【技术实现步骤摘要】
一种低压降镜像电流源电路
本专利技术涉及集成电路设计领域，具体涉及一种低压降镜像电流源电路。
技术介绍
CMOS工艺中，传统镜像电流源由两个相互匹配的MOS管组成，其中一个MOS管按照二极管方式连接并接入参考电流源，另一个MOS管的漏极为电流输出端，其高输出电阻主要是通过电流输出MOS管较大的漏源电压（即电流源压降）和较长的沟道长度保证的。深亚微米CMOS工艺的电源电压已降至1.2V甚至更低，电压裕度对于模拟电路来说十分紧张，对于电压缓冲器等处理大信号（输入信号幅度大于300mV）的模拟电路来说，情况更加严峻，保证每个MOS管都始终充分工作在饱和区已越来越困难。电流源广泛应用于模拟集成电路中，紧张的电压裕度使得共源共栅等具有高输出电阻特点的镜像电流源结构不再适用。传统镜像电流源需要较大的压降和较长的沟道长度以保证较高的输出电阻，采用长沟道长度导致镜像电流源较大的尺寸，其引入的寄生电容导致电流源的高频输出阻抗下降。传统镜像电流源由两个栅极、源极分别互连且尺寸相互匹配的MOS管组成，其中一个MOS管的漏极和栅极相连，并且接入参考电流；另一个MOS管只要工作在饱和区（即...
【技术保护点】
1.一种低压降镜像电流源电路,其特征在于：包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一参考电流源I1、第二参考电流源I2、第一NMOS管N1和第二NMOS管N2；所述第一PMOS管P1与第二PMOS管P2镜像对称，所述第一参考电流源I1的一端分别连接到电压源VDD、第一PMOS管P1的源极和第二PMOS管P2的源极，所述第一参考电流源I1的输出端分别连接到第一PMOS管P1的栅极、第二PMOS管P2的栅极和第二NMOS管N2的漏极，所述第二参考电流源I2的一端接地，所述第二参考电流源I2的输出端分别连接到第一NMOS管N1的源极和第二NMOS管N2源极，所述第一PMOS...
【技术特征摘要】
1.一种低压降镜像电流源电路,其特征在于：包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一参考电流源I1、第二参考电流源I2、第一NMOS管N1和第二NMOS管N2；所述第一PMOS管P1与第二PMOS管P2镜像对称，所述第一参考电流源I1的一端分别连接到电压源VDD、第一PMOS管P1的源极和第二PMOS管P2的源极，所述第一参考电流源I1的输出端分别连接到第一PMOS管P1的栅极、第二PMOS管P2的栅极和第二NMOS管N2的漏极，所述第二参考电流源I2的一端接地，所述第二参考电流源I2的输出端分别连接到第一NMOS管N1的源极和第二NMOS管N2源极，所述第一PMOS管P1的漏极连接到第二NMOS管N2的栅极并作为电流输出端，所述第二PMOS管P2的漏极分别连接到第一NMOS管...
【专利技术属性】
技术研发人员：白春风，张威，乔东海，赵鹤鸣，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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