带偏移消除功能的包络跟踪电流偏置电路和功率放大器制造技术

本发明专利技术提供一种带偏移消除功能的包络跟踪电流偏置电路和功率放大器，所述包络跟踪(ET)电流偏置电路包括：包络检测电路，从输入信号检测ET电压；第一电压/电流转换电路，将参考电压转换为直流(DC)电流，并根据第一控制信号调节所述DC电流；第二电压/电流转换电路，将所述ET电压转换为ET电流，根据第二控制信号调节所述ET电流，并从所述ET电流去除DC偏移电流，以提供偏移补偿ET电流；以及运算电路，计算所述偏移补偿ET电流和所述DC电流的大小，以产生ET偏置电流。

【技术实现步骤摘要】
带偏移消除功能的包络跟踪电流偏置电路和功率放大器本申请要求于2017年7月18日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0091091号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用包含于此。
以下描述涉及一种应用于功率放大系统以基于输入信号的包络而从包络跟踪(ET)电流有效地消除直流(DC)偏移电流的ET电流偏置电路和功率放大器。
技术介绍
通常，平均功率跟踪(APT)或包络跟踪(ET)用作减小功率放大器模块(PAM)的电流消耗的方法。APT技术是通过根据平均输出功率调整电源电压(VCC)来增大效率的方法。ET技术是根据射频(RF)信号的包络通过控制功率放大器(PA)的电源电压来增大效率的方法。ET技术是针对RF信号中具有相对低水平振幅的部分通过降低PA的电源电压来减小平均电流消耗以及针对RF信号中的具有相对高水平振幅的部分通过增加PA的电源电压以防止其线性劣化的方法。此外，APT技术是提供计算在预定时间期间的包络信号的平均值的VCC的方法。此外，由于ET技术提供计算包络信号的瞬时值的VCC，因此单独地需要ET调制器。功率放大器可包括ET偏置电路，以减本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种包络跟踪电流偏置电路，包括：包络检测电路，被配置为从输入信号检测包络跟踪电压；第一电压/电流转换电路，被配置为将参考电压转换为直流电流，并根据第一控制信号调节所述直流电流；第二电压/电流转换电路，被配置为将所述包络跟踪电压转换为包络跟踪电流，根据第二控制信号调节所述包络跟踪电流，并从所述包络跟踪电流去除直流偏移电流，以提供偏移补偿包络跟踪电流；以及运算电路，被配置为计算所述偏移补偿包络跟踪电流和所述直流电流的大小，以产生包络跟踪偏置电流。

【技术特征摘要】
2017.07.18 KR 10-2017-00910911.一种包络跟踪电流偏置电路，包括：包络检测电路，被配置为从输入信号检测包络跟踪电压；第一电压/电流转换电路，被配置为将参考电压转换为直流电流，并根据第一控制信号调节所述直流电流；第二电压/电流转换电路，被配置为将所述包络跟踪电压转换为包络跟踪电流，根据第二控制信号调节所述包络跟踪电流，并从所述包络跟踪电流去除直流偏移电流，以提供偏移补偿包络跟踪电流；以及运算电路，被配置为计算所述偏移补偿包络跟踪电流和所述直流电流的大小，以产生包络跟踪偏置电流。2.根据权利要求1所述的包络跟踪电流偏置电路，其中，所述第二电压/电流转换电路包括被配置为与所述第一电压/电流转换电路的电路结构相同的电路结构，以产生与所述包络跟踪电流中包括的直流偏移电流相对应的直流偏移补偿电流，并通过使用所述直流偏移补偿电流去除所述直流偏移电流。3.根据权利要求1所述的包络跟踪电流偏置电路，其中，所述第二电压/电流转换电路包括：电压/电流转换电路，被配置为提供根据所述第二控制信号调节的包络跟踪电流；偏移电流产生电路，被配置为产生与所述包络跟踪电流中包括的直流偏移电流相对应的直流偏移补偿电流，并提供根据所述第二控制信号调节的所述直流偏移补偿电流；以及偏移去除电路，被配置为通过使用从所述偏移电流产生电路供应的所述直流偏移补偿电流去除所述包络跟踪电流中包括的所述直流偏移电流。4.根据权利要求3所述的包络跟踪电流偏置电路，其中，所述电压/电流转换电路包括：第一电流源电路，被配置为包括第一运算放大器、第一电阻电路和第一金属氧化物半导体晶体管电路，以根据所述包络跟踪电压产生第一电流；以及第一电流镜电路，被配置为包括通过电流镜连接到所述第一金属氧化物半导体晶体管电路的第二金属氧化物半导体晶体管电路，以提供与所述第一电流相对应的所述包络跟踪电流。5.根据权利要求4所述的包络跟踪电流偏置电路，其中，所述偏移电流产生电路包括：第二电流源电路，被配置为包括第二运算放大器、第二电阻电路和第三金属氧化物半导体晶体管电路，以根据所述参考电压产生所述直流偏移补偿电流；第二电流镜电路，被配置为包括通过所述电流镜连接到所述第三金属氧化物半导体晶体管电路的第四金属氧化物半导体晶体管电路，以对所述直流偏移补偿电流进行镜像；以及第三电流镜电路，被配置为通过所述电流镜连接到所述第二电流镜电路，并通过使用所述直流偏移补偿电流从所述包络跟踪电流去除所述直流偏移电流。6.根据权利要求5所述的包络跟踪电流偏置电路，其中，所述第一电阻电路被配置为根据所述第二控制信号基于电阻值的改变调节所述包络跟踪电流，所述第二电阻电路被配置为根据所述第二控制信号基于电阻值的改变调节所述直流偏移补偿电流。7.根据权利要求1所述的包络跟踪电流偏置电路，其中，所述包络检测电路包括：整流电路，被配置为从所述输入信号检测所述包络跟踪电压，其中，所述包络跟踪电压包括直流偏移电压；偏移电压产生电路，被配置为产生与所述直流偏移电压相对应的直流偏移补偿电压；以及偏移电压消除电路，被配置为从所述直流偏移电压减去所述直流偏移补偿电压，以提供从所述包络跟踪电压中减少所述直流偏移电压的包络跟踪电压。8.根据权利要求1所述的包络跟踪电流偏置电路，其中，所述运算电路将所述偏移补偿包络跟踪电流和所述直流电流相加或相减来产生所述包络跟踪偏置电流。9.一种功率放大器，包括：包络跟踪电流偏置电路，被配置为基于输入信号的包络产生包络跟踪偏置电流；以及功率放大电路，被配置为包括缓冲偏置电路和功率放大器，所述缓冲偏置电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵炳学，河宗钰，金正勋，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR