有机发光二极管显示面板及其制造方法技术

一种OLED显示面板及其制造方法，所述OLED显示面板包括一TFT阵列基板、若干个有机发光单元、一第一挡墙、一第二挡墙、一沟槽及一薄膜封装结构。有机发光单元设于显示区域中，第一挡墙和第二挡墙设于非显示区域中。沟槽形成于对应第一挡墙和第二挡墙间的空隙的位置，设置于TFT阵列基板之绝缘层层叠构中且具有一暴露的开口。薄膜封装结构覆盖上述元件。特别地，沟槽设置于直边区，因而TFT阵列基板在直边区和拐角区形成高度差。本申请能够有效降低薄膜封装结构的有机层在拐角区溢出的风险。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管显示面板及其制造方法
本申请涉及一种显示技术，特别涉及一种有机发光二极管(organiclightemittingdiode)显示面板及其制造方法。
技术介绍
有机发光二极管显示器和液晶显示器(liquidcrystaldisplay,LCD)相比，最大的优势在于OLED显示器可实现柔性显示。然而，OLED器件对水氧特别敏感，为了防止水氧入侵，同时达到柔性显示的效果，传统工艺会以一薄膜封装结构模封OLED器件。一般来说，薄膜封装结构由交叠的有机层和无机层构成，薄膜封装结构中的有机层具有一定的流动性，为将其限定在一定区域内，通常会在显示区域外围形成一圈或多圈挡墙(dam)。图1显示一种现有的OLED显示面板100的示意图。如图1所示，显示面板100分成非显示区域D和显示区域E，挡墙110设置在非显示区域D中，挡墙110定义了薄膜封装结构中有机层的边界。图2显示一种现有的异形屏200的示意图。请一并参阅图1和图2，挡墙100为封闭的环形结构，其具有一直边区(straightlineregion)SR和一拐角区(cornerregion)CR。图1所示的挡墙有四个拐角区CR，图2所示的异形屏200中拐角区CR的数量和形貌则更加复杂。由于拐角区CR的形状较直边区SR的形状相对复杂，现有技术中存在薄膜封装结构的有机层从拐角区CR溢出的问题，导致水氧入侵，OLED器件无法获得良好的水氧防护，降低OLED显示器的寿命。因异形屏200的拐角区CR数量多，薄膜封装结构的有机层溢出的问题更为严重。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种有机发光二极管显示面板及其制造方法，以降低薄膜封装结构的有机层溢出的风险。为实现上述目的，本申请一方面提供一种有机发光二极管显示面板，包括一显示区域和一非显示区域，所述显示区域用于显示影像，所述非显示区域围绕所述显示区域，所述显示面板包括：一薄膜晶体管阵列基板，其在所述非显示区域上包括一绝缘层叠构，所述绝缘层叠构包括若干个层叠的绝缘层；若干个有机发光单元，设置于所述薄膜晶体管阵列基板上，位于所述显示区域中；一第一挡墙，设置于所述薄膜晶体管阵列基板上，所述第一挡墙位于所述非显示区域且围绕所述显示区域；一第二挡墙，设置于所述薄膜晶体管阵列基板上，所述第二挡墙位于所述非显示区域且围绕所述第一挡墙，所述第一挡墙和所述第二挡墙相距一段距离，所述第一挡墙和所述第二挡墙构成一环形结构，在所述环形结构上定义有一直边区和一拐角区；一沟槽，设置于所述环形结构的所述直边区，位于所述第一挡墙和所述第二挡墙之间，所述沟槽设置于所述薄膜晶体管阵列基板之所述绝缘层叠构中，具有一暴露之开口；以及一薄膜封装结构，具有交叠的一或多个有机层和一或多个无机层，所述薄膜封装结构覆盖所述薄膜晶体管阵列基板、所述若干个有机发光单元、所述第一挡墙、所述第二挡墙及设置于所述环形结构之所述直边区的所述沟槽暴露之所述开口。本申请实施例中，所述第一挡墙包括一第一闭环结构，所述第二挡墙包括一第二闭环结构，所述第一闭环结构设置于所述第二闭环结构内，所述沟槽设置于所述第一闭环结构和所述第二闭环结构之间。本申请实施例中，所述薄膜晶体管阵列基板在所述直边区的高度低于在所述拐角区的高度。