一种多层纳米晶片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种多层纳米晶片的制备方法，包括以下步骤：S1,从整张纳米晶片材料上裁切出符合规格大小的纳米晶片；S2,利用机械手将裁切好的纳米晶片吸附并移送到指定位置；S3,在纳米晶片上喷涂胶水；S4,机械手夹取另外一片纳米晶片并放置到喷涂好胶水的纳米晶片上，再施加压力，使两片纳米晶片贴合在一起；S5,根据设定的层数要求，循环步骤S2、步骤S3和步骤S4，直到完成相应层数的纳米晶片的制备。本发明专利技术操作简单，良品率高，更加轻薄化，减少人力成本。

【技术实现步骤摘要】
一种多层纳米晶片的制备方法
本专利技术属于纳米晶片
，具体地说是一种多层纳米晶片的制备方法。
技术介绍
纳米晶材料具有良好的磁性，在很多场所都得到应用。比如，电子产品的无线充电内用于励磁导磁的多层薄片磁性材料，被采用最多的就是纳米晶片。现有的纳米晶片一般具有多层结构，其制备方法通常为：采用卷材的方式输送纳米晶片和粘胶，按照纳米晶片、粘胶、纳米晶片的交替层叠方式，在输送的过程当中使得各层纳米晶片通过粘胶粘接组合在一起，通过输送辊输送。由于纳米晶片是一种易断的脆性材料，很容易发生断裂问题。对于多层纳米晶片，只要其中一片纳米晶片发生断裂问题，则整个纳米晶片的性能就不符合要求。因此，目前这种多层纳米晶片的良品率较低，通常只有最多60%的良品率。另外，采用上述这种辊轴输送的方式粘合多层纳米晶材料，如果中间层发生断裂问题，则难以检测，给用户和厂家都带来了较大的麻烦。另外，由于采用双面胶，会导致整体的厚度较大，难以做到轻薄化。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种多层纳米晶片的制备方法，操作简单，良品率高，更加轻薄化，减少人力成本。为了解决上述技术问题，本专利技术采取以下技术方案：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多层纳米晶片的制备方法，包括以下步骤：S1,从整张纳米晶片材料上裁切出符合规格大小的纳米晶片；S2,利用机械手将裁切好的纳米晶片吸附并移送到指定位置；S3,在纳米晶片上喷涂胶水；S4,机械手夹取另外一片纳米晶片并放置到喷涂好胶水的纳米晶片上，再施加压力，使两片纳米晶片贴合在一起；S5,根据设定的层数要求，循环步骤S2、步骤S3和步骤S4，直到完成相应层数的纳米晶片的制备。

【技术特征摘要】
1.一种多层纳米晶片的制备方法，包括以下步骤：S1,从整张纳米晶片材料上裁切出符合规格大小的纳米晶片；S2,利用机械手将裁切好的纳米晶片吸附并移送到指定位置；S3,在纳米晶片上喷涂胶水；S4,机械手夹取另外一片纳米晶片并放置到喷涂好胶水的纳米晶片上，再施加压力，使两片纳米晶片贴合在一起；S5,根据设定的层数要求，循环步骤S2、步骤S3和步骤S4，直到完成相应层数的纳米晶片的制备。2.根据权利要求1所述的多层纳米晶片的制备方法，其特征在于，所述机械手通过真空吸盘吸附纳米晶片。3.根据权利要求2所述的多层纳米晶片的...

【专利技术属性】
技术研发人员：任泽明，张飞龙，余长勇，
申请(专利权)人：广东思泉新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44