一种24G发射机芯片结构制造技术

本发明专利技术公开了一种24G发射机芯片结构，包括在芯片内集成封装的压控振荡器、缓冲器、功分器、发射机输出功放、本振输出功放和可切换分频比的预分频器，所述压控振荡器用于产生24GHz频段信号，压控振荡器的输出端连接缓冲器的输入端，所述缓冲器的输出端与功分器连接；所述功分器的输出端分别连接发射机输出功放输入端、本振输出功放的输入端和预分频器的输入端。本发明专利技术的有益之处在于，本发明专利技术采用SiGe BiCMOS工艺，将产生24GHz频段信号的微波电路集成在芯片本体上，从而使用单芯片就可以实现发射机的功能，不但体积小，而且使用方便，成本低，为国内毫米波雷达方案提供低成本的解决方案。

A 24 G Transmitter Chip Architecture

The invention discloses a 24G transmitter chip structure, which includes a voltage controlled oscillator, buffer, power divider, transmitter output power amplifier, local oscillator output power amplifier and switchable frequency divider integrated in the chip. The voltage controlled oscillator is used to generate a 24GHz frequency band signal, the output end of the voltage controlled oscillator is connected with the input end of the buffer, and the output end of the buffer is connected with the input end of the buffer. The output end of the power divider is connected with the input end of the transmitter output power amplifier, the input end of the local oscillator output power amplifier and the input end of the pre-divider respectively. The advantages of the invention lie in that the microwave circuit which generates 24GHz band signal is integrated on the chip body by using SiGe BiCMOS technology, so that the transmitter function can be realized by using a single chip, which is not only small in size, but also convenient in use and low in cost, and provides a low-cost solution for the domestic millimeter wave radar scheme.

【技术实现步骤摘要】
一种24G发射机芯片结构
本专利技术涉及毫米波芯片设计
，尤其涉及一种24G发射机芯片结构。
技术介绍
雷达按照电磁波辐射能量的特点可以分为脉冲雷达和连续波雷达。和脉冲雷达相比，连续波雷达发射功率随时间无明显变化，更容易和射频前端兼容，结构简单因而成本较低，成为汽车前视雷达的主流技术。射频收发前端是雷达系统的核心模块。现有的车载毫米波雷达发射芯片方案主要是采用分离器件的形式，通过单独的压控振荡器、倍频器以及功率放大器芯片实现调制信号的发射，该方案集成度较低、成本较高、不利于汽车雷达小型化的需求。
技术实现思路
本专利技术为了解决上述存在的问题，提供一种24G发射机芯片结构。该芯片实现发射芯片全集成、高性能、低成本和小型化。本专利技术采用如下技术方案:一种24G发射机芯片结构，包括在芯片内集成封装的压控振荡器、缓冲器、功分器、发射机输出功放、本振输出功放和可切换分频比的预分频器，所述压控振荡器用于产生24GHz频段信号，压控振荡器的输入端分别连接芯片的电压输入接口引脚VTUNE1、引脚VTUNE2、引脚VTUNE1X,其输出端连接缓冲器的输入端，所述缓冲器的输出端与功分器连接；所述功分器的输出端分别连接发射机输出功放输入端、本振输出功放的输入端和预分频器的输入端，所述发射机输出功放的输出端连接发射端口引脚PA和引脚PAX，所述本振输出功放的输出端连接本振信号输出端口引脚LO和引脚LOX，所述预分频器的输出端连接分频信号输出端口引脚DIV和引脚DIVX。优选的，所述预分频器的分频比为1/16或1/1048576。优选的，在芯片内还集成封装一温度传感器，所述温度传感器用于监控芯片的温度变化，所述温度传感器的输出端连接芯片的引脚VOUT，所述温度传感器由单独的电源供电。优选的，所述预分频器连接单独的电源。优选的，芯片采用QFN-32L封装形式。采用上述技术方案，本专利技术的有益之处在于，本专利技术采用SiGeBiCMOS工艺，将产生24GHz频段信号的微波电路集成在芯片本体上，从而使用单芯片就可以实现发射机的功能，不但体积小，而且使用方便，成本低，为国内毫米波雷达方案提供低成本的解决方案；预分频器采用单独电源供电，可以关闭，以节省功耗；采用温度传感器以实时监控温度变化，保证设备工作的可靠性。附图说明图1是本专利技术的结构框图。附图标记：1、压控振荡器；2、缓冲器；3、功分器；4、发射机输出功放；5、本振输出功放；6、预分频器；7、温度传感器。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明。本专利技术如图1所示，一种24G发射机芯片结构，包括在芯片内集成封装的压控振荡器1、缓冲器2、功分器3、发射机输出功放4、本振输出功放5和可切换分频比的预分频器6，所述压控振荡器1用于产生24GHz频段信号，压控振荡器1的输入端分别连接芯片的电压输入接口的引脚VTUNE1、引脚VTUNE2、引脚VTUNE1X,其输出端连接缓冲器2的输入端，所述缓冲器2的输出端与功分器3连接；所述功分器3的输出端分别连接发射机输出功放4输入端、本振输出功放5的输入端和预分频器6的输入端，所述发射机输出功放4的输出端连接发射端口引脚PA和引脚PAX，所述本振输出功放5的输出端连接本振信号输出端口引脚LO和引脚LOX，所述预分频器6的输出端连接分频信号输出端口引脚DIV和引脚DIVX。预分频器6的分频比为1/16或1/1048576。在芯片内还集成封装一温度传感器7，所述温度传感器7用于监控芯片的温度变化，所述温度传感器7的输出端连接芯片的引脚VOUT，所述温度传感器7由单独的电源供电。预分频器6连接单独的电源。芯片采用QFN-32L封装形式。尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本专利技术，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本专利技术的精神和范围内，在形式上和细节上对本专利技术做出各种变化，均为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种24G发射机芯片结构，其特征在于，包括在芯片内集成封装的压控振荡器、缓冲器、功分器、发射机输出功放、本振输出功放和可切换分频比的预分频器，所述压控振荡器用于产生24GHz频段信号，压控振荡器的输入端分别连接芯片的电压输入接口引脚VTUNE1、引脚VTUNE2、引脚VTUNE1X ,其输出端连接缓冲器的输入端，所述缓冲器的输出端与功分器连接；所述功分器的输出端分别连接发射机输出功放输入端、本振输出功放的输入端和预分频器的输入端，所述发射机输出功放的输出端连接发射端口引脚PA和引脚PAX，所述本振输出功放的输出端连接本振信号输出端口引脚LO和引脚LOX，所述预分频器的输出端连接分频信号输出端口引脚DIV和引脚DIVX。

【技术特征摘要】
1.一种24G发射机芯片结构，其特征在于，包括在芯片内集成封装的压控振荡器、缓冲器、功分器、发射机输出功放、本振输出功放和可切换分频比的预分频器，所述压控振荡器用于产生24GHz频段信号，压控振荡器的输入端分别连接芯片的电压输入接口引脚VTUNE1、引脚VTUNE2、引脚VTUNE1X,其输出端连接缓冲器的输入端，所述缓冲器的输出端与功分器连接；所述功分器的输出端分别连接发射机输出功放输入端、本振输出功放的输入端和预分频器的输入端，所述发射机输出功放的输出端连接发...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨守军，谢建法，黄种艺，
申请(专利权)人：厦门意行半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35