本申请实施例中，所述沟槽具有一侧壁及一底壁，所述沟槽的所述侧壁及所述底壁邻接所述绝缘层叠构的所述若干个绝缘层中的至少一绝缘层。本申请实施例中，所述沟槽具有一侧壁及一底壁，所述沟槽的所述侧壁邻接所述绝缘层叠构的所述若干个绝缘层中的其中一绝缘层，所述沟槽的所述底壁邻接所述绝缘层叠构的所述若干个绝缘层中的另一绝缘层。本申请实施例中，所述薄膜晶体管阵列基板的所述绝缘层叠构所包括的若干个绝缘层依序包括一栅极绝缘层、一第一层间绝缘层及一第二层间绝缘层，所述第二层间绝缘层为所述绝缘层叠构中最外侧的绝缘层。本申请实施例中，所述沟槽的深度为所述第二层间绝缘层的厚度。本申请实施例中，所述沟槽的深度为所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层的总厚度。本申请实施例中，所述沟槽的深度为所述栅极绝缘层、所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层的总厚度。本申请另一方面提供一种有机发光二极管显示面板的制造方法，所述显示面板包括一显示区域和一非显示区域，所述显示区域用于显示影像，所述非显示区域围绕所述显示区域，所述方法包括：形成一薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板在所述非显示区域上包括一绝缘层叠构，所述绝缘层叠构包括若干个层叠的绝缘层；于所述显示区域中、所述薄膜晶体管阵列基板上设置若干个有机发光单元；去除所述非显示区域中、所述薄膜晶体管阵列基板之所述绝缘层叠构所包括的所述若干个绝缘层中的至少一绝缘层，以形成一沟槽，所述沟槽具有一暴露之开口；于所述非显示区域中、所述薄膜晶体管阵列基板上设置一第一挡墙和一第二挡墙，所述第一挡墙和所述第二挡墙构成一环形结构，在所述环形结构上定义有一直边区和一拐角区，所述沟槽设置于所述环形结构的所述直边区，且位于所述第一挡墙和所述第二挡墙之间；形成具有交叠的一或多个有机层和一或多个无机层的一薄膜封装结构，以覆盖所述薄膜晶体管阵列基板、所述若干个有机发光单元、所述第一挡墙、所述第二挡墙及设置于所述环形结构之所述直边区的所述沟槽暴露之所述开口。本申请中，对应两道挡墙和之间空隙的直边区的TFT阵列基板设置有一道沟槽，这使得TFT阵列基板在直边区的高度低于在拐角区的高度。也就是，TFT阵列基板在直边区和拐角区形成高度差，当薄膜封装结构中有机层从拐角区外溢到两道挡墙之间时，溢出的部分可以借助高度差分流到较低的直边区。因此，本申请能够有效降低薄膜封装结构的有机层在拐角区溢出的风险。为让本申请的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。附图说明图1显示一种现有的OLED显示面板的示意图。图2显示一种现有的异形屏的示意图。图3显示根据本申请的一种有机发光二极管显示面板的示意图。图4显示图3中沿I-I虚线的剖面图。图5显示图3中沿II-II虚线的剖面图。图6显示图3中沿III-III虚线的剖面图。图7显示根据本申请一实施例的有机发光二极管显示面板的示意图。图8显示根据本申请一实施例的沿两挡墙间的空隙的剖面的示意图。图9显示根据本申请另一实施例的有机发光二极管显示面板的示意图。图10显示根据本申请另一实施例的沿两挡墙间的空隙的剖面的示意图。图11显示根据本申请又一实施例的有机发光二极管显示面板的示意图。图12显示根据本申请又一实施例的沿两挡墙间的空隙的剖面的示意图。图13显示根据本申请的一种有机发光二极管显示面板的制造方法的流程图。具体实施方式为使本申请的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本申请进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，本申请说明书所使用的词语“实施例”意指用作实例、示例或例证，并不用于限定本申请。图3显示根据本申请的一种有机发光二极管(organiclightemittingdiode,OLED)显示面板300的示意图。