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一种纳米晶及其制备方法与应用技术
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文档序号:20236039
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本发明公开一种纳米晶及其制备方法与应用,在包括有阴离子前驱体、阳离子前驱体和含卤素的极性有机化合物的反应体系中进行晶体生长,制备得到所述纳米晶。本发明通过在纳米晶的制备过程中添加含卤素的化合物来控制纳米晶的形貌,加入不同种类的含卤素的化合物...
该专利属于TCL集团股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过TCL集团股份有限公司授权不得商用。
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