The invention provides a method for laying seed crystals, including a crucible, in which seed crystals are laid at the bottom of the crucible to form a seed crystal layer, in which a gap is arranged between any two adjacent seed crystals and between the seed crystals near the side wall of the crucible and the side wall of the crucible, and the width of the gap is less than 1 mm. By setting gaps between any two adjacent seed crystals and between the seed crystals near the side wall of the crucible and the side wall of the crucible, squeezing between the seed crystals will not occur due to thermal expansion during the subsequent preparation of single crystal silicon ingots, thus avoiding side damage and dislocation of the seed crystals, making the single crystal silicon ingots dislocation-free, and improving the quality and yield of the single crystal silicon ingots.
【技术实现步骤摘要】
一种籽晶的铺设方法、类单晶硅锭的制备方法和类单晶硅片
本专利技术涉及光伏或半导体
，特别涉及一种籽晶的铺设方法、类单晶硅锭的制备方法和类单晶硅片。
技术介绍
目前，类单晶硅锭的制备方法主要为无籽晶引晶法和有籽晶引晶法。有籽晶引晶法是先将单晶硅籽晶铺设在石英坩埚底部，在熔化阶段保持籽晶不完全熔化，在单晶硅籽晶上进行引晶生长从而得到单晶硅锭。图1为现有技术中籽晶的铺设方式，籽晶之间无缝隙，通过该铺设方式制得的单晶硅锭硅片的光致发光光谱图如图2所示。可以看出，将一定数量和一定尺寸的籽晶无缝铺设在坩埚1底部，籽晶2由于铸锭炉温度的升高而热胀，籽晶尺寸增加，籽晶之间相互挤压而造成侧面损伤，从而产生位错，使得在引晶生长时位错繁殖，晶体中的位错容易呈现发散式生长，引起类单晶硅片的性能下降。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种籽晶的铺设方法，通过在任意相邻两个籽晶之间以及靠近坩埚侧壁的籽晶与坩埚侧壁之间设置间隙，使得在后续类单晶硅锭制备过程中，籽晶之间不会因热胀而产生挤压，避免了籽晶侧面损伤和位错的产生，制得的类单晶硅锭无位错，提高类单晶硅锭的质量和成品率。第一方面，...
【技术保护点】
1.一种籽晶的铺设方法，其特征在于，包括：提供坩埚，在所述坩埚底部铺设籽晶，形成籽晶层，其中，任意相邻两个所述籽晶之间以及靠近所述坩埚侧壁的籽晶与所述坩埚侧壁之间均设置有间隙，所述间隙的宽度小于1mm。
【技术特征摘要】
1.一种籽晶的铺设方法，其特征在于，包括：提供坩埚，在所述坩埚底部铺设籽晶，形成籽晶层，其中，任意相邻两个所述籽晶之间以及靠近所述坩埚侧壁的籽晶与所述坩埚侧壁之间均设置有间隙，所述间隙的宽度小于1mm。2.如权利要求1所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，所述间隙的宽度为0.3mm-0.5mm。3.如权利要求1所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，所述籽晶层在所述坩埚底部的面积占比为75％-98％。4.如权利要求1所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，所述籽晶层中所述籽晶呈阵列排布。5.如权利要求1所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，所述籽晶的长度为100mm-500mm，宽度为100mm-500mm，厚度为5mm-30mm。6.如权利要求1所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，所述籽晶的晶向为(100)、(1...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐云飞，何亮，雷琦，李建敏，邹贵付，
申请(专利权)人：赛维LDK太阳能高科技新余有限公司，
类型：发明
国别省市：江西,36
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