一种LED外延片的选片方法技术

本发明专利技术提供了一种LED外延片的选片方法，包括：根据LED外延片的电流密度以及所需的LED芯片的电流密度得出波长k值；根据所述波长k值以及所述所需的LED芯片的波长范围得到所需的LED外延片波长范围；根据不同的波长标准差从多个LED外延片中选出满足相应的波长范围的LED外延片，所述相应的波长范围小于或等于所述所需的LED外延片波长范围。将选出的LED外延片制成LED芯片后，即可得到需求符合率高且产品产出集中度高的LED芯片。

A Method of Selecting LED Epitaxy Slices

The invention provides a method for selecting LED epitaxy wafers, which includes: obtaining the wavelength K value according to the current density of the LED epitaxy wafer and the current density of the required LED chip; obtaining the required wavelength range of the LED epitaxy wafer according to the wavelength K value and the wavelength range of the required LED chip; and selecting the corresponding wavelength standard from a plurality of LED epitaxy wafers according to different wavelength standard deviations. The corresponding wavelength range of the peripheral LED epitaxy sheet is less than or equal to the required wavelength range of the LED epitaxy sheet. After the selected LED epitaxy chip is made into LED chip, the LED chip with high demand conformity rate and high product output concentration can be obtained.

【技术实现步骤摘要】
一种LED外延片的选片方法
本专利技术涉及半导体加工
，更具体地说，涉及一种LED外延片的选片方法。
技术介绍
现有技术中，都是在LED芯片的制作过程中，选出一些LED外延片制成LED芯片成品，测出LED芯片成品发出的光线的波长，并将该波长与直接测出的LED外延片的波长相减，得出波长k值，即波长波动值。然后将任一LED外延片的波长与波长k值相加后得到该LED外延片制成的LED芯片的波长预估值，判断该波长预估值是否在正常的波长范围内，若在范围内，则将该LED外延片选出并制成LED芯片，若不在范围内，则该LED外延片报废。但是，这种选择LED外延片的方式的周期较长，不能满足实际生产的需要。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种LED外延片的选片方法，以缩短LED外延片的选片周期。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种LED外延片的选片方法，包括：根据LED外延片的电流密度以及所需的LED芯片的电流密度得出波长k值；根据所述波长k值以及所述所需的LED芯片的波长范围得到所需的LED外延片波长范围；根据不同的波长标准差从多个LED外延片中选出满足相应的波长范围的LED外延片，所述相应的波长范围小于或等于所述所需的LED外延片波长范围。可选地，根据LED外延片的电流密度以及所需的LED芯片的电流密度得出波长k值包括：根据所述LED外延片的电流密度以及电流密度与波长的对应关系得到所述LED外延片的波长；根据所述所需的LED芯片的电流密度以及电流密度与波长的对应关系得到所述所需的LED芯片的波长；根据所述LED外延片的波长以及所述所需的LED芯片的波长得出所述波长k值。可选地，所述电流密度与波长的对应关系为W＝a×J3+b×J2+c×J+d，其中，W为波长，J为电流密度，a、b、c、d为常数。可选地，根据所述LED外延片的波长以及所述所需的LED芯片的波长得出所述波长k值包括：所述波长k值等于所述LED外延片的波长与所述所需的LED芯片的波长的差。可选地，所述所需的LED芯片的电流密度等于所述所需的LED芯片的电流与所述所需的LED芯片的发光面积之比。可选地，所述所需的LED外延片波长范围等于所述波长k值与所述所需的LED芯片的波长范围的和。与现有技术相比，本专利技术所提供的技术方案具有以下优点：本专利技术所提供的LED外延片的选片方法，不需要将LED外延片制成LED芯片来得到波长k值，只需根据LED外延片的电流密度以及所需的LED芯片的电流密度即可计算出波长k值，然后可以根据波长k值以及所需的LED芯片的波长范围得到所需的LED外延片波长范围，并根据不同的波长标准差从多个LED外延片中选出满足相应的波长范围的LED外延片，所述相应的波长范围小于或等于所述所需的LED外延片波长范围，将选出的LED外延片制成LED芯片后，即可得到需求符合率高且产品产出集中度高的LED芯片。