富含硅的倍半硅氧烷树脂制造技术

本发明专利技术涉及一种倍半硅氧烷树脂、包含倍半硅氧烷树脂和光酸产生剂的光致抗蚀剂组合物、包含倍半硅氧烷树脂的蚀刻掩模组合物、由其制备的产品、制备和使用它们的方法、以及含有它们的制品和半导体器件。所述倍半硅氧烷树脂包含与硅键合的氢原子T‑单元和具有式‑CH2CH2CH2CO2C(R

Silicon-rich sesquioxane resin

The invention relates to a sesquisiloxane resin, a photoresist composition comprising sesquisiloxane resin and photoacid producer, an etching mask composition comprising sesquisiloxane resin, a product prepared therefrom, a method for preparing and using them, and a product and semiconductor device containing them. The sesquisiloxane resin comprises hydrogen atom T unit bonded with silicon and formula CH2CH2CH2CO2C (R)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】富含硅的倍半硅氧烷树脂
本专利技术涉及一种倍半硅氧烷树脂、包含倍半硅氧烷树脂和光酸产生剂的光致抗蚀剂组合物、包含倍半硅氧烷树脂的蚀刻掩模组合物、由其制备的产品、制备和使用它们的方法、以及含有它们的制成制品和半导体器件。
技术介绍
集成电路(IC)几乎出现在每个新制造业中，包括飞机、汽车、计算机、相机、家用电器、工业机器、移动电话和机器人。更精细的电路图案可实现更高的性能和更小的形状因数。IC可由抗蚀剂制品制成，该抗蚀剂制品包括使用光刻法设置在可图案化基底上的光致抗蚀剂层。光致抗蚀剂层包含光致抗蚀剂组合物，光致抗蚀剂组合物包含含有聚合物的光敏材料。可图案化基底包括半导体材料或导电金属。在抗蚀剂制品的一些配置中，光致抗蚀剂层直接设置在(与其物理接触)可图案化基底上。在其它配置中，抗蚀剂制品还包括至少一个中间层，该中间层夹在(设置)在光致抗蚀剂层和可图案化基底之间并且与光致抗蚀剂层和可图案化基底间隔开。光刻法包括在光致抗蚀剂层中利用紫外(UV)光形成图案，并通过蚀刻将图案从光致抗蚀剂层转印到可图案化基底中。当抗蚀剂制品配置有至少一个中间层时，该方法包括在光致抗蚀剂层中顺序形成图案，通过第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种式(I)的倍半硅氧烷树脂：[HSiO3/2]h[R1SiO3/2]b[R2SiO3/2]n[R3SiO3/2]v[HOSiO3/2]o[SiO4/2]q(I)，其中下标h为0.30至0.90的摩尔份数；每个R1独立地为式‑CH2CH2CH2CO2C(R1a)3或‑CH(CH3)CH2CO2C(R1a)3，其中每个R1a独立地为未取代的(C1‑C2)烷基；下标b为0至0.48的摩尔份数；每个R2独立地为双环[2.2.1]庚烷‑5‑羧酸‑2‑基1，1‑二甲基乙基酯或双环[2.2.1]庚烷‑5‑羧酸‑3‑基1，1‑二甲基乙基酯；下标n为0至0.35的摩尔份数；其中总和(b+n)大于零；每个R...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.16 US 62/350836;2016.11.09 US 62/4195471.一种式(I)的倍半硅氧烷树脂：[HSiO3/2]h[R1SiO3/2]b[R2SiO3/2]n[R3SiO3/2]v[HOSiO3/2]o[SiO4/2]q(I)，其中下标h为0.30至0.90的摩尔份数；每个R1独立地为式-CH2CH2CH2CO2C(R1a)3或-CH(CH3)CH2CO2C(R1a)3，其中每个R1a独立地为未取代的(C1-C2)烷基；下标b为0至0.48的摩尔份数；每个R2独立地为双环[2.2.1]庚烷-5-羧酸-2-基1，1-二甲基乙基酯或双环[2.2.1]庚烷-5-羧酸-3-基1，1-二甲基乙基酯；下标n为0至0.35的摩尔份数；其中总和(b+n)大于零；每个R3独立地为聚醚基团或酯基团；并且下标v为0至0.15的摩尔份数；下标o为0至0.30的摩尔份数；下标q为0至0.1的摩尔份数；其中总和(h+o+q)＝0.52至0.90；其中总和(b+n+v+o+q)＝0.10至0.48。2.根据权利要求1所述的倍半硅氧烷树脂，其中下标h为0.40至0.90。3.根据权利要求1或2所述的倍半硅氧烷树脂，其中下标v为0。4.根据权利要求1至3中任一项所述的倍半硅氧烷树脂，其中下标o为0，下标q为0，或下标o和下标q均为0。5.根据方面1至3中任一项所述的倍半硅氧烷树脂，其中下标o为＞0至0.30，下标q为＞0至0.10，或下标o为＞0至0.30且下标q为＞0至0.10。6.根据方面1至3或5中任一项所述的倍半硅氧烷树脂，其中下标o为0.01至0.10，并且下标q为0.005至0.02。7.根据权利要求1至6中任一项所述的倍半硅氧烷树脂，其中下标n为0且下标v为0。8.根据权利要求1至7中任一项所述的倍半硅氧烷树脂，其中下标b为0.11至0.40，或者每个R1具有式-CH2CH2CH2CO2C(CH3)3或-CH(CH3)CH2CO2C(CH3)3；或者下标b为0.11至0.40，并且每个R1具有式-CH2CH2CH2CO2C(CH3)3或-CH(CH3)CH2CO2C(CH3)3。9.根据权利要求1至8中任一项所述的倍半硅氧烷树脂，其中每个R1独立地具有式-CH2CH2CH2CO2C(CH3...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅鹏飞，张元凡，
申请(专利权)人：美国陶氏有机硅公司，
类型：发明
国别省市：美国,US