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本实用新型涉及绝缘栅双极晶体管(IGBT)设备。所述IGBT设备可包括有源区，无源区，以及沿着所述有源区中的纵向轴线延伸的沟槽。所述IGBT还可包括第一台面和第二台面，所述第一台面限定所述沟槽的第一侧壁并且与所述沟槽平行，所述第二台面限定所...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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