实施方式的封装层结构100被挠折的情形。当如图1A所绘示的封装层结构100受到外力而产生弯曲的形变时，由于构成无机薄膜120的材料相较于构成第一有机层110和第二有机层130的材料质地更为硬且脆，因此封装层结构100中无机薄膜120的中心处承受约2300Mpa的最大应力，且应力从无机薄膜120的中心处向两侧递减。OLED目前面临最大的问题为使用寿命短。影响OLED使用寿命最主要的原因为大气中的水气与氧气渗透至OLED内与有机或聚合物材料反应，导致有机或聚合物材料劣化(degradation)及形成不发光的暗点(non-emissive)，造成元件亮度降低、驱动电压上升、元件短路以及黑点产生的现象，可挠式OLED因必须时常遭遇挠折作用所以更容易发生封装层破裂引起的水气与氧气渗透，因此市场上特别需要一种可以在挠折作用时降低封装层所受应力的封装层结构。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于提供一种可以在挠折作用时降低封装层所受应力的封装层结构。为实现上述目的，本专利技术提供一种封装层结构，其包含第一有机层、无机薄膜、以及第二有机层。第一有机层具有底表面以及相对于底表面的第一波浪表面。第一波浪表面包含多个峰部及多个谷部，且这些峰部与这些谷部彼此交替排列。无机薄膜保形设置于第一有机层的第一波浪表面上，且无机薄膜具有相对于第一波浪表面的第二波浪表面。第二有机层位于无机薄膜的第二波浪表面上。根据本专利技术某些实施方式，第一有机层及第二有机层分别具有1微米至30微米的厚度。根据本专利技术某些实施方式，无机薄膜具有50埃至10000埃的厚度。根据本专利技术某些实施方式，各峰部与各谷部之间具有1微米至20微米的高度差。根据本专利技术某些实施方式，任两相邻的峰部之间具有1微米至10000微米的间距。本专利技术的另一目的是提供一种封装层结构，其包含第一有机层、第一无机薄膜、第二有机层、第二无机薄膜、以及第三有机层。第一有机层具有底表面以及相对于底表面的第一波浪表面。第一波浪表面包含多个第一峰部及多个第一谷部，且这些第一峰部与这些第一谷部彼此交替排列。第一无机薄膜保形设置于第一有机层的第一波浪表面上，且第一无机薄膜具有相对于第一波浪表面的第二波浪表面。第二有机层设置于第一无机薄膜的第二波浪表面上，且第二有机层具有相对于第二波浪表面的第三波浪表面。第二无机薄膜保形设置于第二有机层的第三波浪表面上，且第二无机薄膜具有相对于第三波浪表面的第四波浪表面。第三有机层位于第二无机薄膜的第四波浪表面上。根据本专利技术某些实施方式，第一有机层、第二有机层、及第三有机层分别具有1微米至30微米的厚度。根据本专利技术某些实施方式，第一无机薄膜及第二无机薄膜分别具有50埃至10000埃的厚度。根据本专利技术某些实施方式，各第一峰部与各第一谷部之间具有1微米至20微米的高度差。根据本专利技术某些实施方式，任两相邻的第一峰部之间具有1微米至10000微米的间距。根据本专利技术某些实施方式，第三波浪状具有多个第二峰部及多个第二谷部，且各第二峰部与各第二谷部之间具有1微米至20微米的高度差。根据本专利技术某些实施方式，任两相邻的第二峰部之间具有1微米至10000微米的间距。与现有技术相比，本专利技术的封装层结构可以在挠折作用时降低封装层所受的应力，且可有效阻绝氧气与水气的入侵。附图说明为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，结合附图详细说明如下：图1A是绘示根据本专利技术的一比较例的封装层结构的剖面示意图。图1B绘示根据本专利技术的一比较例的封装层结构的有限元素分析模型(finiteelementanalysismodel)。图2A绘示根据本专利技术的一实施方式的封装层结构的剖面示意图。图2B绘示根据本专利技术的一实施方式的封装层结构的有限元素分析模型。图3绘示根据本专利技术的另一实施方式的封装层结构的剖面示意图。图4A及图4B绘示根据本专利技术的另外某些实施方式的第一有机层的俯视示意图。图5A至图5C绘示根据本专利技术的封装层结构的俯视示意图。图6至图8绘示根据本专利技术的某些实施方式的各阶段制造封装层结构的剖面示意图。具体实施方式请参阅图2A。图2A绘示根据本专利技术的一实施方式的封装层结构200的剖面示意图。如图2A所示，封装层结构2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装层结构，其特征在于，包含：第一有机层，具有底表面以及相对于所述底表面的第一波浪表面，所述第一波浪表面包含多个峰部及多个谷部，且所述多个峰部与所述多个谷部彼此交替排列；无机薄膜，保形设置于所述第一有机层的所述第一波浪表面上，且所述无机薄膜具有相对于所述第一波浪表面的第二波浪表面；以及第二有机层，位于所述无机薄膜的所述第二波浪表面上。

【技术特征摘要】
1.一种封装层结构，其特征在于，包含：第一有机层，具有底表面以及相对于所述底表面的第一波浪表面，所述第一波浪表面包含多个峰部及多个谷部，且所述多个峰部与所述多个谷部彼此交替排列；无机薄膜，保形设置于所述第一有机层的所述第一波浪表面上，且所述无机薄膜具有相对于所述第一波浪表面的第二波浪表面；以及第二有机层，位于所述无机薄膜的所述第二波浪表面上。2.如权利要求1所述的封装层结构，其特征在于，所述第一有机层及所述第二有机层分别具有厚度为1微米至30微米。3.如权利要求1所述的封装层结构，其特征在于，所述无机薄膜具有厚度为50埃至10000埃。4.如权利要求1所述的封装层结构，其特征在于，各所述峰部与各所述谷部之间具有高度差为1微米至20微米。5.如权利要求1所述的封装层结构，其特征在于，任意两个相邻的所述峰部之间具有间距为1微米至10000微米。6.一种封装层结构，其特征在于，包含：第一有机层，具有底表面以及相对于所述底表面的第一波浪表面，且所述第一波浪表面包含多个第一峰部及多个第一谷部，且所述多个第一峰部与所述多个第一谷部彼此交替排列；第一无机薄膜，保形设置于所述第一有机层的所述第一波浪表面上，且所述无机薄膜具有相对于所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄檠裕，赖名翔，庄英鸿，牛翊凡，张文诚，
申请(专利权)人：中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71