制造半导体装置的方法制造方法及图纸

本公开涉及制造半导体装置的方法。所述方法包括：提供衬底，所述衬底之上形成有第一电介质层以及形成在所述第一电介质层中的第一金属层；在所述第一电介质层和所述第一金属层上形成第二电介质层；在所述第二电介质层中形成通孔和沟槽，其中，所述沟槽的部分设置在所述通孔之上并与之连通，并且其中，所述第一金属层的部分通过所述通孔的底部暴露；在腔室中，对通过所述通孔的底部暴露的第一金属层的部分进行预清洁；在所述腔室中，在所述通孔和所述沟槽的底部和侧壁以及所述第二电介质层的上表面上形成阻挡层。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体装置的方法
本公开涉及半导体领域，具体来说，涉及用于制造半导体装置的方法及通过该方法得到的半导体装置。
技术介绍
在半导体装置的制造过程中，需要形成多个金属布线层，并且所述多个金属布线层之间彼此电连接。在依次形成多个金属布线层的过程中，现有的工艺流程仍然不能完全避免冗余时间(即待加工晶片的等待时间)，从而限制整个工艺流程的吞吐率。因此存在对于新的技术的需求。
技术实现思路
本公开的目的之一是提供新型的制造半导体装置的方法及通过该方法制造的半导体装置。根据本公开的一个方面，提供了一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底之上形成有第一电介质层以及形成在所述第一电介质层中的第一金属层；在所述第一电介质层和所述第一金属层上形成第二电介质层；在所述第二电介质层中形成通孔和沟槽，其中，所述沟槽的部分设置在所述通孔之上并与之连通，并且其中，所述第一金属层的部分通过所述通孔的底部暴露；在腔室中，对通过所述通孔的底部暴露的第一金属层的部分进行预清洁；在所述腔室中，在所述通孔和所述沟槽的底部和侧壁以及所述第二电介质层的上表面上形成阻挡层。根据本公开的另一个方面，提供了一种通过如前本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，所述衬底之上形成有第一电介质层以及形成在所述第一电介质层中的第一金属层；在所述第一电介质层和所述第一金属层上形成第二电介质层；在所述第二电介质层中形成通孔和沟槽，其中，所述沟槽的部分设置在所述通孔之上并与之连通，并且其中，所述第一金属层的部分通过所述通孔的底部暴露；在腔室中，对通过所述通孔的底部暴露的第一金属层的部分进行预清洁；在所述腔室中，在所述通孔和所述沟槽的底部和侧壁以及所述第二电介质层的上表面上形成阻挡层。

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，所述衬底之上形成有第一电介质层以及形成在所述第一电介质层中的第一金属层；在所述第一电介质层和所述第一金属层上形成第二电介质层；在所述第二电介质层中形成通孔和沟槽，其中，所述沟槽的部分设置在所述通孔之上并与之连通，并且其中，所述第一金属层的部分通过所述通孔的底部暴露；在腔室中，对通过所述通孔的底部暴露的第一金属层的部分进行预清洁；在所述腔室中，在所述通孔和所述沟槽的底部和侧壁以及所述第二电介质层的上表面上形成阻挡层。2.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，进行预清洁包括：向所述腔室中通入第一气体并将该第一气体引导至所述通孔的底部，以及在使得所述第一气体与通过所述通孔的底部暴露的所述第一金属层的部分充分接触之后，去除所述腔室中的残留气体，其中，所述第一气体能够将被氧化的第一金属层的部分还原。3.根据权利要求2所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，去除所述腔室中的残留气体包括对所述腔室进行抽真空。4.根据权利要求3所述的制造半导体装置的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫浩，吴孝哲，林宗贤，吴龙江，熊建锋，杨基磊，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32