光刻胶及其制备方法技术

技术编号:20241444 阅读:120 留言:0更新日期:2019-01-29 23:03
本发明专利技术提供一种光刻胶,其特征在于,所述光刻胶是由含反应基团的联咪唑分子与含氮的化合物发生交联聚合反应所形成。

【技术实现步骤摘要】
光刻胶及其制备方法
本专利技术涉及显示技术,特别涉及一种光刻胶及其制备方法。
技术介绍
显示产品为了解决室外强光照射下的对比度低下的问题,通常在显示面板上增加一层偏光片(polarizer,POL)来提高对比度。但是,一方面,偏光片直接损失了面板超过55%的出光;另一方面,偏光片的材质主要是聚乙烯醇(PVA),其厚度大(~100μm)、质地脆,很容易在弯曲过程中发生断裂,不适用于动态弯折显示产品。通过在有机发光二极管(organiclightemittingdiode,OLED)显示器的每一个子像素单元(R,G,Bsub-pixel)上贴合对应色阻或光刻胶(R,G,Bphotoresist),可保证发光层(emittinglayer,EL)的光谱的有效输出(>60%);同时在非发光区域填充黑色矩阵(blackmatrix)可有效地降低面板的反射率(<6%),这一技术被称为去偏光片技术(POL-less)。光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶。负性光刻胶于显影过程中,图案经过溶剂的浸泡会存在溶胀的现象,因此负性光刻胶的图案分辨率相对于正性光刻技术来得低。基于此原因,正性光刻胶已经取本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻胶,其特征在于,所述光刻胶是由含反应基团的联咪唑分子与含氮的化合物发生交联聚合反应所形成。

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶,其特征在于,所述光刻胶是由含反应基团的联咪唑分子与含氮的化合物发生交联聚合反应所形成。2.如权利要求1所述的光刻胶,其特征在于,所述含反应基团的联咪唑分子是含炔基的联咪唑分子,所述含氮的化合物是叠氮己烷。3.如权利要求1所述的光刻胶,其特征在于,所述含反应基团的联咪唑分子是含环氧乙烷的联咪唑分子,所述含氮的化合物是己二胺。4.如权利要求1所述的光刻胶,其特征在于,所述含反应基团的联咪唑分子是含羟基的联咪唑分子,所述含氮的化合物是1,6-己二异氰酸酯。5.如权利要求1所述的光刻胶,其特征在于,所述光刻胶在被显影后于低于90℃的温度下被烘烤而固化。6.一种制备光刻胶的方法,其特征在于,包括以下步骤:使含反应基团的联咪唑分子与含氮的化合物发生交联反应。7.如权利要求6所述的制备光刻胶的方法,其特征在于,所述含反应基团的联咪唑分子是含炔基的联咪唑分子,所述含氮的化合物是叠氮己烷,所述方法包括以下步骤:(S11)在100ml的单口烧瓶中,按照摩尔量1:1.1的比例,称取含炔基的联咪唑分子和叠氮己烷,溶解在二甲基甲酰胺中,以获得均一混合溶液;(S12)将单口烧瓶置于液氮下,连结油泵,减压抽真空除去混合溶液中的气泡,然后对混合溶液鼓入氮气;(S13)反复操作步骤(S12)三次;(S14)将溴化亚铜,按照摩尔量10%,加入到混合溶液中(液氮中,77K),提起单口烧瓶,置于室温下,迅速搅拌;(S15)数分钟后,流动液体发生交联聚...

【专利技术属性】
技术研发人员:龚文亮
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:湖北,42

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