The invention relates to a preparation method of molecular glass photoresist containing tetraphenylthiophenol structure. It not only improves the yield but also simplifies the subsequent treatment process, making industrial production possible. Specifically, the product is purified by using appropriate solvent and reprecipitation method instead of silica gel column, which reduces the complexity of post-treatment and shortens the post-treatment time. The yield of compounds (III) and (V) has been greatly increased with the purity being maintained: the yield of compounds (III) has been increased by more than 50%, and the yield of compounds (V) has been increased by more than 25%.
【技术实现步骤摘要】
含四苯基噻酚结构的分子玻璃光刻胶的制备方法
本专利技术涉及含四苯基噻酚结构的分子玻璃光刻胶以及该化合物的制备方法。
技术介绍
近几十年以来,微电子技术迅猛发展,促进着国民经济持续发展,与之相关的半导体产业在国民经济领域中占据着显著位置,随着国家“互联网+”、“国家大数据战略”等实施,半导体产业未来发展的趋势更值得憧憬。现代半导体技术要求电子器件中集成电路的尺寸越来越小,集成度越来越高,能够符合摩尔定律的预测。目前集成电路的最小特征尺寸已经达到纳米级别,集成电路发展所依赖的核心技术之一是光刻技术,光刻技术经历了从紫外(UV,G线436nm和I线365nm)、深紫外(DUV,248nm和193nm),到下一代光刻技术中最有影响力的极紫外(EUV,13.5nm)光刻技术、纳米压印、电子束等的发展历程。随着光刻技术的发展,193nm光刻所能达到的灵敏度、分辨率以及线边缘粗糙度已经很难满足半导体行业的要求。而极紫外光刻技术使用短波长13.5nm的光源,能够达到22nm和10nm技术节点,甚至7nm技术节点,极紫外光刻技术在下一代光刻技术中占据着重要的位置。光刻技术的改变带来 ...
【技术保护点】
1.一种式(V)化合物的制备方法,包括:
【技术特征摘要】
1.一种式(V)化合物的制备方法,包括:其中,R1任选为卤素(例如溴),R2任选为-OC1-6烷基(例如-OCH3);R’任选为H、OH;R任选为H、OH或酸敏基团,其中至少一个R为酸敏基团;(A)将化合物(I)与化合物(II)在溶剂中进行反应,其中R1任选为卤素(例如溴),R2任选为-OC1-6烷基(例如-OCH3),反应结束后,过滤得到固体,分别用水与乙醇洗涤,再过滤,得到化合物(III);(B)将步骤(A)中得到的化合物(III)发生去烷基化反应生成化合物(IV),其中,R’任选为H、OH;(C)将步骤(B)得到的化合物(IV)与(COOR3)2O或者R4Z发生反应,其中,R3任选为C1-8烷基,R4任选为C1-8烷基、Z为卤素(优选氯),生成羟基部分保护或全保护的四苯基噻吩型分子玻璃,即通式(V)化合物;反应结束后,浓缩反应液,向体系中加入产物的不良溶剂,进行回流,过滤得到产物。2.根据权利要求1所述的制备方法,其中,步骤(A)中,在钯催化剂(例如四(三苯基膦)钯)存在下进行反应,优选在碱存在下,例如碳酸钾,溶剂优选为二氧六环-水。3.根据权利要求1所述的制备方法,其中,步骤(A)中,反应结束后,将反应液进行过滤,得到固体,分别用水和乙醇洗涤,过滤至滤液为澄清,干燥得到化合物(III)。4.根据权利要求1所述的制备方法,其中,步骤(B)中,所述去烷基化反应在路易斯酸存在下进行,优选使用三溴化硼进行去烷基化反应,反应所使用的溶剂优选为二氯甲烷,反应温度优选为0-10℃,更优选为4-8℃,反应时间优选为2-15h。5.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨国强,王亚飞,王亮乾,王双青,郭旭东,
申请(专利权)人:深圳前海广宇天骥科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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