IGBT模块制造技术

技术编号:20223527 阅读:30 留言:0更新日期:2019-01-28 21:36
本发明专利技术提供一种IGBT模块,包括底座、导热片、IGBT芯片和壳体,所述导热片一侧与底座相连,IGBT芯片设置于导热片的另一侧,所述导热片与底座或IGBT芯片相邻的侧面上均设有涂层,所述壳体与底座形成密封空间,所属壳体和底座之间设有绝缘油。本发明专利技术的有益效果是由于采用上述方案,IGBT模块结构简单、散热效果好,可以支持单颗芯片300A以上电流。

【技术实现步骤摘要】
IGBT模块
本专利技术涉及电源
,具体的是一种IGBT模块。
技术介绍
IGBT具有高频率、高电压、大电流、易于开关等优良性能,作为大功率高频开关在逆变器、电源变换器中被大量使用,是新能源汽车及工业应用领域(比如高铁、风能、太阳能等)的核心器件。车用框架式IGBT功率模块实现了多个IGBT和二极管晶片并联在一个封装内。通过控制IGBT的开通和关断时间改变电压,从而改变输出电流,改变汽车电机扭矩。IGBT的应用领域非常广泛,按照电压规格大致分为三个级别,一是600V以下,如数码相机、汽车点火器等;二是600V到1700V,如白色家电、新能源汽车、太阳能逆变器等;三是1700V-6500V或以上,用于智能电网、轨道交通、风力发电等。目前,我国在不同的级别均有一些突破,国产化替代逐步开启。一般的IGBT模块封装完成后的成品(一下简称成品),封装是采用铝散热片风冷的方式对芯片进行散热,用环氧树脂对芯片封装成壳体。那种散热效果不好,会导致芯片整体温度升高,由于陶瓷片和铜基板有不同的热膨胀系数,因此温度达到一定高度时,IGBT芯片会崩裂,环氧树脂壳体会因崩裂而脱离基板。导致芯片开裂损坏。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.IGBT模块,其特征在于:包括底座、导热片、IGBT芯片和壳体,所述导热片一侧与底座相连,IGBT芯片设置于导热片的另一侧,所述导热片与底座或IGBT芯片相邻的侧面上均设有涂层,所述壳体与底座形成密封空间,所属壳体和底座之间设有绝缘油。

【技术特征摘要】
1.IGBT模块,其特征在于:包括底座、导热片、IGBT芯片和壳体,所述导热片一侧与底座相连,IGBT芯片设置于导热片的另一侧,所述导热片与底座或IGBT芯片相邻的侧面上均设有涂层,所述壳体与底座形成密封空间,所属壳体和底座之间设有绝缘油。2.根据权利要求1所述的IGBT模块,其特征在于:所述导热片为氧化铝陶瓷片。3.根据权利要求2所述的IGBT模块,其特征在于:所述氧化铝陶瓷片的厚度为0.5-2...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈权海
申请(专利权)人:威海银创微电子技术有限公司
类型:发明
国别省市:山东,37

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