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的LED外延片的选片方法流程图；图2为本专利技术实施例提供的电流密度与波长的对应关系曲线图。具体实施方式以上是本专利技术的核心思想，为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供了一种LED外延片的选片方法，以在LED芯片的制作过程中选出能够制作成所需的LED芯片的LED外延片，提高LED芯片的需要符合率，如图1所示，该方法包括：S101：根据LED外延片的电流密度以及所需的LED芯片的电流密度得出波长k值；S102：根据所述波长k值以及所述所需的LED芯片的波长范围得到所需的LED外延片波长范围；S103：根据不同的波长标准差从多个LED外延片中选出满足相应的波长范围的LED外延片，所述相应的波长范围小于或等于所述所需的LED外延片波长范围。其中，根据LED外延片的电流密度以及所需的LED芯片的电流密度得出波长k值包括：根据LED外延片的电流密度以及电流密度与波长的对应关系得到LED外延片的波长；根据所需的LED芯片的电流密度以及电流密度与波长的对应关系得到所需的LED芯片的波长；根据LED外延片的波长以及所需的LED芯片的波长得出波长k值。需要说明的是，本专利技术实施例中的LED外延片包括衬底以及依次位于衬底表面的N型半导体层、发光层和P型半导体层，该LED外延片未制作电极、未封装，因此，是LED芯片的半成品。而本专利技术实施例中的LED芯片包括LED外延片以及位于LED外延片上的P电极和N电极等，也就是说，本专利技术实施例中的LED芯片为成品LED芯片。本专利技术实施例中，采用特定的外延结构以及特定的快测芯片结构，电测不同的电流，得出不同的波长值，绘制成如图2所示的曲线后，根据曲线模拟成函数，根据该函数可以得到电流密度与波长的对应关系。可选地，该函数即电流密度与波长的对应关系为W＝a×J3+b×J2+c×J+d，其中，W为波长，J为电流密度，a、b、c、d为常数。基于此，在制成LED外延片后，可以测得LED外延片的电流密度Jx，将Jx代入上述函数公式后，即可得到LED外延片的波长Wx。根据所需的LED芯片的电流和发光面积可以得到所需的LED芯片的电流密度Jy，也就是说，所述所需的LED芯片的电流密度等于所述所需的LED芯片的电流与所述所需的LED芯片的发光面积之比，其中，所需的LED芯片的电流和发光面积是已知的。之后，将所需的LED芯片的电流密度Jy代入上述函数公式后，即可得到所需的LED芯片的波长Wy。根据LED外延片的波长Wx和所需的LED芯片的波长Wy即可得到波长k值，其中，k＝Wx-Wy。也就是说，根据LED外延片的波长以及所需的LED芯片的波长得出波长k值包括：波长k值等于LED外延片的波长与所需的LED芯片的波长的差。然后根据波长k值以及所需的LED芯片的波长范围得到所需的LED外延片波长范围。其中，所述所需的LED外延片波长范围等于所述波长k值与所述所需的LED芯片的波长范围的和。假设所需的LED芯片的波长范围为Wmin～Wmax，则所需的LED外延片波长范围为Wmin+k～Wmax+k。之后，根据不同的波长标准差从多个LED外延片中选出满足相应的波长范围的LED外延片，所述相应的波长范围小于或等于所述所需的LED外延片波长范围。具体地，当波长标准差为std时，相应的波长范围为Wmin+k～Wmax+k，即选出波长在Wmin+k～Wmax+k范围内的LED外延片；当波长标准差为std+△时，相应的波长范围为Wmin+k+s～Wmax+k-s；当波长标准差为std+2△时，相应的波长范围为Wmin+k+2s～Wmax+k-2s，以此类推。其中，s和△为常数，且△依据波长范围Wmin+k～本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED外延片的选片方法，其特征在于，包括：根据LED外延片的电流密度以及所需的LED芯片的电流密度得出波长k值；根据所述波长k值以及所述所需的LED芯片的波长范围得到所需的LED外延片波长范围；根据不同的波长标准差从多个LED外延片中选出满足相应的波长范围的LED外延片，所述相应的波长范围小于或等于所述所需的LED外延片波长范围。

【技术特征摘要】
1.一种LED外延片的选片方法，其特征在于，包括：根据LED外延片的电流密度以及所需的LED芯片的电流密度得出波长k值；根据所述波长k值以及所述所需的LED芯片的波长范围得到所需的LED外延片波长范围；根据不同的波长标准差从多个LED外延片中选出满足相应的波长范围的LED外延片，所述相应的波长范围小于或等于所述所需的LED外延片波长范围。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据LED外延片的电流密度以及所需的LED芯片的电流密度得出波长k值包括：根据所述LED外延片的电流密度以及电流密度与波长的对应关系得到所述LED外延片的波长；根据所述所需的LED芯片的电流密度以及电流密度与波长的对应关系得到所述所需的LED芯片的波长；根据所述LED外延片的波长以...

【专利技术属性】
技术研发人员：李镇勇，艾国栋，刘岩，刘建鋆，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35