【技术实现步骤摘要】
一种解决双面氧化铝结构PERC电池石墨舟污染的方法
本专利技术涉及PERC太阳能电池生产
，尤其涉及一种解决双面氧化铝结构PERC电池石墨舟污染的方法。
技术介绍
PERC电池作为行业量产高效主流技术，其技术核心是在硅片的背面沉积氧化铝和氮化硅，以起到钝化表面、提高长波响应的作用，从而提升电池的转换效率。现有的氧化铝沉积方式有两种：PECVD法和ALD法，本专利技术针对的是韩国设备供应商NCD公司的ALD设备，该公司的NCD设备具有高产能、成膜均匀性更好、维护周期长等优点。工艺路线是：制绒—扩散—刻蚀/背抛—正面氮化硅膜沉积—背面ALD方式双面氧化铝膜沉积—背面氮化硅膜沉积（PECVD）—激光开槽—丝印印刷—烧结，该ALD设备沉积氧化铝时为双面沉积，即在硅片背面和正面同时沉积有氧化铝膜层，在后道工序背面镀膜时，正面氧化铝会与石墨舟直接接触，该层氧化铝由于未经过退火处理，结构稳定性差，在背面镀膜时的高温条件下容易被石墨舟上金属离子及碳粉颗粒污染，导致电池片EL污染不良。
技术实现思路
本专利技术为了克服高温条件下背面镀膜时石墨舟表面杂质对硅片正面氧化铝的污染的问题...
【技术保护点】
1.一种解决双面氧化铝结构PERC电池石墨舟污染的方法，其特征在于，包括以下步骤：先在石墨舟表面沉积一层氮化硅膜层，然后在氮化硅膜表面再沉积一层氧化硅膜层。
【技术特征摘要】
1.一种解决双面氧化铝结构PERC电池石墨舟污染的方法，其特征在于，包括以下步骤：先在石墨舟表面沉积一层氮化硅膜层，然后在氮化硅膜表面再沉积一层氧化硅膜层。2.根据权利要求1所述的一种解决双面氧化铝结构PERC电池石墨舟污染的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将清洗烘干后的石墨舟，送入PECVD炉管中，抽真空并升温至工艺设定温度；（2）在低压下通入氨气、硅烷，开启射频电源，设定时间内完成石墨舟表层氮化硅膜层的沉积；（3）在低压下通入笑气、硅烷，开启射频电源，设定时间内完成石墨舟表层氧化硅膜层沉积；（4）抽真空、充氮气回压、出舟，完成整个工艺。3.根据权利要求2所述的一种解决双面氧化铝结构PERC电池石墨舟污染的方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙涌涛，彭兴，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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