用于集成激光二极管/光子芯片接口的抗反射结构制造技术

一种制造LIDAR芯片并且将抗反射(AR)涂层应用于LIDAR芯片的耦合结构的方法。耦合结构形成在晶片上。在与耦合结构相邻的晶片中形成凹坑。AR材料沉积在晶片和耦合结构的顶部上。蚀刻AR材料以在耦合结构上形成AR涂层。

【技术实现步骤摘要】
用于集成激光二极管/光子芯片接口的抗反射结构
本公开涉及用于制造LIDAR(光检测和测距)芯片的方法，并且更具体地，涉及在LIDAR芯片的结构上制造抗反射面。
技术介绍
LIDAR芯片包括光子芯片、集成激光器和光学耦合结构以及其它部件。通常在光学耦合结构与激光器之间放置抗反射涂层，以减少光从光学耦合结构到激光器腔体中的光的背反射，这会降低其线宽和光学稳定性。在制造过程期间，在将激光器集成到光子芯片之前尝试将抗反射涂层沉积在耦合结构上可能是缓慢且昂贵的。因此，希望提供一种在LIDAR芯片的光学耦合器上沉积抗反射涂层的有效方法。
技术实现思路
在一个示例性实施例中，公开了一种制造LIDAR芯片的方法。该方法包括在晶片上形成耦合结构、在晶片中邻近耦合结构形成凹坑、在晶片和耦合结构的顶部上沉积抗反射(AR)材料，以及蚀刻AR材料以在耦合结构上形成AR涂层。除了本文描述的一个或多个特征以外，凹坑的侧壁与耦合结构的垂直小平面共面，而AR涂层沿着凹坑的侧壁和耦合结构的垂直小平面形成。激光器管芯附接在凹坑中，并且凹坑形成从激光器管芯的输出端口发射的光引导到耦合结构的输入端口的深度。在实施例中，激光器管芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造LIDAR芯片的方法，包括：在晶片上形成耦合结构；在所述晶片中邻近所述耦合结构形成凹坑；在所述晶片和耦合结构的顶部上沉积抗反射(AR)材料；以及蚀刻所述AR材料以在所述耦合结构上形成AR涂层。

【技术特征摘要】
2017.07.12 US 62/531414;2018.06.26 US 16/0188521.一种制造LIDAR芯片的方法，包括：在晶片上形成耦合结构；在所述晶片中邻近所述耦合结构形成凹坑；在所述晶片和耦合结构的顶部上沉积抗反射(AR)材料；以及蚀刻所述AR材料以在所述耦合结构上形成AR涂层。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述凹坑的侧壁与所述耦合结构的垂直小平面共面，而所述AR涂层沿着所述凹坑的所述侧壁和所述耦合结构的所述垂直小平面形成。3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将激光器管芯附接在所述凹坑中，其中所述凹坑形成从所述激光器管芯的输出端口发射的光引导到所述耦合结构的输入端口的深度。4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括将所述激光器管芯与所述激光器管芯的光端口附接在距所述AR涂层约2到3微米的距离处。5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括通过执行...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·萨亚赫，P·R·帕特森，B·黄，
申请(专利权)人：通用汽车环球科技运作有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US