【技术实现步骤摘要】
一种纳米晶磁片及其制备方法和用途
本专利技术属于磁性材料领域，涉及一种磁片，尤其涉及一种纳米晶磁片及其制备方法和用途。
技术介绍
从手机、笔记本等便携式电子产品逐渐普及开始，“轻”薄的设计理念一直牵引着市场的发展方向，各大厂商也在不断加强技术研发，试图将便携电子产品做到更薄，无线充电模组想作为内置器件植入便携式电子产品中，起关键作用的隔磁片就必须做到“轻薄”。非晶、纳米晶带材是由超急冷凝固形成厚度在15～35μm范围内的固体薄带，合金凝固时原子来不及有序排列结晶得到的固态合金。这种固态合金是长程无序结构，没有晶态合金的晶粒、晶界存在，具有优异的磁性，耐蚀性，耐磨性、高硬度、高强度、高电阻率等特性。性能方面，非晶、纳米晶隔磁片具有高的导磁率，高的饱和磁通密度，具有较大的性能优势。非晶、纳米晶隔磁片用于无线充电时，未经处理的非晶或纳米晶带材的磁导率饱和磁通密度都能达到要求，但是损耗较高，纳米晶导磁片在高频下的损耗主要来自于涡流损耗，涡流损耗较大会导致品质因素Q值低，充电效率低，同时，充电时纳米晶的发热量较大，为了降低涡流损耗，目前常规的做法是将纳米晶带材碎化，相当于把...
【技术保护点】
1.一种纳米晶磁片的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)对纳米晶带材进行退火处理，得到退火的纳米晶带材；(2)根据所需的纳米晶层数，对步骤(1)所述退火的纳米晶带材进行贴合，得到贴合的纳米晶带材，所述贴合的纳米晶带材的上下表面均贴附有硅胶粘膜；(3)对步骤(2)所述贴合的纳米晶带材进行破碎处理，得到有裂纹的纳米晶带材；(4)将步骤(3)所述有裂纹的纳米晶带材的上表面硅胶粘膜去除，然后用模具将纳米晶切割成断开的单元格，并且不切断下表面的硅胶粘膜，得到切割后的纳米晶；(5)将步骤(4)所述切割后的纳米晶的下表面硅胶粘膜去除，并在上表面和下表面上贴膜，得到所述纳米晶磁片。
【技术特征摘要】
1.一种纳米晶磁片的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)对纳米晶带材进行退火处理，得到退火的纳米晶带材；(2)根据所需的纳米晶层数，对步骤(1)所述退火的纳米晶带材进行贴合，得到贴合的纳米晶带材，所述贴合的纳米晶带材的上下表面均贴附有硅胶粘膜；(3)对步骤(2)所述贴合的纳米晶带材进行破碎处理，得到有裂纹的纳米晶带材；(4)将步骤(3)所述有裂纹的纳米晶带材的上表面硅胶粘膜去除，然后用模具将纳米晶切割成断开的单元格，并且不切断下表面的硅胶粘膜，得到切割后的纳米晶；(5)将步骤(4)所述切割后的纳米晶的下表面硅胶粘膜去除，并在上表面和下表面上贴膜，得到所述纳米晶磁片。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述纳米晶带材为绕卷的纳米晶带材；优选地，步骤(1)中，所述退火处理的温度为540-560℃，优选为550℃；优选地，步骤(1)中，所述退火处理的保温时间为60-100min，优选为80min；优选地，步骤(1)中，所述退火处理的升降温总时间为6-14h，优选为10h。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述对纳米晶带材进行贴合的方法包括以下步骤：取一片暗面贴附了双面胶的纳米晶带材，在其亮面一侧贴附硅胶粘膜，并剥离所述纳米晶带材上双面胶的保护膜，以所述纳米晶带材为底基面；取另一片在暗面贴附了双面胶的纳米晶带材并剥离所述纳米晶带材上双面胶的保护膜，将其亮面与底基面上的双面胶贴合，重复该步骤增加纳米晶的层数；最后取一片暗面贴附硅胶粘膜的纳米晶带材并将其亮面与处于顶层的纳米晶带材的暗面贴合，得到贴合的纳米晶带材。4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述破碎处理的方法为辊压破碎；优选地，所述辊压破碎的上辊为花纹辊，下辊为光滑辊；优选地，所述花纹辊的辊花尺寸为1-1.5mm，优选为1.2mm；优选地，所述辊压破碎的压力为60-70kg，优选为65kg；优选地，所述辊压破碎的速度为10-20m/min，优选为15m/min；优选地，所述辊压破碎的次数为2-4次，优选为3次。5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，所述切割为单次切割或者单刀多次切割；优选地，步骤(4)中，所述单元格为矩形单元格，优选为正方形单元格；优选地，步骤(4)中，所述单元格的边长为0.5-2mm；优选地，步骤(4)中，所述单元格的形状和大小均相同；优选地，步骤(4)...
【专利技术属性】
技术研发人员：顾小建，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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