图4显示图3中沿I-I虚线的剖面图。图5显示图3中沿II-II虚线的剖面图。图6显示图3中沿III-III虚线的剖面图。OLED显示面板300包括一非显示区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光二极管显示面板，包括一显示区域和一非显示区域，所述显示区域用于显示影像，所述非显示区域围绕所述显示区域，其特征在于，所述显示面板包括：一薄膜晶体管阵列基板，其在所述非显示区域上包括一绝缘层叠构，所述绝缘层叠构包括若干个层叠的绝缘层；若干个有机发光单元，设置于所述薄膜晶体管阵列基板上，位于所述显示区域中；一第一挡墙，设置于所述薄膜晶体管阵列基板上，所述第一挡墙位于所述非显示区域且围绕所述显示区域；一第二挡墙，设置于所述薄膜晶体管阵列基板上，所述第二挡墙位于所述非显示区域且围绕所述第一挡墙，所述第一挡墙和所述第二挡墙相距一段距离，所述第一挡墙和所述第二挡墙构成一环形结构，在所述环形结构上定义有一直边区和一拐角区；一沟槽，设置于所述环形结构的所述直边区，位于所述第一挡墙和所述第二挡墙之间，所述沟槽设置于所述薄膜晶体管阵列基板之所述绝缘层叠构中，具有一暴露之开口；以及一薄膜封装结构，具有交叠的一或多个有机层和一或多个无机层，所述薄膜封装结构覆盖所述薄膜晶体管阵列基板、所述若干个有机发光单元、所述第一挡墙、所述第二挡墙及设置于所述环形结构之所述直边区的所述沟槽暴露之所述开口。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管显示面板，包括一显示区域和一非显示区域，所述显示区域用于显示影像，所述非显示区域围绕所述显示区域，其特征在于，所述显示面板包括：一薄膜晶体管阵列基板，其在所述非显示区域上包括一绝缘层叠构，所述绝缘层叠构包括若干个层叠的绝缘层；若干个有机发光单元，设置于所述薄膜晶体管阵列基板上，位于所述显示区域中；一第一挡墙，设置于所述薄膜晶体管阵列基板上，所述第一挡墙位于所述非显示区域且围绕所述显示区域；一第二挡墙，设置于所述薄膜晶体管阵列基板上，所述第二挡墙位于所述非显示区域且围绕所述第一挡墙，所述第一挡墙和所述第二挡墙相距一段距离，所述第一挡墙和所述第二挡墙构成一环形结构，在所述环形结构上定义有一直边区和一拐角区；一沟槽，设置于所述环形结构的所述直边区，位于所述第一挡墙和所述第二挡墙之间，所述沟槽设置于所述薄膜晶体管阵列基板之所述绝缘层叠构中，具有一暴露之开口；以及一薄膜封装结构，具有交叠的一或多个有机层和一或多个无机层，所述薄膜封装结构覆盖所述薄膜晶体管阵列基板、所述若干个有机发光单元、所述第一挡墙、所述第二挡墙及设置于所述环形结构之所述直边区的所述沟槽暴露之所述开口。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于：所述第一挡墙包括一第一闭环结构，所述第二挡墙包括一第二闭环结构，所述第一闭环结构设置于所述第二闭环结构内，所述沟槽设置于所述第一闭环结构和所述第二闭环结构之间。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于：所述薄膜晶体管阵列基板在所述直边区的高度低于在所述拐角区的高度。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于：所述沟槽具有一侧壁及一底壁，所述沟槽的所述侧壁及所述底壁邻接所述绝缘层叠构的所述若干个绝缘层中的至少一绝缘层。5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于：所述沟槽具有一侧壁及一底壁，所述沟槽的所述侧壁邻接所述绝缘层叠构...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹君，徐湘伦，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42