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本发明涉及一种倍半硅氧烷树脂、包含倍半硅氧烷树脂和光酸产生剂的光致抗蚀剂组合物、包含倍半硅氧烷树脂的蚀刻掩模组合物、由其制备的产品、制备和使用它们的方法、以及含有它们的制品和半导体器件。所述倍半硅氧烷树脂包含与硅键合的氢原子T‑单元和具有式...
该专利属于美国陶氏有机硅公司所有，仅供学习研究参考，未经过美国陶氏有机硅公司授权不得商用。

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