直流接触器静触点结构制造技术

技术编号:20276658 阅读:26 留言:0更新日期:2019-02-02 05:11
本实用新型专利技术公开了一种直流接触器静触点结构,包括一对静触点和设于一对静触点下方的动触点,所述静触点和动触点外侧设有用于磁吹灭弧的永磁铁,所述静触点靠近所述动触点的端面的外侧设有缺口槽形成避位台阶。该直流接触器静触点结构通过在静触点上设置避位台阶,让让永磁铁尽可能的靠近电弧产生的位置,大大缩小了永磁铁与电弧的距离,有效提高磁吹灭弧的效果,从而提高高电压条件下产品的电寿命性能。

【技术实现步骤摘要】
直流接触器静触点结构
本技术涉及一种直流接触器,尤其涉及一种直流接触器静触点结构。
技术介绍
现有的直流接触器产品在高电压下点寿命普遍较低,主要体现在产品的灭弧能力不足。
技术实现思路
为了克服上述缺陷,本技术提供了一种直流接触器静触点结构,能够有效提升磁吹灭弧的效果,从而提高产品的电寿命性能。本技术为了解决其技术问题所采用的技术方案是:一种直流接触器静触点结构,包括一对静触点和设于一对静触点下方的动触点,所述静触点和动触点外侧设有用于磁吹灭弧的永磁铁,所述静触点靠近所述动触点的端面的外侧设有缺口槽形成避位台阶。作为本技术的进一步改进,所述永磁铁的内端置于所述避位台阶内。作为本技术的进一步改进,所述静触点靠近所述动触点的一端为圆柱形。作为本技术的进一步改进,所述静触点上的避位台阶为圆柱形静触点切除小于其一半的部分形成。本技术的有益效果是:该直流接触器静触点结构通过在静触点上设置避位台阶,让让永磁铁尽可能的靠近电弧产生的位置,大大缩小了永磁铁与电弧的距离,有效提高磁吹灭弧的效果,从而提高高电压条件下产品的电寿命性能。附图说明图1为本技术所述静触点结构示意图;图2为本技术使用状态图;图3为本技术灭弧状态图。结合附图,作以下说明:1——静触点;2——动触点;3——永磁铁;11——避位台阶。具体实施方式以下结合附图,对本技术的一个较佳实施例作详细说明。但本技术的保护范围不限于下述实施例,即但凡以本技术申请专利范围及说明书内容所作的简单的等效变化与修饰,皆仍属本技术专利涵盖范围之内。参阅图1-3,为本技术所述的一种直流接触器静触点结构,包括一对静触点1和设于一对静触点下方的动触点2,所述静触点和动触点外侧设有用于磁吹灭弧的永磁铁3,所述静触点靠近所述动触点的端面的外侧设有缺口槽形成避位台阶11。优选的,所述永磁铁的内端置于所述避位台阶内;所述静触点靠近所述动触点的一端为圆柱形;所述静触点上的避位台阶为圆柱形静触点切除小于其一半的部分形成。该直流接触器静触点结构在静触点靠近动触点的端面上切除一小部分即设置缺口槽形成避位台阶,避位台阶处放置永磁铁,可以让永磁铁尽可能的靠近电弧产生的位置,参阅图2,这样,在永磁铁材料、大小和形状一致的情况下,大大缩小了永磁铁与电弧的距离,磁场强度显著提升,带电粒子偏转速度提高,能够快速实现有效拉断电弧。由此可见,该直流接触器静触点结构通过在静触点上设置避位台阶,让让永磁铁尽可能的靠近电弧产生的位置,大大缩小了永磁铁与电弧的距离,有效提高磁吹灭弧的效果,从而提高高电压条件下产品的电寿命性能。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种直流接触器静触点结构,包括一对静触点(1)和设于一对静触点下方的动触点(2),所述静触点和动触点外侧设有用于磁吹灭弧的永磁铁(3),其特征在于:所述静触点靠近所述动触点的端面的外侧设有缺口槽形成避位台阶(11)。

【技术特征摘要】
1.一种直流接触器静触点结构,包括一对静触点(1)和设于一对静触点下方的动触点(2),所述静触点和动触点外侧设有用于磁吹灭弧的永磁铁(3),其特征在于:所述静触点靠近所述动触点的端面的外侧设有缺口槽形成避位台阶(11)。2.根据权利要求1所述的直流接触器静触点结构,...

【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人
申请(专利权)人:苏州安来强电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:江苏,32

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