改善上电极板在化学机械研磨工艺中刮伤的设备制造技术

本实用新型专利技术属于化学机械研磨技术领域，涉及改善上电极板在化学机械研磨工艺中刮伤的设备，包括按序依次呈圆周设置的一第一研磨台和至少一第二研磨台；所述第一研磨台上安装有第一研磨垫；所述第二研磨台上安装有第二研磨垫；其中，所述第一研磨垫的硬度小于所述第二研磨垫的硬度；所述设备还包括研磨头旋转机构，所述研磨头旋转机构上设置有多个研磨头。本实用新型专利技术提供的方法及设备能有效减少半导体存储器电容上电极板上的刮伤，有效保证其质量。

Equipment for Improving Scratch of Upper Electrode Plate in Chemical Mechanical Grinding Process

The utility model belongs to the technical field of chemical mechanical abrasion, and relates to equipment for improving scratch of upper electrode plate in chemical mechanical abrasion process, including a first abrasive table and at least a second abrasive table arranged sequentially in a circle; a first abrasive pad is installed on the first abrasive table; a second abrasive pad is installed on the second abrasive table; and the first abrasive pad is hard. The hardness of the second abrasive pad is less than that of the second abrasive pad; the equipment also includes a rotating mechanism of the abrasive head, on which a plurality of abrasive heads are arranged. The method and equipment provided by the utility model can effectively reduce scratches on the electrode plate of the semiconductor memory capacitor and effectively guarantee its quality.

【技术实现步骤摘要】
改善上电极板在化学机械研磨工艺中刮伤的设备
本技术属于化学研磨
，涉及一种改善上电极板在化学机械研磨工艺中刮伤的设备。
技术介绍
在半导体存储器电容上电极板制程中会生成一绝缘保护层并包覆整个电容，因此绝缘保护层需要填的厚度比较高(>2um)，绝缘保护层生成过程中的阶梯效应导致在生成过程中会产生高低差，所以需要化学机械研磨(CMP)进行平坦化。由于研磨的时间会相当长，为了降低CMP研磨的负担，会在CMP前先进行蚀刻制程，将组件阵列区上的部分绝缘保护层去除，有效减少CMP的研磨时间，之后再进入CMP完成平坦化的制程。不过在CMP前进行蚀刻，蚀刻后会造成绝缘保护层对应于组件阵列区的边缘形成有突出角，此突出角于CMP研磨时容易撕裂剥离从而产生大颗的颗粒，此颗粒如果掉落在研磨垫上会造成后续的晶圆产生刮伤缺陷，从而导致在后续的金属沉积制程中发生短路异常现象。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种改善上电极板在化学机械研磨工艺中刮伤的设备，以至少解决现有技术中存在的问题。为解决上述技术问题，本技术采取的技术方案为，一种改善上电极板在化学机械研磨工艺中刮伤的设备，包括按序依次呈圆周设置的一第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善上电极板在化学机械研磨工艺中刮伤的设备，其特征在于，包括按序依次呈圆周设置的一第一研磨台和至少一第二研磨台；所述第一研磨台上安装有第一研磨垫；所述第二研磨台上安装有第二研磨垫；其中，所述第一研磨垫的硬度小于所述第二研磨垫的硬度；所述设备还包括研磨头旋转机构，所述研磨头旋转机构上设置有多个研磨头，所述研磨头用于夹持待研磨的晶圆，并在所述研磨头旋转机构的带动下，旋转至对应研磨台上，并施加压力至对应研磨台上的所述第一研磨垫和所述第二研磨垫。

【技术特征摘要】
2018.03.20 CN 201810228900X1.一种改善上电极板在化学机械研磨工艺中刮伤的设备，其特征在于，包括按序依次呈圆周设置的一第一研磨台和至少一第二研磨台；所述第一研磨台上安装有第一研磨垫；所述第二研磨台上安装有第二研磨垫；其中，所述第一研磨垫的硬度小于所述第二研磨垫的硬度；所述设备还包括研磨头旋转机构，所述研磨头旋转机构上设置有多个研磨头，所述研磨头用于夹持待研磨的晶圆，并在所述研磨头旋转机构的带动下，旋转至对应研磨台上，并施加压力至对应研磨台上的所述第一研磨垫和所述第二研磨垫。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括第三研磨台，所述第一研磨台、所述第二研磨台、所述第三研磨台依次呈圆周设置，所述第三研磨台上安装有第三研磨垫，所述第一研磨垫的硬度小于所述第三研磨垫的硬度；所述研磨头还用于夹持所述待研磨的晶圆，并在所述研磨头旋转机构的带动下，旋转至第三研磨台上，并施加压力至所述第三研磨垫。3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，还包括第四研磨台，所述第一研磨台、所述第二研磨台、所述第三研磨台、所述第四研磨台依次呈圆周设置，所述第四研磨台上安装有第四研磨垫，所述第一研磨垫的硬度小于所述第四研磨垫的硬度；所述研磨头还用于夹持所述待研磨的晶圆，并在所述研磨头旋转机构的带动下，旋转至第四研磨台上，并施加压力至所述第四研磨垫。4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括第一研磨液导入装置与第一清洗装置，所述第一研磨液导入装置设置于所述第一研磨台上，用于提供第一研磨液于所述第一研磨垫上；所述第一清洗装置设置于所述第一研磨台上，用于提供两性离子表面活性剂对研磨后的晶圆进行清洗；所述设备还包括第二研磨液导入装置与第二清洗装置，所述第二研磨液导入装置设置于所述第二研磨台上，用于提供第二研磨液于所述第二研磨垫上；所述第二清洗装置设置于所述第二研磨台上，用于提供两性离子表面活性剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡长益，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34