【技术实现步骤摘要】
绝缘栅双极晶体管设备
本说明书涉及绝缘栅双极晶体管(IGBT)设备。
技术介绍
绝缘栅双极晶体管(IGBT)设备通常用于许多高电压应用中,诸如功率因数校正(PFC)和汽车点火系统、电机驱动器等。在一些应用中,诸如电机驱动器,可能期望IGBT设备能够满足短路承受要求。也就是说,这样的IGBT应当能够承受短路电流(例如,在其发射极端子和集电极端子之间)持续特定的(短的)时间段而不会损坏设备。在其他应用中,诸如功率因数校正,可能期望IGBT设备具有低输入电容(例如,米勒电容)和快速开关时间。在当前IGBT实施方式中,增加短路能力(短路承受时间等)在设备处于导通(Vce,sat)时可导致集电极到发射极电压的不期望的增加,并且可具有可增加设备开关时间的高输入电容。相反,在当前IGBT实施方式中,改善开关时间和/或降低Vce,sat可对短路承受能力具有不利影响。
技术实现思路
在一般方面,绝缘栅双极晶体管(IGBT)设备可包括有源区、无源区、以及沿着有源区中的纵向轴线延伸的沟槽。IGBT设备还可包括第一台面和第二台面,该第一台面限定沟槽的第一侧壁(邻近沟槽的第一侧壁延伸等)并且与沟槽平行,该第二台面限定沟槽的第二侧壁(邻近沟槽的第二侧壁延伸等)并且与沟槽平行。第一台面的至少一部分可包括IGBT设备的有源区段,并且第二台面的至少一部分可包括IGBT设备的无源区段。在另一个一般方面,绝缘栅双极(IGBT)设备可包括有源区、无源区、以及沿着有源区中的纵向轴线延伸的沟槽。IGBT还可包括第一台面和第二台面,该第一台面限定沟槽的第一侧壁(邻近沟槽的第一侧壁延伸等)并且与沟槽平行,该第二 ...
【技术保护点】
1.一种绝缘栅双极晶体管IGBT设备,包括:有源区;无源区;沟槽,所述沟槽沿着所述有源区中的纵向轴线延伸;第一台面,所述第一台面限定所述沟槽的第一侧壁并且与所述沟槽平行;和第二台面,所述第二台面限定所述沟槽的第二侧壁并且与所述沟槽平行,其中,所述第一台面的至少一部分包括所述IGBT设备的有源区段,以及所述第二台面的至少一部分包括所述IGBT设备的无源区段。
【技术特征摘要】
2017.08.21 US 62/548,361;2018.01.31 US 15/884,7731.一种绝缘栅双极晶体管IGBT设备,包括:有源区;无源区;沟槽,所述沟槽沿着所述有源区中的纵向轴线延伸;第一台面,所述第一台面限定所述沟槽的第一侧壁并且与所述沟槽平行;和第二台面,所述第二台面限定所述沟槽的第二侧壁并且与所述沟槽平行,其中,所述第一台面的至少一部分包括所述IGBT设备的有源区段,以及所述第二台面的至少一部分包括所述IGBT设备的无源区段。2.根据权利要求1所述的IGBT设备,其中所述有源区段是第一有源区段,所述无源区段是第一无源区段,所述第一台面的所述至少一部分包括所述第一台面的第一部分,并且所述第二台面的所述至少一部分包括所述第二台面的第一部分,所述IGBT设备还包括:第二有源区段,所述第二有源区段被包括在所述第二台面的第二部分中;以及第二无源区段,所述第二无源区段被包括在所述第一台面的第二部分中。3.根据权利要求1所述的IGBT设备,其中:所述第一台面是被包括在所述有源区中的有源台面,并且所述第二台面是被包括在所述无源区中的无源台面;并且所述无源区是所述IGBT设备的终止区。4.一种绝缘栅双极晶体管IGBT设备,包括:有源区;无源区;沟槽,所述沟槽沿着所述有源区中的纵向轴线延伸;第一台面,所述第一台面限定所述沟槽的第一侧壁并且与所述沟槽平行;第二台面,所述第二台面限定所述沟槽的第二侧壁并且与所述沟槽平行;所述IGBT设备的第一有源区段,所述IGBT设备的所述第一有源区段被包括在所述第一台面的第一部分中;所述IGBT设备的第一无源区段,所述IGBT设备的所述第一无源区段被包括在所述第一台面的第二部分中;所述IGBT设备的第二有源区段,所述IGBT设备的所述第二有源区段被包括在所述第二台面的第一部分中;以及所述IGBT设备的第二无源区段,所述IGBT设备的所述第二无源区段被包括在所述第二台面的第二部分中。5.根据权利要求4所述的IGBT设备,其中:所述无源区包括所述IGBT设备的终止区,所述终止区至少部分地围绕所述有源区;所述第一台面沿着所述纵向轴线是不均匀的;所述第二台面沿着所述纵向轴线是不均匀的;所述IGBT设备的所述第一有源区段和所述第二有源区段包括源极注入物;并且所述IGBT设备的所述第一无源区段和所述第二无源区段不包括所述源极注入物。6.根据权利要求4所述的IGBT设备,其中:所述第一台面的所述第一部分包括...
【专利技术属性】
技术研发人员:李孟家,拉尔夫·N·沃尔,刘明焦,沙姆斯·阿列芬·卡恩,戈登·M·格里芙尼亚,
申请(专利权)人:半导体元件工业有限责任公司,
类型:新型
国别省市:美国,US
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