The invention discloses a nanocrystal and its preparation method and application. The nanocrystal is prepared by crystal growth in a reaction system comprising an anionic precursor, a cationic precursor and a polar organic compound containing halogen. By adding halogen-containing compounds to control the morphology of nanocrystals in the preparation process of nanocrystals and adding different halogen-containing compounds, the nanocrystals with different morphologies such as rods, tetrapods, octahedrals and cones can be obtained. The invention can also control the change of morphology by controlling the dosage of halogen-containing compounds, the adding mode of halogen-containing compounds, the reaction temperature of nucleation and the reaction time of nucleation. The method of the invention has simple process and is easy to repeat.
【技术实现步骤摘要】
一种纳米晶及其制备方法与应用
本专利技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种纳米晶及其制备方法与QLED应用。
技术介绍
球形纳米晶的合成主要是依靠热注入法来完成，科研工作者逐渐将纳米晶体形貌研究扩展到更加复杂的几何结构，如棒状、四足类、八面体类等复杂的纳米晶结构。复杂的纳米晶在形成过程中，其相应的结晶过程主要是依靠原子的堆积方式和不同的增长机制来完成。纳米晶的形貌、尺寸对纳米晶的光电性质、物理化学性质具有很重要的影响。改变纳米晶的形貌和尺寸的方式有很多种。一般的调控方法是通过调节其配体和前驱体的相对浓度来控制纳米晶的形貌和尺寸大小。进一步的控制方法是通过纳米颗粒在溶液中的自组装过程来控制其形貌。这些方法最终能够改变纳米晶的形貌以及尺寸大小，且表面的配体一般都是具有较长的有机分子链，这有利于纳米晶的分散。但是仍然存在如下问题：其一由于很多纳米晶会被应用在电学器件上，因此会考虑到纳米晶的配体是否会影响到器件性能，如在有关发光二级管、太阳能电池等器件研究中发现纳米晶的配体如果较长或表面钝化不足时，会对器件的性能造成影响。其二，在纳米晶的形貌控制中，尤其是二元相纳米晶的...
【技术保护点】
1.一种纳米晶的制备方法，其特征在于，包括步骤：在包括将阴离子前驱体溶液、阳离子前驱体溶液和含卤素的极性有机化合物混合的反应体系中进行晶体生长，制备得到所述纳米晶。
【技术特征摘要】
1.一种纳米晶的制备方法，其特征在于，包括步骤：在包括将阴离子前驱体溶液、阳离子前驱体溶液和含卤素的极性有机化合物混合的反应体系中进行晶体生长，制备得到所述纳米晶。2.根据权利要求1所述的纳米晶的制备方法，其特征在于，所述在包括将阴离子前驱体溶液、阳离子前驱体溶液和含卤素的极性有机化合物混合的反应体系中进行晶体生长的步骤包括：将所述阴离子前驱体溶液与阳离子前驱体溶液混合后得到混合溶液，向所述混合溶液中逐步加入含卤素的极性有机化合物进行晶体生长，制备得到所述纳米晶。3.根据权利要求1所述的纳米晶的制备方法，其特征在于，所述在包括将阴离子前驱体溶液、阳离子前驱体溶液和含卤素的极性有机化合物混合的反应体系中进行晶体生长的步骤包括：将含卤素的极性有机化合物与阳离子前驱体溶液混合后得到混合溶液，将所述混合溶液与阴离子前驱体溶液混合后进行晶体生长，制备得到所述纳米晶。4.根据权利要求1所述的纳米晶的制备方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：程陆玲，杨一行，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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